亚洲精品久久久久久久久久久,亚洲国产精品一区二区制服,亚洲精品午夜精品,国产成人精品综合在线观看,最近2019中文字幕一页二页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

中科微電ZK60N120G:SGT工藝賦能的高壓大電流MOS管標桿

中科微電半導體 ? 2025-10-10 17:51 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

一、器件解碼:高壓大電流的參數(shù)密碼
中科微電ZK60N120G是一款專為中大功率場景設計的N 溝道增強型功率MOS管,其型號編碼精準勾勒出核心性能邊界:“60” 代表60A連續(xù)漏極電流(ID),可穩(wěn)定承載電機、電源等重型負載的持續(xù)電流需求;“120” 指向1200V漏源極擊穿電壓(BVdss),適配220V交流整流后的高壓母線環(huán)境,為電路提供充足的電壓冗余。
結合SGT(屏蔽柵晶體管)工藝特性,其關鍵參數(shù)進一步彰顯性能優(yōu)勢:在10V柵壓下,導通電阻(Rds-on)可低至15mΩ級別,相較傳統(tǒng)溝槽型 MOS管降低40%以上,大幅減少導通損耗;柵源電壓(Vgs)范圍±20V,兼容工業(yè)常用的12V驅(qū)動電路,無需額外電壓轉(zhuǎn)換模塊;漏電流低于1μA,可最大限度降低儲能系統(tǒng)靜置時的能量損耗。封裝采用PDFN5*6貼片形式,在實現(xiàn)5mm×6mm緊湊尺寸的同時,通過銅皮導熱設計將熱阻控制在 25℃/W,兼顧高密度布局與散熱需求。
二、技術內(nèi)核:SGT 工藝的三重性能突破
(一)低損耗能效革命
SGT工藝通過創(chuàng)新的屏蔽柵結構優(yōu)化電荷分布,使ZK60N120G在高壓下仍保持低導通電阻特性。以60A工作電流計算,其導通損耗僅為(60A)2×15mΩ=54W,而同電壓等級的傳統(tǒng)平面MOS管導通損耗通常超過90W。在高頻開關場景中,該器件開關速度提升至50ns級別,開關損耗比普通溝槽型器件降低35%,助力電源轉(zhuǎn)換效率突破95%大關。這種 “低導通 + 快開關” 的雙重優(yōu)勢,使其成為節(jié)能型設備的核心選擇。
(二)高壓可靠性防護
1200V耐壓值不僅適配220V交流輸入系統(tǒng),更能抵御電機啟停時的反電動勢沖擊。在工業(yè)電機驅(qū)動測試中,ZK60N120G可承受1500V瞬時過壓沖擊而不擊穿,遠超普通1000V MOS管的耐受極限。配合±20V柵壓耐受范圍與-55℃至 150℃寬溫工作區(qū)間,該器件可適應工業(yè)冷庫、戶外電源等極端工況,故障發(fā)生率降低至0.1%以下。
(三)小型化集成適配
PDFN5*6封裝的緊湊設計為電路小型化提供可能:相較于傳統(tǒng)TO-220封裝(10mm×15mm),體積縮減60%以上,可直接嵌入光伏微型逆變器、便攜式焊機等空間受限設備。封裝底部的裸露焊盤與PCB銅皮直接接觸,無需散熱器即可應對60W以內(nèi)的功率損耗,在100W場景下搭配簡單散熱片即可將結溫控制在120℃以內(nèi)。
三、場景落地:從工業(yè)驅(qū)動到新能源防護
(一)工業(yè)電機驅(qū)動核心
在傳送帶、小型水泵等設備的H橋驅(qū)動電路中,ZK60N120G的60A電流承載能力可適配5.5kW以下電機的驅(qū)動需求。配合PWM調(diào)速信號,能實現(xiàn) 0-3000RPM無級調(diào)節(jié),且軟開關特性可減少電機運行噪音至65dB以下。某自動化設備廠商測試顯示,采用該器件后,電機驅(qū)動模塊的溫升從80℃降至 55℃,連續(xù)運行壽命從2萬小時延長至5萬小時。
(二)高壓電源轉(zhuǎn)換關鍵
在110V/220V開關電源與光伏微型逆變器中,ZK60N120G承擔高頻開關角色。其1200V耐壓適配整流后的310V直流母線,50kHz以上開關頻率可減少濾波電容與電感體積,使逆變器重量減輕30%。在5kW光伏逆變器應用中,該器件的低損耗特性使系統(tǒng)效率從92%提升至95%,每年每臺設備可多發(fā)電 120 度。
(三)新能源保護中樞
在中小型儲能電池組的充放電管理系統(tǒng)中,ZK60N120G作為主回路開關,可在微秒級時間內(nèi)響應過流、過壓故障。當檢測到回路電流超過80A(1.3倍額定值)或電壓異常時,器件迅速關斷,切斷故障回路。其低漏電流特性(<1μA)使10kWh儲能電池的月自損耗從5%降至0.3%,延長續(xù)航時間的同時降低維護成本。
四、結語:高壓功率場景的國產(chǎn)替代標桿
工業(yè)自動化升級與新能源普及的雙重驅(qū)動下,高壓大電流MOS管的需求持續(xù)攀升。中科微電ZK60N120G以SGT工藝為核心,通過低損耗、高可靠、小封裝的特性組合,打破了國際品牌在1200V級別器件的壟斷。從工業(yè)電機到光伏逆變器,從儲能保護到高壓電源,該器件不僅為設備廠商提供了高性價比的國產(chǎn)選擇,更彰顯了中國功率半導體在先進工藝領域的突破能力。隨著SGT工藝的進一步成熟,ZK60N120G這類高性能MOS管將在更多高壓場景中實現(xiàn)國產(chǎn)替代,助力 “雙碳” 目標下的能效升級。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電子元器件
    +關注

