動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-11-04 16:27
中科微電ZK150G05T：中壓小封裝功率器件的適配型創(chuàng)新
中科微電推出的N溝道MOSFET ZK150G05T，以150V耐壓、51A連續(xù)電流、TO-252-2L薄型封裝為核心標(biāo)簽，精準(zhǔn)匹配3-8kW級(jí)中壓場(chǎng)景的功率控制需求，其參數(shù)設(shè)計(jì)與應(yīng)用表現(xiàn)，為理解中壓小功率器件的適配性發(fā)展邏輯提供了典型樣本。359瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-11-04 16:20
中科微電ZK150G09T：SGT工藝驅(qū)動(dòng)的中壓小封裝MOSFET創(chuàng)新實(shí)踐
中科微電研發(fā)的N溝道MOSFET ZK150G09T，以150V耐壓、90A連續(xù)電流、TO-252-2L薄型封裝及SGT（屏蔽柵溝槽）工藝為核心特征，精準(zhǔn)匹配中壓場(chǎng)景的小型化與高效化訴求，其技術(shù)設(shè)計(jì)與應(yīng)用表現(xiàn)，為理解中壓小封裝功率器件的發(fā)展邏輯提供了典型范例。149瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-11-04 16:00
ZK150G130B：SGT工藝加持的中壓功率控制新選擇
在60V-200V中壓功率電子領(lǐng)域，無論是工業(yè)自動(dòng)化中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)，還是新能源場(chǎng)景下的儲(chǔ)能變流，都對(duì)MOSFET提出了“大電流承載、低能量損耗、小封裝適配”的三重訴求。中科微電研發(fā)的N溝道MOSFET ZK150G130B，以150V耐壓、132A連續(xù)電流、TO-263-2L薄型封裝及SGT（屏蔽柵溝槽）工藝為核心特征，精準(zhǔn)匹配中壓場(chǎng)景的性能痛點(diǎn)，其技術(shù)設(shè)計(jì)與 -
發(fā)布了文章 2025-11-04 15:20
ZK150G002B：SGT工藝賦能的中壓大電流MOSFET技術(shù)解析
在60V-200V中壓功率控制場(chǎng)景中，如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源儲(chǔ)能、大功率電源等領(lǐng)域，對(duì)MOSFET的電流承載能力、導(dǎo)通損耗與封裝適配性提出了嚴(yán)苛要求。中科微電推出的N溝道MOSFET ZK150G002B，以150V耐壓、200A電流、TO-220封裝及SGT（屏蔽柵溝槽）工藝為核心標(biāo)簽，構(gòu)建起“高壓耐受、大流低耗”的性能特征，成為中壓大電流場(chǎng)景下功率控制的122瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-11-03 16:25
中科微電：MOS管原廠實(shí)力，為產(chǎn)業(yè)筑牢功率控制“芯”基石
在半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中，“原廠”身份意味著技術(shù)源頭、品質(zhì)可控與服務(wù)保障的三重核心價(jià)值。中科微電作為國內(nèi)資深的MOS管（場(chǎng)效應(yīng)管）原廠，深耕功率器件領(lǐng)域十余年，構(gòu)建了從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造協(xié)同、封裝測(cè)試到終端應(yīng)用的全鏈條服務(wù)體系，以自主核心技術(shù)與規(guī)?；a(chǎn)能力，為工業(yè)控制、新能源、消費(fèi)電子等領(lǐng)域提供高可靠、高性價(jià)比的MOS管產(chǎn)品，成為產(chǎn)業(yè)鏈上下游信賴的核心合作伙伴。894瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-11-03 16:18
中科微電：場(chǎng)效應(yīng)管領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)航者
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）作為電子設(shè)備的核心功率控制單元，其性能直接決定了終端產(chǎn)品的能效、可靠性與小型化水平。中科微電作為深耕場(chǎng)效應(yīng)管領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，自成立以來便以“技術(shù)創(chuàng)新為核，市場(chǎng)需求為導(dǎo)向”，在低壓、中壓、高壓場(chǎng)效應(yīng)管研發(fā)與制造領(lǐng)域不斷突破，成為推動(dòng)工業(yè)控制、新能源、消費(fèi)電子等行業(yè)升級(jí)的重要力量。360瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-11-03 16:13
ZK3030DG：N+P互補(bǔ)架構(gòu)，低壓雙向功率控制的革新方案
ZK3030DG的出現(xiàn)打破了這一困局——這款采用N+P互補(bǔ)雙管集成結(jié)構(gòu)的MOSFET，將±30V雙向耐壓、±20A對(duì)稱電流的性能精準(zhǔn)融合，依托Trench工藝與PDFN5x6-8L封裝優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了“單器件承載雙向控制”的突破，成為直流驅(qū)動(dòng)、能源管理等領(lǐng)域的優(yōu)選核心器件。本文將從架構(gòu)價(jià)值、參數(shù)解析、應(yīng)用落地三個(gè)維度，重構(gòu)ZK3030DG的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力。250瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-11-03 15:39
中科微電ZK60N06DS：N+N，低壓mos管功率控制的集成化新選擇
ZK60N06DS這款采用N+N雙管集成結(jié)構(gòu)的MOSFET，正是為響應(yīng)這一需求而生——60V耐壓覆蓋主流低壓系統(tǒng)，5.8A單管載流適配中低功率負(fù)載，32mΩ低導(dǎo)通電阻保障能效，再輔以成熟的Trench工藝與緊湊的SOP-8封裝，成功將“雙管功能、單管占位”的優(yōu)勢(shì)落地，成為消費(fèi)電子、工業(yè)控制、車載輔助等場(chǎng)景的優(yōu)選功率器件。177瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-31 14:55
中科微電ZK30N140T：Trench工藝加持的低壓大電流MOS管新標(biāo)桿
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，中科微電憑借多年技術(shù)積淀，持續(xù)推出契合市場(chǎng)需求的核心器件。針對(duì)低壓大電流場(chǎng)景中“功率與體積難兼顧、效率與成本難平衡”的行業(yè)痛點(diǎn)，中科微電重磅推出N溝道MOS管ZK30N140T。115瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-31 14:47
ZK60G120T：SGT+小型化封裝，60V/120A功率控制的破局者
ZK60G120T以60V額定電壓、120A額定電流的硬核性能為基底，融合屏蔽柵（SGT）核心技術(shù)與PDFN5x6-8L超薄封裝，構(gòu)建起“高性能+小體積”的雙重優(yōu)勢(shì)，成為中低壓大電流領(lǐng)域的新一代標(biāo)桿。
