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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。
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單向可控硅(Silicon Controlled Rectifier,簡稱SCR)是一種半導體器件,具有單向?qū)щ娦院涂煽匦?。它可以看作是二極管和晶體管的...
可控硅,又稱為晶閘管(Thyristor),是一種半導體器件,主要用于電力電子領域中的功率控制。它具有單向?qū)щ娦?,可以控制較大的功率,廣泛應用于調(diào)速、調(diào)...
T3Ster結構函數(shù)應用-雙界面分離法測試RθJC(θJC)
半導體器件的結到殼之間的熱阻RθJC(θJC)是衡量器件從芯片到封裝表面外殼的熱擴散能力的參數(shù),是半導體器件最重要的熱性能參數(shù)之一,它必須被標注到器件尤...
高級封裝技術:創(chuàng)建接近單片互連性能的封裝上互連
在過去的幾年中,已經(jīng)發(fā)布了許多涉及用于半導體器件的高級封裝體系結構的公告。這些架構為產(chǎn)品設計人員提供了極大的靈活性,使其能夠異構集成在封裝上不同硅工藝上...
2021-04-01 標簽:信號完整性系統(tǒng)設計半導體器件 5.3k 0
雙向觸發(fā)二極管(Bidirectional Trigger Diode,簡稱BTD)是一種具有雙向?qū)ㄌ匦缘陌雽w器件,廣泛應用于電子電路中。 一、雙向...
晶閘管是一種四層三端半導體器件,由多層PN結組成。一個標準的晶閘管包含三個PN結,這些PN結交替排列,形成四個半導體區(qū)域:陽極區(qū)、陰極區(qū)以及兩個中間的區(qū)域。
從 20 世紀 80 年代 IGBT 被首次提出至今,IGBT 器件不斷朝著更低的正向?qū)▔航?、更小的開關損 耗方向發(fā)展;但是,鑒于 IGBT 器件的各...
光電二極管是一種將光信號轉換為電信號的半導體器件,其工作原理基于PN結的光電效應。 一、光電二極管的工作原理 PN結的光電效應 光電二極管的核心是PN結...
MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)是一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件。根據(jù)其導電特性,MOSFET可以分為增強型(Enhancemen...
場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種常見的半導體器件,廣泛應用于電子電路中。場效應管的工作原理是通過改變柵極電壓...
測量可控硅模塊的好壞是一項重要的工作,它可以幫助我們判斷可控硅模塊是否能夠正常工作,以及是否存在故障。 一、可控硅模塊的基本知識 可控硅模塊的定義 可控...
電力二極管屬于半導體器件,通常也被稱為功率二極管。它們主要用于高功率、高電壓和高頻率的電路中,用于控制和轉換電能。電力二極管具有低導通電阻、高擊穿電壓和...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應用于電力電子領域的功率半導體器件,具有高電壓、大電流、高頻率等特點。然而,在實際應用過程中,IGBT功率管發(fā)熱是...
雙向觸發(fā)二極管(Bidirectional Trigger Diode,簡稱BTD)是一種具有雙向?qū)ㄌ匦缘陌雽w器件,廣泛應用于電子電路中,如過壓保護...
二極管是一種半導體器件,具有單向?qū)щ娦浴K姆蔡匦郧€是描述二極管在不同電壓下電流變化的圖形。根據(jù)二極管的工作狀態(tài),伏安特性曲線可分為以下幾個區(qū): 截...
變頻器是利用電力半導體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。我們現(xiàn)在使用的變頻器主要采用交—直—交方式,先把工頻交流電通過整流器轉換成直...
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