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• 發(fā)布了文章 2025-11-07 17:27

  低壓大電流新選擇：ZK40N190G MOSFET的技術(shù)優(yōu)勢與應用價值

  

  在新能源、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域的快速發(fā)展中，低壓大電流場景對功率器件的承載能力、散熱性能和可靠性提出了越來越高的要求。ZK40N190G作為一款采用Trench溝槽工藝的N溝道MOSFET，以40V耐壓、190A超大電流承載能力及PDFN5x6-8L封裝優(yōu)勢，精準匹配低壓大電流功率變換需求，成為眾多高功率密度設(shè)備的核心功率器件選擇。

  MOS 場效應管 電子元器件 驅(qū)動芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-11-06 16:52

  能量調(diào)控的精巧使者：ZK68N80T MOSFET的特性與價值

  

  在電力電子系統(tǒng)的精密架構(gòu)中，MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）始終占據(jù)著核心地位，它們?nèi)缤芰苛鬓D(zhuǎn)的“閘門”，精準控制著電流的通斷與強弱。ZK68N80T這款N溝道MOSFET，以其明確的性能標識、優(yōu)化的封裝設(shè)計和先進的制造工藝，成為眾多設(shè)備中不可或缺的“能量調(diào)控使者”，在方寸之間演繹著高效與可靠的雙重擔當。

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• 發(fā)布了文章 2025-11-06 16:25

  功率器件MOS管中的實干家：ZK100G120B的性能優(yōu)勢與場景賦能

  

  在布滿精密元件的電路板上，功率器件就像“能量調(diào)度官”，負責電能的高效傳輸與精準控制。ZK100G120B這款標注著“100V、120A、SGT、TO-263-2L”的器件，沒有華麗的外觀，卻以扎實的參數(shù)配置和可靠的性能表現(xiàn)，在中低壓功率場景中占據(jù)重要地位。當我們深入解讀它的各項參數(shù)密碼，便能發(fā)現(xiàn)它成為眾多工程師首選的核心原因。

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• 發(fā)布了文章 2025-11-06 14:49

  中科微電ZK40P80G：小封裝大能量的P溝道MOS管新選擇

  

  中科微電推出的ZK40P80G P溝道MOS管，突破性地將-80A大電流、-40V高耐壓與PDFN5x6-8L緊湊封裝相結(jié)合，搭配1.5mΩ低導通電阻與成熟Trench工藝，為小型化、高功率密度設(shè)備提供了理想的功率解決方案。

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• 發(fā)布了文章 2025-11-06 14:35

  ZK40P80T：P溝道MOS管中的高功率性能擔當

  

  中科微電深耕功率器件領(lǐng)域，針對P溝道器件的應用痛點，推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS管，以-40V耐壓、-80A電流的強勁參數(shù)，搭配1.5mΩ低導通電阻與成熟Trench工藝，為反向電壓控制、電池管理等場景提供了高效可靠的解決方案，重新定義了中低壓P溝道MOS管的性能標準。

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• 發(fā)布了文章 2025-11-06 13:44

  中科微電ZK150G002P：高耐壓大電流N溝槽MOS管的性能突破

  

  在功率半導體器件的迭代浪潮中，N溝槽MOS管憑借其優(yōu)異的開關(guān)特性與電流控制能力，成為高功率電子系統(tǒng)的核心組成部分。當市場對器件的耐壓等級、電流承載能力提出更高要求時，一款兼具150V高耐壓、200A大電流與3.5毫歐低導通電阻的N溝槽MOS管——ZK150G002P應運而生。它不僅精準契合了新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域的嚴苛需求，更以硬核參數(shù)彰顯了功率半導體技術(shù)的

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• 發(fā)布了文章 2025-11-05 16:30

  ZK40N100G：PDFN封裝賦能的中低壓大電流MOS管標桿

  

  在中低壓功率電子系統(tǒng)的設(shè)計中，MOS管的電流承載能力、封裝尺寸與能效表現(xiàn)，是決定產(chǎn)品競爭力的核心要素。ZK40N100G作為一款高性能N溝道MOS管，以40V耐壓、90A大電流、PDFN5x6-8L緊湊封裝及Trench工藝加持，精準適配消費電子、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域的大功率需求，成為兼顧“強性能、小體積、高效率”的優(yōu)選器件，為電路設(shè)計突破空間與能效瓶頸提

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• 發(fā)布了文章 2025-11-05 16:15

  中科微電ZK60N04NF：DFN封裝加持的中低壓功率控制核心

  

  在中低壓功率電子系統(tǒng)中，MOS管的性能參數(shù)與封裝形式直接決定了電路的效率、可靠性與集成度。ZK60N04NF作為一款聚焦實用化的N溝道MOS管，以60V耐壓、40A電流承載能力及DFN5*6封裝的精準組合，在消費電子、工業(yè)控制、新能源等領(lǐng)域的功率轉(zhuǎn)換電路中脫穎而出，成為平衡性能、成本與空間的核心元器件，彰顯了功率器件“按需定制”的研發(fā)理念。

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• 發(fā)布了文章 2025-11-05 11:40

  中科微電ZG2131：賦能單相系統(tǒng)的高耐壓驅(qū)動芯片新選擇

  

  ZG2131單相驅(qū)動芯片憑借300V高耐壓、10V-20V寬電源適配、1.0A/1.5A強勁驅(qū)動等核心優(yōu)勢，搭配SOP8緊湊封裝，在眾多驅(qū)動芯片中脫穎而出，成為小家電、工業(yè)控制、照明電源等領(lǐng)域的優(yōu)選方案，為單相系統(tǒng)的性能升級提供了有力支撐。

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• 發(fā)布了文章 2025-11-05 11:24

  中科微電ZK60N04NF：N溝槽MOS管中的場景適配專家

  

  在功率半導體的細分賽道中，MOS管的性能參數(shù)直接決定著電路系統(tǒng)的效率與可靠性。ZK60N04NF這款明確標注“N溝槽”屬性的MOS管，以60V額定電壓、40A額定電流與DFN5*6封裝的精準組合，成為銜接中低壓功率場景與工程實踐的關(guān)鍵元器件。它既承載著N溝槽結(jié)構(gòu)的天然優(yōu)勢，又通過參數(shù)優(yōu)化與封裝創(chuàng)新，在工業(yè)控制、汽車電子、消費電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出強勁的適配能力，為

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