在快充技術(shù)快速迭代的當(dāng)下，高效能與高可靠性成為電源設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)。泉州海川半導(dǎo)體推出的SM5501 30V N溝道功率MOSFET，以5.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、50A最大電流承載能力及6.2℃/W結(jié)殼熱阻的卓越性能，為快充行業(yè)提供了極具競(jìng)爭(zhēng)力的高性能解決方案。

卓越的負(fù)載開(kāi)關(guān)與電池保護(hù)性能

SM5501憑借其超低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，成為負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用的理想選擇。在負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，其5.8mΩ的RDS(ON)可顯著降低功率損耗，提升系統(tǒng)效率；50A的最大電流能力確保能夠處理大電流負(fù)載切換。

在電池保護(hù)電路中，SM5501的30V耐壓為鋰電池組提供安全裕量，快速響應(yīng)特性可及時(shí)切斷過(guò)流或短路故障，有效保護(hù)電池安全，延長(zhǎng)電池壽命。其低柵極電荷（12.8nC）確?？焖匍_(kāi)關(guān)，減少切換過(guò)程中的功率損耗，是BMS（電池管理系統(tǒng)）和負(fù)載管理電路的優(yōu)選器件。

真實(shí)數(shù)據(jù)見(jiàn)證實(shí)力

技術(shù)亮點(diǎn)：

1、先進(jìn)的溝槽技術(shù)：更高單元密度，實(shí)現(xiàn)更優(yōu)RDS(ON)面積比

2、封裝創(chuàng)新：PDFN3.3*3.3在緊湊尺寸下提供卓越的熱性能和電流能力

3、全面測(cè)試：100%雪崩和DVDS測(cè)試確保產(chǎn)品一致性

SM5501采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，在超小封裝內(nèi),在VGS=10V、ID=20A條件下，實(shí)現(xiàn)了驚人的5.8mΩ超低導(dǎo)通電阻。這意味著在20A電流下，其導(dǎo)通損耗比同類產(chǎn)品降低15-20%！

更令人印象深刻的是，這款MOSFET具備50A最大電流和184A脈沖電流能力，配合僅6.2℃/W的結(jié)殼熱阻,讓高功率快充設(shè)計(jì)不再為散熱問(wèn)題所困擾。

SM5501憑借其5.8mΩ超低導(dǎo)通電阻，為大電流快充應(yīng)用帶來(lái)革命性突破。在20A工作電流下，導(dǎo)通損耗較同類產(chǎn)品降低15-20%，顯著提升系統(tǒng)效率。其50A最大電流能力確保支持最新快充協(xié)議的大電流需求，即使是36W QC Class B或20V高壓輸出也能輕松應(yīng)對(duì)。

快速開(kāi)關(guān)特性（tr=10.8ns, tf=9.6ns）使SM5501特別適合高頻開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)，有效減少開(kāi)關(guān)損耗，提升系統(tǒng)響應(yīng)速度。結(jié)合低柵極電荷（12.8nC）特性，大幅降低驅(qū)動(dòng)損耗，為高效率快充設(shè)計(jì)提供堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

SM5501應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

SM5501不僅是高性能的功率MOSFET，更是海川半導(dǎo)體電源生態(tài)系統(tǒng)的重要組成部分。通過(guò)與海川半導(dǎo)體其他芯片優(yōu)化組合，為客戶提供：

?完整的快充解決方案：從協(xié)議識(shí)別到功率傳輸?shù)慕鉀Q方案；

?優(yōu)異的性能表現(xiàn)：高效率、低發(fā)熱、高可靠性；

?顯著的成本優(yōu)勢(shì)：降低系統(tǒng)總成本，提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力；

?便捷的開(kāi)發(fā)體驗(yàn)：參考設(shè)計(jì)、技術(shù)支持、供應(yīng)鏈保障。

SM5501及其配套解決方案特別適合追求高性能、高可靠性和高性價(jià)比的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)，是消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備和通信基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域的理想選擇。

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