動態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-10-17 16:11
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發(fā)布了文章 2025-09-30 15:59
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發(fā)布了文章 2025-09-18 16:41
【新品發(fā)布】海川SM5501-5.8mΩ超低內(nèi)阻MOSFET賦能50A大電流快充設(shè)計(jì)
在快充技術(shù)快速迭代的當(dāng)下,高效能與高可靠性成為電源設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)。泉州海川半導(dǎo)體推出的SM5501 30V N溝道功率MOSFET,以5.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、50A最大電流承載能力及6.2℃/W結(jié)殼熱阻的卓越性能,為快充行業(yè)提供了極具競爭力的高性能解決方案。889瀏覽量 -
上傳了資料 2025-09-18 16:38
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發(fā)布了文章 2025-09-06 15:28
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發(fā)布了文章 2025-07-26 16:20
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發(fā)布了文章 2025-07-05 17:39
SM5307:3C新規(guī)下移動電源的“安全芯”,破解充電寶自燃困局!
隨著民航局全國禁令生效及3C認(rèn)證改革,移動電源行業(yè)將加速向高合規(guī)性轉(zhuǎn)型。當(dāng)行業(yè)困于安全與兼容性兩難時(shí),SM5307以芯片級DCP+硬件級防護(hù)實(shí)現(xiàn)雙維合規(guī)——安全是底線,兼容是競爭力。550瀏覽量 -
上傳了資料 2025-07-05 17:15
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發(fā)布了文章 2025-07-05 16:54
突破LDO技術(shù)瓶頸!SM6206讓便攜設(shè)備續(xù)航與穩(wěn)定雙開掛!
在便攜式電子設(shè)備爆發(fā)式增長的今天,電源管理芯片(LDO)的性能直接決定了設(shè)備的續(xù)航、穩(wěn)定性與可靠性。傳統(tǒng)LDO面臨著低壓差下發(fā)熱嚴(yán)重、靜態(tài)功耗高、輸出精度不足等核心痛點(diǎn),如何在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn) “高效能+低功耗+高穩(wěn)定” 的平衡?SM6206作為新一代LDO芯片,以六大核心優(yōu)勢破解行業(yè)難題,成為電池供電設(shè)備的理想電源解決方案。366瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-06-21 17:47