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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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晶閘管(Thyristor)是一種常用的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子和電路控制領(lǐng)域。它可以用作開關(guān)、穩(wěn)壓器、整流器等。在進(jìn)行詳細(xì)介紹晶閘管的導(dǎo)通條件和...
2024-03-12 標(biāo)簽:晶閘管導(dǎo)通半導(dǎo)體器件 6.2k 0
眾所周知,晶閘管的應(yīng)用十分廣泛,晶閘管是一種非常精密的半導(dǎo)體器件。在使用過程中,我們必須在其指定的范圍內(nèi)才能獲得所需要的輸出,但是由于過電壓、過電流等原...
2023-02-10 標(biāo)簽:電流晶閘管半導(dǎo)體器件 6.2k 0
固態(tài)繼電器(SSR)和可控硅(SCR)是兩種不同類型的電子器件,它們在電路中扮演著不同的角色。在本文中,我們將詳細(xì)介紹固態(tài)繼電器和可控硅的區(qū)別,包括它們...
2024-06-21 標(biāo)簽:可控硅固態(tài)繼電器電子器件 6.1k 0
PNP型晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。它由N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體組成,具有三個(gè)主要區(qū)域:發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。PNP型晶體管的工作區(qū)主要...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子器件中的半導(dǎo)體器件,其工作原理是通過改變柵極電壓來控制漏極和源極之間的電流。在MOSFE...
2024-07-31 標(biāo)簽:MOS管電子器件半導(dǎo)體器件 6k 0
在電子學(xué)中,飽和管壓降(saturation voltage drop)和導(dǎo)通電壓(turn-on voltage)是兩個(gè)重要的概念,它們描述了半導(dǎo)體器...
2024-09-19 標(biāo)簽:電流晶體管半導(dǎo)體器件 6k 0
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件(包括二極管、三極管、場效應(yīng)管、晶閘管等,有時(shí)特指雙極型器件),具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號...
2023-05-16 標(biāo)簽:二極管晶體管半導(dǎo)體器件 5.9k 0
場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。它具有三個(gè)主要的引腳:源極(Source)...
2024-07-14 標(biāo)簽:場效應(yīng)管引腳電子電路 5.8k 0
雙向瞬變抑制二極管(Bidirectional Transient Voltage Suppressor,簡稱TVS)是一種用于保護(hù)電子設(shè)備免受電壓瞬變...
2024-07-10 標(biāo)簽:電子設(shè)備額定電壓半導(dǎo)體器件 5.8k 0
當(dāng)帶電離子、電子或射線通過MOS結(jié)構(gòu)的硅和二氧化硅絕緣層時(shí),引起原子電離而產(chǎn)生電子—空穴對,在外加電場條件下,電子在1ps(1×10-12s)時(shí)間內(nèi)被電...
2024-02-27 標(biāo)簽:元器件電子系統(tǒng)MOS 5.8k 0
固態(tài)繼電器的接線方法 固態(tài)繼電器的優(yōu)點(diǎn)及缺點(diǎn)
固態(tài)繼電器(Solid State Relay,SSR)是一種用半導(dǎo)體器件代替?zhèn)鹘y(tǒng)的電磁繼電器實(shí)現(xiàn)控制的電器設(shè)備。相比于電磁繼電器,固態(tài)繼電器具有許多優(yōu)...
2024-01-30 標(biāo)簽:接線電動機(jī)固態(tài)繼電器 5.7k 0
氮化鎵GaN晶圓的制造流程及應(yīng)用領(lǐng)域
第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大,具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢。因此采用第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件能在更高的溫度下穩(wěn)定運(yùn)...
2023-02-05 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵半導(dǎo)體器件 5.7k 0
而GaN技術(shù)可以做到,因?yàn)樗悄壳叭蜃羁斓墓β书_關(guān)器件,并且可以在高速開關(guān)的情況下仍保持高效率水平,能夠應(yīng)用于更小的元件,應(yīng)用于充電器時(shí)可以有效縮小產(chǎn)...
2019-01-24 標(biāo)簽:充電器氮化鎵半導(dǎo)體器件 5.7k 0
紅外線是電磁波的一種,其波長范圍介于可見光與無線電波之間,為0.76~1000μm。根據(jù)大氣窗口、紅外應(yīng)用和探測器響應(yīng)等,紅外線可以進(jìn)一步劃分為近紅外線...
2023-07-20 標(biāo)簽:紅外線無線電波探測系統(tǒng) 5.6k 0
光電二極管是一種能夠?qū)⒐饽苻D(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件。它的工作原理基于光照射在半導(dǎo)體材料上時(shí),光子與材料中的電子相互作用,激發(fā)電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶,從而產(chǎn)生...
基于藍(lán)牙的HMI應(yīng)用可靠設(shè)計(jì)解決方案
工業(yè)設(shè)備HMI將給設(shè)計(jì)人員帶來巨大的挑戰(zhàn)。因?yàn)楫a(chǎn)品設(shè)計(jì)規(guī)格可能需要遵循標(biāo)準(zhǔn)的指導(dǎo),設(shè)備可能會受到物理尺寸的限制,并且可能需要為較大的設(shè)備配備控制裝置。工...
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。 ...
2023-03-03 標(biāo)簽:芯片MOSFET半導(dǎo)體器件 5.6k 0
光耦器件是一種利用光信號傳輸來實(shí)現(xiàn)電信號隔離的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于通信、電源、醫(yī)療、工業(yè)控制等領(lǐng)域。然而,光耦器件在使用過程中也可能出現(xiàn)失效問題,影響...
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