nand

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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

深度解析存儲(chǔ)系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)

NAND FLASH是一種非易失性隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)介質(zhì)，基于浮柵(Floating Gate)晶體管設(shè)計(jì),通過(guò)浮柵來(lái)鎖存電荷,電荷被儲(chǔ) 存在浮柵中，在無(wú)...

2023-11-19 標(biāo)簽：閃存 NAND SSD 755 0

淺談FeRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng)情況

imec展示了一種基于鑭摻雜鋯酸鉿(La:HZO)的鐵電電容器。該電容器具有高耐久性（1011個(gè)周期）、高最終剩余極化強(qiáng)度（1.8MV/cm時(shí)2P R ...

2022-12-07 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 FeRAM 748 0

恩智浦i.MXRT1xxx系列MCU的Serial NAND啟動(dòng)

大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是恩智浦i.MXRT1xxx系列MCU的Serial NAND啟動(dòng)。

2023-08-21 標(biāo)簽：mcu NAND 恩智浦 682 0

CS創(chuàng)世SD NAND【貼片式sd卡】的測(cè)試使用說(shuō)明

今天收到了來(lái)自深圳市雷龍發(fā)展有限公司寄來(lái)的存儲(chǔ)卡，它是一款自帶壞塊管理的貼片式NAND Flash，適用于嵌入式系統(tǒng)。SD NAND尺寸小巧，支持SPI...

2025-02-17 標(biāo)簽：mcu NAND 存儲(chǔ)卡 681 0

分析師熱議美光并購(gòu)恒憶案

分析師熱議美光并購(gòu)恒憶案美光(Micron)以12.7億美元總價(jià)并購(gòu)恒憶(Numonyx)，為內(nèi)存產(chǎn)業(yè)版圖又創(chuàng)新局，究竟后續(xù)可能對(duì)市場(chǎng)影響為何，以下...

2010-02-24 標(biāo)簽：DRAM NAND 677 0

SN75452B 具有 NAND 邏輯輸入的 30V 雙輸出驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2025-05-15 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 NAND 緩沖器 675 0

韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)新型超低功耗存儲(chǔ)設(shè)備

DRAM是最常用的存儲(chǔ)器之一，速度非?？?，但具有易失性特性，當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)，數(shù)據(jù)會(huì)消失。NAND閃存是一種存儲(chǔ)設(shè)備，讀/寫(xiě)速度相對(duì)較慢，但它具有非易失性特...

2024-04-08 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 631 0

SN75374 10mA/40mA 4 通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

SN75374 是一個(gè)四通道 NAND 接口電路，旨在從 TTL 輸入驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET。它提供高速驅(qū)動(dòng)大型電容負(fù)載所需的高電流和電壓。輸出...

2025-05-22 標(biāo)簽：接口電路 MOSFET NAND 537 0

基于ZYNQ的創(chuàng)世SD NAND卡讀寫(xiě)TXT文本實(shí)驗(yàn)

在之前的介紹中，我們介紹了雷龍SDNAND卡的焊接以及用途。由于SDNAND卡具有容量大，操作簡(jiǎn)單，可插拔等的特點(diǎn)，經(jīng)常作為大容量的存儲(chǔ)介質(zhì)用來(lái)保存數(shù)據(jù)...

2025-09-22 標(biāo)簽：NAND Zynq 貼片tf卡 265 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
LPDDR4

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合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱(chēng)非易失性?xún)?nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線(xiàn)傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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3D NAND Flash

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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Arasan

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存儲(chǔ)行業(yè)

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快閃存儲(chǔ)器

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nosql

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
云盤(pán)

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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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V-NAND

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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