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• 發(fā)布了文章 2025-10-31 14:28

  ZK30G011G：Trench工藝加持的30V/160A低壓大電流功率新星

  

  ZK30G011G作為一款專為低壓大電流場(chǎng)景設(shè)計(jì)的N溝道MOSFET，以30V額定電壓、160A額定電流的硬核性能為基礎(chǔ)，融合成熟可靠的溝槽型（Trench）工藝與PDFN5*6小型化封裝，既突破了傳統(tǒng)低壓器件的電流承載上限，又實(shí)現(xiàn)了小體積與高穩(wěn)定性的平衡，成為低壓功率控制領(lǐng)域的優(yōu)選方案。

  MOS 場(chǎng)效應(yīng)管 電子元器件 驅(qū)動(dòng)芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-10-31 14:09

  ZK60G120T：SGT+PDFN封裝，60V/120A功率器件的小型化革命

  

  在消費(fèi)電子快充、車載電源、工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)等中低壓大電流場(chǎng)景中，功率器件正面臨“大電流承載”與“小型化設(shè)計(jì)”的雙重訴求。ZK60G120T這款N溝道MOSFET，以60V額定電壓、120A額定電流的硬核性能為基礎(chǔ)，創(chuàng)新融合屏蔽柵（SGT）技術(shù)與PDFN5x6-8L超薄封裝，既突破了傳統(tǒng)器件“大電流必大體積”的瓶頸，又實(shí)現(xiàn)了低損耗與高可靠性的平衡，成為中低壓大電流

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• 發(fā)布了文章 2025-10-31 11:03

  ZK150G002TP：SGT技術(shù)賦能的150V高壓大電流MOSFET標(biāo)桿

  

  在工業(yè)控制、新能源發(fā)電、電力電子等高壓大電流應(yīng)用場(chǎng)景中，MOSFET的性能直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性與功率密度。ZK150G002TP作為一款搭載屏蔽柵（SGT）技術(shù)的N溝道MOSFET，以150V的額定電壓、200A的超大電流承載能力及優(yōu)異的綜合參數(shù)，成為高壓功率控制領(lǐng)域的核心優(yōu)選器件，為各類大功率電子系統(tǒng)提供了穩(wěn)定高效的功率開關(guān)解決方案。

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• 發(fā)布了文章 2025-10-30 10:49

  中科微電ZK4030DG：N+P MOS管領(lǐng)域的Trench工藝性能典范

  

  在MOS管技術(shù)持續(xù)演進(jìn)的當(dāng)下，高效、穩(wěn)定、小型化成為行業(yè)核心追求。中科微電憑借對(duì)功率半導(dǎo)體技術(shù)的深耕，推出了一款性能卓越的N+P型MOS管——ZK4030DG。該產(chǎn)品搭載先進(jìn)的Trench（溝槽）工藝，采用PDFN5x6-8L緊湊封裝，在電壓、電流、損耗控制等核心參數(shù)上表現(xiàn)亮眼，為汽車電子、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等多領(lǐng)域的電路設(shè)計(jì)提供了高效解決方案，成為N+P

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• 發(fā)布了文章 2025-10-30 10:16

  160A大電流賦能低壓場(chǎng)景：中科微電ZK30G011Q MOS管技術(shù)解析

  

  在低壓大電流功率控制領(lǐng)域，器件的電流承載能力、能效水平與小型化適配性成為衡量性能的核心指標(biāo)。中科微電推出的ZK30G011Q N溝道MOS管，憑借30V耐壓與160A超大電流的參數(shù)突破，結(jié)合Trench工藝與緊湊封裝設(shè)計(jì)，為消費(fèi)電子、工業(yè)控制等場(chǎng)景提供了高效穩(wěn)定的功率開關(guān)解決方案，重新定義了低壓大電流器件的性能邊界。

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• 發(fā)布了文章 2025-10-28 15:34

  雙向控制賦能低壓場(chǎng)景：中科微電ZK4030DS MOS管技術(shù)解析與應(yīng)用探索

  

