動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-10-15 11:20

  中科微電ZK100G200P：100V大電流MOS管的性能突破與場(chǎng)景革命

  

  在功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化浪潮中，ZK100G200P憑借“性能對(duì)標(biāo)進(jìn)口、成本更具優(yōu)勢(shì)”的特點(diǎn)，成為打破國際品牌壟斷的關(guān)鍵力量。其100V/205A參數(shù)組合、SGT工藝帶來的高頻低損耗特性。

  MOS 場(chǎng)效應(yīng)管 電子元器件

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• 發(fā)布了文章 2025-10-15 10:24

  100V/245A大功率突破！中科微電ZK100G245TL SGT MOS管重塑工業(yè)電源效率

  

  這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著中科微電在中低壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)趕超。其“低損耗+高可靠+高性價(jià)比”的組合，打破國外品牌在大功率MOS管市場(chǎng)的壟斷，推動(dòng)工業(yè)、能源等關(guān)鍵領(lǐng)域供應(yīng)鏈自主可控。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)，中科微電MOS管2024年工業(yè)領(lǐng)域滲透率已達(dá)12%，ZK100G245TL正成為光伏逆變器、工業(yè)電源廠商的“首選國產(chǎn)器件”。

  MOS 場(chǎng)效應(yīng)管 電子元器件

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• 發(fā)布了文章 2025-10-14 17:00

  大功率場(chǎng)景的能效標(biāo)桿：中科微電MOS管ZK100G325TL技術(shù)解析

  

  中科微電ZK100G325TL以SGT工藝突破損耗瓶頸，用TOLL封裝破解體積與散熱矛盾，通過100V/411A的參數(shù)組合精準(zhǔn)切入工業(yè)驅(qū)動(dòng)、新能源快充、儲(chǔ)能等核心場(chǎng)景。這款器件不僅展現(xiàn)了中國功率半導(dǎo)體在先進(jìn)工藝與封裝技術(shù)上的突破能力，更以實(shí)際應(yīng)用推動(dòng)著大功率系統(tǒng)的能效升級(jí)。隨著國產(chǎn)半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)迭代，此類高性能MOS管將在更多場(chǎng)景實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，為“雙碳”目

  MOS 場(chǎng)效應(yīng)管 電子元器件

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• 發(fā)布了文章 2025-10-14 16:53

  SGT工藝賦能的功率核心：中科微電MOS管ZK150G09P深度解析

  

  中科微電ZK150G09P以SGT工藝為核心，通過低損耗、高可靠、易集成的特性組合，為中大功率電子設(shè)備提供了高性能的國產(chǎn)解決方案。從工業(yè)電機(jī)的高效驅(qū)動(dòng)到儲(chǔ)能系統(tǒng)的安全防護(hù)，該器件不僅彰顯了中國功率半導(dǎo)體在先進(jìn)工藝領(lǐng)域的突破能力，更以實(shí)際應(yīng)用推動(dòng)著“雙碳”目標(biāo)下的能效升級(jí)。隨著SGT工藝的進(jìn)一步成熟，這類高性能MOS管將在更多場(chǎng)景實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代，為電子產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)

  MOS 半橋驅(qū)動(dòng) 電子元器件

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• 發(fā)布了文章 2025-10-13 17:55

  中科微電mos管ZK60N80T：一款高性能Trench MOSFET的技術(shù)解析與應(yīng)用展望

  

  在電力電子領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為核心功率器件，其性能直接決定了各類電子設(shè)備的效率、可靠性與小型化水平。ZK60N80T 作為一款采用 Trench（溝槽）工藝的 N 溝道 MOSFET，憑借其精準(zhǔn)的參數(shù)設(shè)計(jì)與卓越的性能表現(xiàn)，在工業(yè)控制、新能源、消費(fèi)電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。

  MOS 半橋驅(qū)動(dòng) 場(chǎng)效應(yīng)管

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• 發(fā)布了文章 2025-10-11 14:52

