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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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發(fā)光二極管正負(fù)極接反會怎樣 發(fā)光二極管怎么接會亮
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)是一種用于發(fā)光的半導(dǎo)體器件。正常情況下,正極連接到正電壓,負(fù)極連接到負(fù)電壓,才能使LED正...
2024-02-05 標(biāo)簽:發(fā)光二極管并聯(lián)電路半導(dǎo)體器件 1.5萬 0
igbt和mos管怎么區(qū)分 igbt和mos管能互換嗎
igbt和mos管怎么區(qū)分 IGBT和MOS管是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件,用途廣泛,在各種電子設(shè)備中都會使用。雖然它們有一些相似之處,但也存在一些顯著的...
固態(tài)繼電器是一種使用半導(dǎo)體器件和電子元件實現(xiàn)的電子繼電器,可以實現(xiàn)電氣信號的隔離和控制功能。相比于傳統(tǒng)的機(jī)械式繼電器,固態(tài)繼電器具有結(jié)構(gòu)簡單、體積小、壽...
2024-01-11 標(biāo)簽:電磁兼容電子元件固態(tài)繼電器 1.5萬 0
變?nèi)荻O管有沒有正負(fù)極_如何判斷變?nèi)荻O管正負(fù)極
變?nèi)荻O管又稱“可變電抗二極管”,是利用pN結(jié)反偏時結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大,變?nèi)荻O管的電容量...
2018-01-25 標(biāo)簽:二極管變?nèi)荻O管半導(dǎo)體器件 1.5萬 0
然而,在實際應(yīng)用中,工程師們都會遇到一個相同的困惑:器件的選型著實令人頭疼。對此,小編感同身受。今天,我們就一起來看看MOSFET和IGBT之間的有哪些...
2022-01-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 1.4萬 0
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
2019-10-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1.4萬 0
在嵌入式軟件開發(fā)中,經(jīng)常需要根據(jù)硬件原理圖去進(jìn)行GPIO口配置;如果你硬件知識一點都不懂,那么在開發(fā)中遇到問題,你就很難初步判定是硬件的問題,還是軟件配...
半導(dǎo)體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢及瓶頸分析
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限,而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體器件 1.4萬 0
晶閘管各部分的摻雜濃度如圖4所示。其中與陽極和陰極相連的分別為重?fù)诫s的P+和N+層,與門極相連的重?fù)诫sP+層,此三層的厚度(在圖中體現(xiàn)為寬度)都較小,剩...
2018-05-23 標(biāo)簽:晶閘管半導(dǎo)體器件 1.4萬 0
雙向二極管,又稱為雙向整流二極管或雙向觸發(fā)二極管,是一種具有兩個方向?qū)щ娦缘陌雽?dǎo)體器件。它由兩個相互連接的二極管組成,一個正向?qū)щ?,一個反向?qū)щ姡虼丝?..
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
2017-10-09 標(biāo)簽:連接器半導(dǎo)體器件 1.3萬 0
mos是什么電子元件 如何建立mos管和電路的關(guān)系
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)是一種常見的電子元件,特別是在集成電路中廣泛使用。MOS是一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu),其中包括一個金...
GaN-HEMT器件的動態(tài)R DSon值測量實驗分析
GaN(氮化鎵)器件由于具有諸如高開關(guān)速度,更高的功率密度和效率之類的能力而在設(shè)計電源轉(zhuǎn)換器時變得越來越流行[2],[3],但是GaN器件的一個缺點是電...
2021-03-22 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器測量電路GaN 1.3萬 0
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)是一種半導(dǎo)體器件,具有發(fā)出可見光的特性。相比傳統(tǒng)的光源,LED具有低能耗、高亮度、高效率和...
車用MCU銷售額于2020年將逼近65億美元。面對如此龐大的汽車需求市場,在中美貿(mào)易摩擦態(tài)勢尚不明朗的當(dāng)下,對國產(chǎn)車規(guī)級MCU而言,如何在推進(jìn)國產(chǎn)化進(jìn)程...
2020-06-19 標(biāo)簽:mcu汽車電子半導(dǎo)體器件 1.2萬 1
三極管作為開關(guān)使用時,其基極-發(fā)射極間獲得正向偏置而進(jìn)入飽和區(qū),此時集電極電流達(dá)到飽和值,集電極與發(fā)射極間相當(dāng)于短路,電流可以經(jīng)過負(fù)載流通。相
用于定義晶圓表面特性的 TTV、彎曲和翹曲術(shù)語通常在描述晶圓表面光潔度的質(zhì)量時引用。首先定義以下術(shù)語以描述晶圓的各種表面。
2024-04-10 標(biāo)簽:電容傳感器晶圓半導(dǎo)體器件 1.2萬 1
SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景
本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景,其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題,最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 標(biāo)簽:sic半導(dǎo)體器件 1.2萬 1
LED(Light Emitting Diode)是一種半導(dǎo)體器件,經(jīng)常被用作照明、顯示和指示燈。為了驅(qū)動LED,需要使用LED驅(qū)動電源來提供穩(wěn)定的電流...
2024-02-27 標(biāo)簽:電流指示燈LED驅(qū)動電源 1.2萬 0
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