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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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NOR FLASH和NAND FLASH的應(yīng)用電路
首先,我要用這張圖來說明存儲(chǔ)器近70年的發(fā)展歷程,縱觀這70年的發(fā)展,可以發(fā)現(xiàn)主要是在容量,速度以及壽命等方面出現(xiàn)了飛躍式增長。
什么是內(nèi)存?內(nèi)存的工作原理 關(guān)于NOR和NAND的介紹和區(qū)別
什么是內(nèi)存呢?在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中,有一個(gè)很重要的部分,就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件,對(duì)于計(jì)算機(jī)來說,有了存儲(chǔ)器,才有記憶功能,才能保證...
近年來,向基于NAND閃存的存儲(chǔ)遷移和非易失性存儲(chǔ)器快車?(NVMe?)的引入,為技術(shù)公司以不同的方式"做存儲(chǔ)"增加了許多機(jī)會(huì)。實(shí)時(shí)...
3D NAND與2D NAND之間的區(qū)別聯(lián)系對(duì)比
如果用一個(gè)詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場(chǎng)的話,那么閃存顆粒絕對(duì)是會(huì)被提及的一個(gè)關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里,圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事,包括閃...
嵌入式 NAND flash文件系統(tǒng)JFFS2和YAFFS比較
JFFS1和JFFS2的設(shè)計(jì)中都考慮到了FLASH的特性特別是滿足了上述3個(gè)條件,包括了垃圾回收,壞塊管理等功能. 這兩種文件系統(tǒng)屬于LFS(Log-s...
NAND flash文件系統(tǒng)JFFS和YAFFS比較
JFFS1和JFFS2的設(shè)計(jì)中都考慮到了FLASH的特性特別是滿足了上述3個(gè)條件,包括了垃圾回收,壞塊管理等功能. 這兩種文件系統(tǒng)屬于LFS(Log-s...
全球每年的存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模在1600億美元左右,而且隨著高性能計(jì)算機(jī),服務(wù)器,邊緣計(jì)算,智能穿戴市場(chǎng),物聯(lián)網(wǎng)和車聯(lián)網(wǎng)全球市場(chǎng)規(guī)模的不斷做大,存儲(chǔ)器市場(chǎng)...
2023-07-03 標(biāo)簽:DRAMNAND物聯(lián)網(wǎng) 4.2k 0
如何在U-Boot中實(shí)現(xiàn)對(duì)Yaffs鏡像的設(shè)計(jì)?
U-Boot是目前廣泛使用的嵌入式操作系統(tǒng)通用引導(dǎo)程序,具有功能豐富強(qiáng)大,支持多種操作系統(tǒng)和CPU體系,易于功能擴(kuò)展和移植,源碼開放等多種優(yōu)點(diǎn)。U-Bo...
常見NAND閃存有哪些?5G的出現(xiàn)會(huì)使QLC大規(guī)模使用嗎
我們都知道固態(tài)硬盤采用閃存顆粒NAND Flash作為存儲(chǔ)介質(zhì),所以它是固態(tài)硬盤中最重要的構(gòu)成部分,其好壞也就決定著固態(tài)硬盤質(zhì)量的好壞,而我們目前常見的...
正點(diǎn)原子(DFRobot)是一家專業(yè)從事電子產(chǎn)品和開源硬件的創(chuàng)新設(shè)計(jì)、研發(fā)和制造的公司。它生產(chǎn)了許多先進(jìn)的存儲(chǔ)設(shè)備,包括eMMC(embedded Mu...
本文將以s3c2440為例詳細(xì)講述 arm 芯片的啟動(dòng)過程。s3c2440支持兩種啟動(dòng)模式:NAND FLASH 啟動(dòng)和非 NAND FLASH 啟動(dòng)(...
Micrium全家桶之uC-FS: 0x02 NAND FTL算法原理詳解
uC-FS的NAND驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)基于一篇論文:《KAST: K-Associative Sector Translation for NAND Flash ...
NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲(chǔ)中,具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。
NAND Flash與NOR Flash:壞塊管理需求的差異解析
NOR Flash和NAND Flash是兩種不同類型的閃存技術(shù),它們?cè)诖鎯?chǔ)單元的連接方式、耐用性、壞塊管理等方面存在差異。
并行Nand Flash的結(jié)構(gòu)和基本工作過程
引言:并行Nand Flash是中等容量存儲(chǔ)方案的理想選擇,相比于SPI Nand Flash,性能更優(yōu),但體積較大,使用并沒有后者廣泛,多使用在嵌入式...
引言:隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展,有許多具有串行外圍接口(SPI)的應(yīng)用需要更高密度的內(nèi)存解決方案來存儲(chǔ)大型程序系統(tǒng)和文件。對(duì)于這些應(yīng)用需求,基于Nand結(jié)構(gòu)...
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之...
相比PCRAM、eMVM,MRAM有何優(yōu)勢(shì)
雖然 PCRAM、MRAM、ReRAM 和 NRAM 等各種 NVM 技術(shù)具有相似的高級(jí)特征,但它們的物理渲染卻大相徑庭。這為每個(gè)人提供了自己的一系列...
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