  一、參數(shù)解構(gòu)：N+P雙溝道的性能優(yōu)勢(shì)在低壓功率電子領(lǐng)域，對(duì)器件雙向電流控制能力、電壓適配性及能效的要求日益嚴(yán)苛，中科微電ZK4030DS作為一款N+P溝道互補(bǔ)型MOS管，其參數(shù)組合精準(zhǔn)契合低壓場(chǎng)景的核心需求，為雙向能量管理與電路簡(jiǎn)化提供了優(yōu)質(zhì)解決方案。從電壓與電流承載維度來看，ZK4030DS呈現(xiàn)出鮮明的雙溝道特性：N溝道部分具備40V的正向漏源擊穿電壓（B

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• 發(fā)布了文章 2025-10-28 13:49

  雙溝道賦能低壓場(chǎng)景：中科微電ZK3010DSMOS管技術(shù)解析與應(yīng)用探索

  

  在低壓電子系統(tǒng)中，對(duì)功率器件的雙向控制能力、低功耗與小型化需求日益迫切，傳統(tǒng)單溝道MOS管往往需要多器件搭配才能實(shí)現(xiàn)雙向電流管理，不僅增加電路復(fù)雜度，還占用更多PCB空間。中科微電精準(zhǔn)洞察這一痛點(diǎn)，推出ZK3010DS N+P溝道互補(bǔ)型MOS管，憑借30V/-30V雙向耐壓、5.8A/-12A電流承載、低至1.85V/-1.5V的柵極閾值電壓，結(jié)合Trenc

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• 發(fā)布了文章 2025-10-28 12:03

  SGT工藝加持下的高效功率器件：中科微電ZK150G09T MOS管全面解讀

  

  隨著電子設(shè)備向高功率、小型化、高效能方向快速迭代，功率MOS管作為能量轉(zhuǎn)換與控制的核心部件，其性能表現(xiàn)直接決定了整機(jī)的運(yùn)行效率與可靠性。在中高壓、中大功率應(yīng)用場(chǎng)景中，如何平衡電壓承載、電流控制、能量損耗與穩(wěn)定性，成為行業(yè)研發(fā)的核心課題。中科微電作為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)先行者，憑借對(duì)SGT（屏蔽柵溝槽）工藝的深度鉆研，推出了ZK150G09T N溝道MOS

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• 發(fā)布了文章 2025-10-28 11:54

  SGT工藝賦能大功率器件：中科微電ZK100G325B MOS管深度解析

  

  中科微電作為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，憑借多年技術(shù)沉淀推出的ZK100G325B N溝道MOS管，不僅以100V耐壓、411A大電流等硬核參數(shù)打破性能邊界，更依托先進(jìn)的SGT（屏蔽柵溝槽）工藝與TO-263-2L封裝設(shè)計(jì)，為中高壓、大電流場(chǎng)景提供了高效節(jié)能的解決方案。本文將深入剖析這款器件的性能基因、技術(shù)內(nèi)核與實(shí)戰(zhàn)價(jià)值，解碼其如何成為賦能多領(lǐng)域發(fā)展的“功

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• 發(fā)布了文章 2025-10-27 14:36

  深度解析場(chǎng)效應(yīng)管ZK60N50T：參數(shù)、特性與應(yīng)用場(chǎng)景

  

  在電力電子領(lǐng)域，場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）作為核心開關(guān)器件，其性能直接決定了整機(jī)系統(tǒng)的效率、可靠性與成本控制。ZK60N50T作為一款典型的N溝道功率MOSFET，憑借其優(yōu)異的電氣參數(shù)與穩(wěn)定的工作特性，在工業(yè)控制、新能源、消費(fèi)電子等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。本文將從參數(shù)解讀、封裝優(yōu)勢(shì)、技術(shù)特點(diǎn)及應(yīng)用場(chǎng)景四個(gè)維度，全面剖析ZK60N50T的核心價(jià)值，為工程師選型與電路設(shè)

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