  普誠PT2432與PT2432C：同系列功率MOS管的場(chǎng)景適配與性能升級(jí)

  

  作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的同系列產(chǎn)品，PT2432 與 PT2432C 雖共享核心技術(shù)架構(gòu)，卻在參數(shù)細(xì)節(jié)與場(chǎng)景適配性上形成互補(bǔ)，精準(zhǔn)覆蓋不同功率控制需求。

  MOS 半橋驅(qū)動(dòng) 場(chǎng)效應(yīng)管 電子元器件

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• 發(fā)布了文章 2025-10-10 17:51

  中科微電ZK60N120G：SGT工藝賦能的高壓大電流MOS管標(biāo)桿

  

  中科微電ZK60N120G是一款專為中大功率場(chǎng)景設(shè)計(jì)的N 溝道增強(qiáng)型功率MOS管，其型號(hào)編碼精準(zhǔn)勾勒出核心性能邊界：“60” 代表60A連續(xù)漏極電流（ID），可穩(wěn)定承載電機(jī)、電源等重型負(fù)載的持續(xù)電流需求；“120” 指向1200V漏源極擊穿電壓（BVdss），適配220V交流整流后的高壓母線環(huán)境，為電路提供充足的電壓冗余。

  MOS管 半橋驅(qū)動(dòng)芯片 場(chǎng)效應(yīng)管 電子元器件

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• 發(fā)布了文章 2025-10-10 17:26

  普誠PT2432：集成化三相無感驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)突破與場(chǎng)景革命

  

  普誠 PT2432 并非單一功能芯片，而是一款整合控制、驅(qū)動(dòng)與保護(hù)單元的三相無傳感器無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng) IC，是臺(tái)灣普誠科技（PTC）針對(duì)中小功率驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景打造的里程碑產(chǎn)品。其核心創(chuàng)新在于通過 Multi-power BCD 工藝，將三相 MOS 管功率橋、反電動(dòng)勢(shì)檢測(cè)電路、速度控制模塊及保護(hù)機(jī)制壓縮至單芯片，徹底改變了傳統(tǒng) “控制 IC + 外置 MOS 管

  電子元器件 芯片 驅(qū)動(dòng)IC

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• 發(fā)布了文章 2025-10-09 16:49

  中科微電MOS管ZK30N100G的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與場(chǎng)景革命

  

  中科微電ZK30N100G的型號(hào)命名，是對(duì)其核心性能的直觀注解：“30” 對(duì)應(yīng)30A持續(xù)漏極電流（I_D） ，滿足中大功率設(shè)備的電流承載需求；“100” 代表1000V漏源極擊穿電壓（V_DS） ，輕松應(yīng)對(duì)工業(yè)高壓、光伏逆變等高壓工況；后綴 “G” 則標(biāo)志著其采用中科微電自研的優(yōu)化封裝與SGT工藝，為性能釋放提供硬件支撐。

  MOS管 場(chǎng)效應(yīng)管 電子元器件 驅(qū)動(dòng)芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-10-09 16:25

  中科微電mos管ZK60N120G：高壓大電流場(chǎng)景下的N溝道MOS管性能標(biāo)桿

  

  ZK60N120G 作為一款高性能 N 溝道增強(qiáng)型 MOS 管，憑借其在高壓耐受與大電流承載方面的突出表現(xiàn)，成為工業(yè)自動(dòng)化、新能源設(shè)備等中大功率場(chǎng)景的關(guān)鍵器件。該器件采用先進(jìn)的功率半導(dǎo)體工藝制造，通過優(yōu)化的芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了擊穿電壓、導(dǎo)通損耗與開關(guān)速度的精準(zhǔn)平衡，為復(fù)雜電氣環(huán)境下的功率控制提供了可靠解決方案。

  MOS管 場(chǎng)效應(yīng)管 驅(qū)動(dòng)芯片

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