動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-09-27 07:35
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發(fā)布了文章 2025-09-25 06:33
熱管理產(chǎn)業(yè)迎來黃金發(fā)展期 | 預(yù)計(jì)2032年將達(dá)到379.1億美元
在算力爆發(fā)與能源革命的浪潮下,熱管理已從傳統(tǒng)的輔助環(huán)節(jié)躍升為制約科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸與核心驅(qū)動(dòng)力。從AI芯片的極限散熱到新能源汽車的電池安全,從數(shù)據(jù)中心的綠色轉(zhuǎn)型到儲(chǔ)能電站的規(guī)模部署,高效熱管理技術(shù)正成為千億級(jí)市場(chǎng)爆發(fā)的戰(zhàn)略支點(diǎn)。本文將深入解析這一“冷技術(shù)”背后的“熱機(jī)遇”,洞察產(chǎn)業(yè)升維路徑與未來格局。熱管理從“幕后英雄”到“核心支點(diǎn)”熱管理是對(duì)設(shè)備或系統(tǒng) -
發(fā)布了文章 2025-09-24 11:01
新能源汽車熱管理技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) | 集成化高效化智能化精細(xì)化
當(dāng)前新能源車熱管理技術(shù)正從“單一、獨(dú)立、被動(dòng)”的初級(jí)階段,向“集成化、高效化、智能化、精細(xì)化”的高級(jí)階段飛速演進(jìn)。發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力始終是:在保障電池安全與壽命、提升乘員舒適性的前提下,最大限度地降低系統(tǒng)能耗,從而延長(zhǎng)車輛續(xù)航里程。透過專利觀整車廠和零部件供應(yīng)商是如何通過架構(gòu)、控制算法和部件三個(gè)層面的創(chuàng)新來應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。01車企熱管理專利動(dòng)態(tài)陜汽集團(tuán)商用車有限 -
發(fā)布了文章 2025-09-22 07:30
氮化硼TIM材料解決AI數(shù)據(jù)中心的能效困境 | 晟鵬科技
AI算力爆發(fā)的“熱情”與能效困境人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展推動(dòng)全球進(jìn)入智能算力時(shí)代。ChatGPT、Sora等大模型的廣泛應(yīng)用,使得數(shù)據(jù)中心的計(jì)算需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。單個(gè)AI訓(xùn)練服務(wù)器的功率密度已突破千瓦級(jí)別,NVIDIAGB200等超級(jí)芯片組的峰值功耗甚至超過2700W。這種"熱情"背后隱藏著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。據(jù)統(tǒng)計(jì),全球數(shù)據(jù)中心能耗已占全球總用電量的2-3%,其中冷481瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-09-20 12:01
功率芯片PCB嵌埋式封裝“從概念到量產(chǎn)”,如何構(gòu)建?
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《功率芯片嵌入式封裝:從概念到量產(chǎn)的全鏈路解析》三部曲-文字原創(chuàng),素材來源:TMC現(xiàn)場(chǎng)記錄、西安交大、網(wǎng)絡(luò)、半導(dǎo)體廠商-本篇為節(jié)選,完整內(nèi)容會(huì)在知識(shí)星球發(fā)布,歡迎學(xué)習(xí)、交流-1400+最新全球汽車動(dòng)力系統(tǒng)相關(guān)的報(bào)告與解析已上傳知識(shí)星球?qū)дZ:在2025年汽車半導(dǎo)體的舞臺(tái)上,芯片內(nèi)嵌式PCB逆變器技術(shù)以顛覆 -
發(fā)布了文章 2025-09-19 09:34
別讓“隱形殺手”毀了你的設(shè)備性能
1“隱形殺手”逐個(gè)抓No.1殺手一號(hào):散熱材料不給力散熱材料作為散熱系統(tǒng)的核心組成部分,其性能優(yōu)劣直接決定了設(shè)備的散熱效果。常見的散熱材料有金屬、導(dǎo)熱硅脂、石墨烯等,它們各自有著獨(dú)特的特性和導(dǎo)熱原理,但在實(shí)際應(yīng)用中,也都存在著一些問題。金屬是一種常用的散熱材料,像銅和鋁,它們具有較高的導(dǎo)熱系數(shù),能夠快速地將熱量傳導(dǎo)出去。銅的導(dǎo)熱性僅次于銀,且易于獲取和加工,401瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-09-18 21:51
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發(fā)布了文章 2025-09-18 15:01
未來半導(dǎo)體先進(jìn)封裝PSPI發(fā)展技術(shù)路線趨勢(shì)解析
PART.01先進(jìn)封裝通過縮短(I/O)間距與互聯(lián)長(zhǎng)度,大幅提升I/O密度,成為驅(qū)動(dòng)芯片性能突破的關(guān)鍵路徑。相較于傳統(tǒng)封裝,其核心優(yōu)勢(shì)集中體現(xiàn)在多維度性能升級(jí)與結(jié)構(gòu)創(chuàng)新上:不僅能實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存帶寬、更優(yōu)的能耗比與性能表現(xiàn),還可將芯片厚度做得更薄,同時(shí)支持多芯片集成、異質(zhì)集成及芯片間高速互聯(lián),完美適配當(dāng)下半導(dǎo)體器件對(duì)高密度、高速度、低功耗的需求。在先進(jìn)封裝的技2.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-09-17 07:21
一文讀懂功率半導(dǎo)體DESAT保護(hù)的來龍去脈
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-關(guān)于功率電子系統(tǒng)Desat保護(hù)的解析-「SysPro電力電子」知識(shí)星球節(jié)選-原創(chuàng)文章,非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載-本篇為節(jié)選,完整內(nèi)容會(huì)在知識(shí)星球發(fā)布,歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語:在電力電子領(lǐng)域,IGBT和MOSFET等開關(guān)器件的安全運(yùn)行至關(guān)重要。其中,Desat保護(hù)作為一種關(guān)鍵的安全保護(hù)機(jī)制,對(duì)于防止器件因過載或短路而損580瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-09-16 08:20