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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

NAND Flash和NOR Flash哪個(gè)更好

在討論NAND Flash和NOR Flash哪個(gè)更好時(shí)，我們需要從多個(gè)維度進(jìn)行深入分析，包括它們的技術(shù)特性、應(yīng)用場(chǎng)景、成本效益以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)等。

2024-07-29 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 NAND FlaSh 3.2k 0

SSD常用術(shù)語(yǔ)的簡(jiǎn)單介紹

SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等，存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。NAND FLASH內(nèi)部存儲(chǔ)...

2024-01-02 標(biāo)簽：控制器 DRAM NAND 3.2k 0

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間...

2023-06-15 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)芯片蝕刻技術(shù) 3k 0

NAND里的LDO設(shè)計(jì)

我們當(dāng)然希望LDO的輸出準(zhǔn)確、負(fù)載（電流）變化時(shí)能夠快速響應(yīng)。

2023-06-19 標(biāo)簽：NAND 比較器電源電壓 3k 0

如何才能提高儲(chǔ)存器的良率控制

數(shù)據(jù)是人們生活中不可或缺的重要組成部分。受制于容量限制，人們往往需要定期地從設(shè)備上刪除“無(wú)用的”文件以釋放存儲(chǔ)空間。然而，許多人并沒(méi)有定期清理文件的習(xí)慣...

2020-01-27 標(biāo)簽：NAND Flash 儲(chǔ)存器 3k 0

pSLC閃存的原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng)，NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái)，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)...

2023-08-01 標(biāo)簽：閃存 NAND FlaSh 3k 0

NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗(yàn)證的關(guān)鍵元件

NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元（MLC），閃存可以為...

2023-05-25 標(biāo)簽：NAND MLC slc 2.9k 0

如何訪問(wèn)NAND內(nèi)存芯片并從中讀取數(shù)據(jù)?

在開始處理一體FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)之前，我們應(yīng)該警告你，一體FLASH器件焊接的整個(gè)過(guò)程很復(fù)雜，需要良好的焊接技能和特殊設(shè)備。如果您之前從未嘗試過(guò)焊接一...

2023-10-09 標(biāo)簽：pcb NAND 存儲(chǔ)卡 2.9k 0

如何根據(jù)NAND閃存特性選擇正確的閃存控制器

NAND閃存是一種大眾化的非易失性存儲(chǔ)器，主要是因?yàn)樾⌒?，低功耗且?jiān)固耐用。盡管此技術(shù)適合現(xiàn)代存儲(chǔ)，但在將其列入較大系統(tǒng)的一部分時(shí)，需要考慮許多重要特...

2020-12-18 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲(chǔ)技術(shù) 2.8k 0

大容量存儲(chǔ)器TC58DCG02A1FT00的引腳功能、特點(diǎn)及應(yīng)用分析

此外，NAND的實(shí)際應(yīng)用方式要比NOR復(fù)雜得多。NOR可以直接使用，并在上面直接運(yùn)行代碼。而NAND需要I/O接口，因此使用時(shí)需要驅(qū)動(dòng)程序。不過(guò)當(dāng)今流行...

2020-05-26 標(biāo)簽：nand 存儲(chǔ)器操作系統(tǒng) 2.8k 0

各種MRAM家族成員的挑戰(zhàn)和前景

磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM) 是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，它依靠?jī)蓚€(gè)鐵磁層的（相對(duì)）磁化狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)二進(jìn)制信息。多年來(lái)，出現(xiàn)了不同風(fēng)格的 MRAM 存儲(chǔ)...

2022-07-26 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 MRAM 2.8k 0

NAND Flash非易失存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦...

2022-11-10 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲(chǔ)器 2.7k 0

【GD32F303紅楓派開發(fā)板使用手冊(cè)】第二十講 SPI-SPI NAND FLASH讀寫實(shí)驗(yàn)

通過(guò)本實(shí)驗(yàn)主要學(xué)習(xí)以下內(nèi)容： ?SPI通信協(xié)議，參考19.2.1東方紅開發(fā)板使用手冊(cè) ?GD32F303 SPI操作方式，參考19.2.2東方紅開發(fā)板...

2024-06-20 標(biāo)簽：單片機(jī)NAND FlaSh 2.7k 0

基于NAND FLASH控制器的自啟動(dòng)方式實(shí)現(xiàn)SOC系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

本文所討論的NAND FLASH控制器是針對(duì)一款基于ARM7TDMI的SoC芯片，該控制器在芯片中的位置如圖1所示，作為AMBA總線上的一個(gè)從設(shè)備集成于...

2020-05-20 標(biāo)簽：控制器 nand flash 2.7k 0

基于K9K2G08存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)微型心電記錄儀的設(shè)計(jì)

常規(guī)心電圖記錄儀是醫(yī)生診斷心臟疾病的主要手段之一，但它僅能記錄短暫心搏情況。由于在相當(dāng)多的情況下難以記錄到即刻發(fā)作時(shí)的心電圖改變，導(dǎo)致無(wú)法作出正確的診斷和治療。

2021-04-14 標(biāo)簽：電源 nand 存儲(chǔ)器 2.7k 0

基于NAND Flash的閃存轉(zhuǎn)譯層設(shè)計(jì)

　本文設(shè)計(jì)了一種針對(duì)NAND型的閃存轉(zhuǎn)譯層，使NFTL完成地址映射和壞塊管理以及連續(xù)讀寫數(shù)據(jù)的操作。對(duì)NAND Flash的分區(qū)設(shè)計(jì)，使塊管理結(jié)構(gòu)清晰，...

2017-12-01 標(biāo)簽：nand flash 2.7k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)致態(tài)Ti600 2TB SSD評(píng)測(cè)分析

致態(tài)Ti600系列SSD采用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新一代NAND閃存顆粒，基于晶棧Xtacking 3.0架構(gòu)，再配合優(yōu)秀主控解決方案，可以達(dá)到7000M...

2023-09-27 標(biāo)簽：DRAM NAND SSD 2.7k 0

關(guān)于半導(dǎo)體價(jià)值鏈分析（設(shè)計(jì)、制造和后制造）

半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。

2024-02-19 標(biāo)簽：DRAM NAND 半導(dǎo)體制造 2.7k 0

一文帶你了解什么是SD NAND存儲(chǔ)芯片

前言：隨著國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)芯片的需求日益增加，國(guó)產(chǎn)中高端芯片在不斷的占領(lǐng)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)甚至在國(guó)際市場(chǎng)都有一部分，越來(lái)越多的企業(yè)開始研究自己的芯片，這個(gè)芯片的種類繁...

2024-11-13 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)SD NAND 2.7k 0

在M2M應(yīng)用中使用NOR和NAND閃存

　　物聯(lián)網(wǎng) （IoT）及其 M2M 產(chǎn)品將一些最令人興奮的電子技術(shù)進(jìn)步帶到了我們生活的最前沿。大多數(shù)新產(chǎn)品和豐富的 M2M 服務(wù)正在針對(duì) 3G 技術(shù)進(jìn)行擴(kuò)展。

2022-06-14 標(biāo)簽：NAND 物聯(lián)網(wǎng)調(diào)制解調(diào)器 2.6k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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