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描述

CSD95378BQ5M NexFET?智能功率級(jí)的設(shè)計(jì)針對(duì)高功率，高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器中的使用進(jìn)行了高度優(yōu)化。這款產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器IC和功率MOSFET來(lái)完善功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。該組合可在
5mm x 6mm小型封裝中提供高電流，高效率的高速切換功能。它還集成了準(zhǔn)確電流感測(cè)和溫度感測(cè)功能，以前，PCB封裝已經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可幫助減少設(shè)計(jì)時(shí)間并簡(jiǎn)化總體系統(tǒng)設(shè)計(jì)的完成。

特性

60A持續(xù)運(yùn)行電流能力
電流30A時(shí)，系統(tǒng)效率為93.4％
電流30A時(shí)，低功耗損耗為2.8W
高頻工作（高達(dá)1.25MHz）
支持強(qiáng)制連續(xù)傳導(dǎo)模式（FCCM）的二極管仿真模式
溫度補(bǔ)償雙向電流感測(cè)
模擬溫度輸出（0°C時(shí)400mV）
故障監(jiān)控
- 高端短路，過(guò)流和過(guò)熱保護(hù)
3.3V和5V脈寬調(diào)制（PWM）信號(hào)兼容
三態(tài)PWM輸入
集成型自舉二極管
用于擊穿保護(hù)的經(jīng)優(yōu)化死區(qū)時(shí)間
高密度5mm×6mm SON封裝
超低電感封裝
系統(tǒng)已優(yōu)化的PCB封裝
符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn) - 無(wú)鉛引腳鍍層
無(wú)鹵素

所有商標(biāo)均為其所有各自所有者。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?功率 MOSFET 模塊

?
VDS (V)
Power Loss (W)
Ploss Current (A)
ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC (A)
Configuration
Package (mm)
Operating Temperature Range (C)
Pin/Package
?