動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-07-21 18:17

  全光譜橢偏儀測(cè)量：金屬/半導(dǎo)體TMDs薄膜光學(xué)常數(shù)與高折射率特性

  

  過渡金屬二硫族化合物（TMDs）因其獨(dú)特的激子效應(yīng)、高折射率和顯著的光學(xué)各向異性，在納米光子學(xué)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。本研究采用Flexfilm全光譜橢偏儀結(jié)合機(jī)械剝離技術(shù)，系統(tǒng)測(cè)量了多種多層TMD薄膜材料的光學(xué)常數(shù)。研究表明，半導(dǎo)體性TMD（如MoTe?）表現(xiàn)出極高的折射率（n∥≈4.84）和強(qiáng)雙折射（Δn≈1.54），而金屬性TMD（如TaS?）在近紅外波段

  TMDS 半導(dǎo)體 測(cè)量

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• 發(fā)布了文章 2025-07-21 18:17

  芯片制造中高精度膜厚測(cè)量與校準(zhǔn)：基于紅外干涉技術(shù)的新方法

  

  在先進(jìn)光學(xué)、微電子和材料科學(xué)等領(lǐng)域，透明薄膜作為關(guān)鍵工業(yè)組件，其亞微米級(jí)厚度的快速穩(wěn)定測(cè)量至關(guān)重要。芯片制造中，薄膜襯底的厚度直接影響芯片的性能、可靠性及功能實(shí)現(xiàn)，而傳統(tǒng)紅外干涉測(cè)量方法受機(jī)械振動(dòng)、環(huán)境光干擾及薄膜傾斜等因素限制，測(cè)量精度難以滿足高精度工業(yè)需求。為此，本研究提出一種融合紅外干涉與激光校準(zhǔn)的薄膜厚度測(cè)量新方法，旨在突破傳統(tǒng)技術(shù)瓶頸，實(shí)現(xiàn)更精準(zhǔn)、

  測(cè)量 芯片制造

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• 發(fā)布了文章 2025-07-21 18:17

  芯片制造中的膜厚檢測(cè) | 多層膜厚及表面輪廓的高精度測(cè)量

  

  隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和人工智能(AI)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體器件微型化，對(duì)多層膜結(jié)構(gòu)的三維無損檢測(cè)需求急劇增長(zhǎng)。傳統(tǒng)橢偏儀僅支持逐點(diǎn)膜厚測(cè)量，而白光干涉法等技術(shù)難以分離透明薄膜的多層反射信號(hào)。本文提出一種單次曝光光譜分辨干涉測(cè)量法，通過偏振編碼與光譜分析結(jié)合，首次實(shí)現(xiàn)多層膜厚度與3D表面輪廓的同步實(shí)時(shí)測(cè)量。并使用Flexfilm探針式臺(tái)階儀對(duì)新方法的檢測(cè)精度進(jìn)行驗(yàn)證。

  半導(dǎo)體 測(cè)量 芯片制造

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• 發(fā)布了文章 2025-07-21 18:17

  分光光度法結(jié)合進(jìn)化算法精確測(cè)定：金屬氧化物薄膜厚度與光學(xué)常數(shù)

  

  薄膜厚度和復(fù)折射率的測(cè)定通常通過橢圓偏振術(shù)或分光光度法實(shí)現(xiàn)。本研究采用Flexfilm大樣品倉(cāng)紫外可見近紅外分光光度計(jì)精確測(cè)量薄膜的反射率（R）和透射率（T）光譜，為反演光學(xué)參數(shù)提供高精度實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。該方法在太陽(yáng)能電池、傳感器等領(lǐng)域至關(guān)重要，解決了傳統(tǒng)優(yōu)化算法易陷入局部最優(yōu)、商業(yè)軟件依賴初始猜測(cè)敏感的問題。通過進(jìn)化算法（EAs）的群體搜索策略，實(shí)現(xiàn)了從350–

  傳感器 測(cè)定

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