    關注

    134

    文章

    3765

    瀏覽量

    112678
  • 場效應管
    +關注

    關注

    47

    文章

    1281

    瀏覽量

    69664
  • MOS管
    +關注

    關注

    110

    文章

    2712

    瀏覽量

    74226
  • 半橋驅(qū)動芯片

    關注

    0

    文章

    17

    瀏覽量

    21971
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    中科mosZK60N120G高壓電流場景下的N溝道MOS管性能標桿

    ZK60N120G 作為一款高性能 N 溝道增強型 MOS 管,憑借其在高壓耐受與大電流承載方面的突出表現(xiàn),成為工業(yè)自動化、新能源設備等中大
    的頭像 發(fā)表于 10-09 16:25 ?475次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>mos</b>管<b class='flag-5'>ZK60N120G</b>:<b class='flag-5'>高壓</b>大<b class='flag-5'>電流</b>場景下的<b class='flag-5'>N</b>溝道<b class='flag-5'>MOS</b>管性能<b class='flag-5'>標桿</b>

    中科MOSZK30N100G的技術優(yōu)勢與場景革命

    中科ZK30N100G的型號命名,是對其核心性能的直觀注解:“30” 對應30A持續(xù)漏極電流(I_D) ,滿足中大功率設備的
    的頭像 發(fā)表于 10-09 16:49 ?421次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>MOS</b>管<b class='flag-5'>ZK30N100G</b>的技術優(yōu)勢與場景革命

    SGT工藝的功率核心:中科MOSZK150G09P深度解析

    中科ZK150G09P以SGT工藝為核心,通過低損耗、高可靠、易集成的特性組合,為中大功率電
    的頭像 發(fā)表于 10-14 16:53 ?519次閱讀
    <b class='flag-5'>SGT</b><b class='flag-5'>工藝</b><b class='flag-5'>賦</b><b class='flag-5'>能</b>的功率核心:<b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>MOS</b>管<b class='flag-5'>ZK150G</b>09P深度解析

    大功率場景的標桿中科MOSZK100G325TL技術解析

    中科ZK100G325TL以SGT工藝突破損耗瓶頸,用TOLL封裝破解體積與散熱矛盾,通過1
    的頭像 發(fā)表于 10-14 17:00 ?468次閱讀
    大功率場景的<b class='flag-5'>能</b>效<b class='flag-5'>標桿</b>:<b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>MOS</b>管<b class='flag-5'>ZK100G</b>325TL技術解析

    ZK100G325P深度應用解析:SGT工藝的中低壓MOS管大功率場景革新

    中科ZK100G325P作為N溝道功率MOS管,以100V耐壓、超300A持續(xù)
    的頭像 發(fā)表于 10-24 17:53 ?688次閱讀
    <b class='flag-5'>ZK100G</b>325P深度應用解析:<b class='flag-5'>SGT</b><b class='flag-5'>工藝</b><b class='flag-5'>賦</b><b class='flag-5'>能</b>的中低壓<b class='flag-5'>MOS</b>管大功率場景革新

    中科ZK200G120P:SGT工藝的功率MOS管標桿

    中科深耕功率半導體領域11年,依托深厚的技術積淀與項目經(jīng)驗,推出的ZK200G120P N 溝道MO
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:10 ?132次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK200G120</b>P:<b class='flag-5'>SGT</b><b class='flag-5'>工藝</b><b class='flag-5'>賦</b><b class='flag-5'>能</b>的功率<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管標桿</b>

    中科ZK200G120B:源廠技術的中低壓MOS管性能標桿

    在工業(yè)自動化、新能源汽車、通信電源等中低壓功率場景中,功率MOS管的性能直接決定系統(tǒng)的效、可靠性與成本控制。作為國產(chǎn)功率半導體源廠的代表性產(chǎn)品,中科
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:32 ?126次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK200G120</b>B:源廠技術<b class='flag-5'>賦</b><b class='flag-5'>能</b>的中低壓<b class='flag-5'>MOS</b>管性能<b class='flag-5'>標桿</b>

    中科ZK200G120TP:中高壓MOS管新標桿多領域高效能應用

    在工業(yè)電源、新能源汽車輔助系統(tǒng)、光伏逆變器等中高壓功率場景中,MOS管的性能直接決定著系統(tǒng)的效、可靠性與安全性。中科
    的頭像 發(fā)表于 10-25 13:56 ?148次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK200G120</b>TP:中<b class='flag-5'>高壓</b><b class='flag-5'>MOS</b>管新<b class='flag-5'>標桿</b>,<b class='flag-5'>賦</b><b class='flag-5'>能</b>多領域高效能應用

    中科ZK60G270G:車規(guī)級MOSFET中低壓場景的性能標桿

    在汽車電子的中低壓功率控制領域,從電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)到智能水泵、風機系統(tǒng),對器件的可靠性、效率與電流承載能力提出了嚴苛要求。中科推出的車規(guī)級
    的頭像 發(fā)表于 10-27 14:18 ?136次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK60G270G</b>:車規(guī)級MOSFET中低壓場景的性能<b class='flag-5'>標桿</b>

    SGT工藝大功率器件:中科ZK100G325B MOS管深度解析

    中科作為國內(nèi)功率半導體領域的領軍企業(yè),憑借多年技術沉淀推出的ZK100G325B N溝道MOS
    的頭像 發(fā)表于 10-28 11:54 ?90次閱讀
    <b class='flag-5'>SGT</b><b class='flag-5'>工藝</b><b class='flag-5'>賦</b><b class='flag-5'>能</b>大功率器件:<b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK100G</b>325B <b class='flag-5'>MOS</b>管深度解析

    SGT工藝加持下的高效功率器件:中科ZK150G09T MOS管全面解讀

    損耗與穩(wěn)定性,成為行業(yè)研發(fā)的核心課題。中科作為國內(nèi)功率半導體領域的技術先行者,憑借對SGT(屏蔽柵溝槽)工藝的深度鉆研,推出了
    的頭像 發(fā)表于 10-28 12:03 ?85次閱讀
    <b class='flag-5'>SGT</b><b class='flag-5'>工藝</b>加持下的高效功率器件:<b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK150G</b>09T <b class='flag-5'>MOS</b>管全面解讀

    中科ZK30N140T:Trench工藝加持的低壓大電流MOS管新標桿

    在功率半導體領域,中科憑借多年技術積淀,持續(xù)推出契合市場需求的核心器件。針對低壓大電流場景中“功率與體積難兼顧、效率與成本難平衡”的行業(yè)痛點,
    的頭像 發(fā)表于 10-31 14:55 ?113次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK30N</b>140T:Trench<b class='flag-5'>工藝</b>加持的低壓大<b class='flag-5'>電流</b><b class='flag-5'>MOS</b>管新<b class='flag-5'>標桿</b>

    ZK150G002B:SGT工藝的中壓大電流MOSFET技術解析

    60V-200V中壓功率控制場景中,如工業(yè)電機驅(qū)動、新能源儲、大功率電源等領域,對MOSFET的電流承載能力、導通損耗與封裝適配性提出了嚴苛要求。中科
    的頭像 發(fā)表于 11-04 15:20 ?117次閱讀
    <b class='flag-5'>ZK150G</b>002B:<b class='flag-5'>SGT</b><b class='flag-5'>工藝</b><b class='flag-5'>賦</b><b class='flag-5'>能</b>的中壓大<b class='flag-5'>電流</b>MOSFET技術解析

    中科ZK150G09T:SGT工藝驅(qū)動的中壓小封裝MOSFET創(chuàng)新實踐

    中科研發(fā)的N溝道MOSFET ZK150G09T,以150V耐壓、90A連續(xù)電流、TO-25
    的頭像 發(fā)表于 11-04 16:20 ?146次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK150G</b>09T:<b class='flag-5'>SGT</b><b class='flag-5'>工藝</b>驅(qū)動的中壓小封裝MOSFET創(chuàng)新實踐

    ZK40N100G:PDFN封裝的中低壓大電流MOS管標桿

    在中低壓功率電子系統(tǒng)的設計中,MOS管的電流承載能力、封裝尺寸與效表現(xiàn),是決定產(chǎn)品競爭力的核心要素。ZK40N100G作為一款高性能N溝道
    的頭像 發(fā)表于 11-05 16:30 ?149次閱讀
    <b class='flag-5'>ZK40N100G</b>:PDFN封裝<b class='flag-5'>賦</b><b class='flag-5'>能</b>的中低壓大<b class='flag-5'>電流</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管標桿</b>