AMC1106M05是一種精密的 δ-Σ （ΔΣ） 調(diào)制器，其輸出通過具有很強抗磁干擾能力的電容隔離柵與輸入電路隔開。

AMC1106的輸入級經(jīng)過優(yōu)化，可直接連接到多相電表中常用的分流電阻器或其他低壓電平信號源，以實現(xiàn)出色的交流和直流性能。該器件的低輸入電壓范圍為±50 mV，允許使用較小的分流電阻值來最大限度地降低功耗。使用適當(dāng)?shù)臄?shù)字濾波器對AMC1106的輸出比特流進行滅絕。MSP430F67x、TMS320F2807x 和 TMS320F2837x 微控制器以及 AMC1210 集成了這些數(shù)字濾波器，可與AMC1106無縫運行。
*附件：amc1106m05.pdf

在高側(cè)，調(diào)制器由
3.3 V或5 V電源（AVDD）供電。隔離式數(shù)字接口采用3.0V、3.3V或5V電源（DVDD）供電。

該AMC1106額定在–40°C至+125°C的擴展工業(yè)溫度范圍內(nèi)。

特性

• ±50mV 輸入電壓范圍經(jīng)過優(yōu)化，適用于使用分流電阻器的電流測量
• 曼徹斯特編碼或未編碼比特流選項
• 出色的直流性能，可在系統(tǒng)級進行高精度傳感：
  • 失調(diào)誤差和漂移：±50 μV，±1 μV/°C（最大值）
  • 增益誤差和漂移：±0.2%，±40 ppm/°C（最大值）
• 3.3V 工作電壓，可降低隔離柵兩側(cè)的功耗
• 系統(tǒng)級診斷功能

參數(shù)

方框圖

AMC1106M05 是小尺寸高精度基礎(chǔ)隔離 ΔΣ 調(diào)制器，專為三相電表等場景的分流電阻式電流檢測設(shè)計，具備 ±50 mV 輸入范圍、非編碼 CMOS 數(shù)字接口與高電磁干擾免疫力，適用于對尺寸和精度有嚴(yán)格要求的工業(yè)計量應(yīng)用。

核心參數(shù)與特性

• 性能規(guī)格 ：16 位分辨率，微分非線性（DNL）±0.99 LSB，積分非線性（INL）±5 LSB；偏移誤差最大 ±50 μV，偏移漂移最大 1 μV/°C，增益誤差最大 ±0.2%。
• 輸入與接口 ：差分輸入范圍 ±50 mV（最大鉗位電壓 ±64 mV），輸入阻抗 4.9 kΩ；采用非編碼 CMOS 輸出（帶施密特觸發(fā)器），外部時鐘輸入范圍 5 MHz-21 MHz（AVDD 4.5V-5.5V 時）。
• 隔離與抗干擾 ：基礎(chǔ)隔離等級，峰值隔離電壓 5657 VPK，1 分鐘耐壓 4000 VRMS；共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）最小 15 kV/μs，共模抑制比（CMRR）直流時達 -99 dB，電磁干擾免疫力強。
• 供電與功耗 ：模擬側(cè)供電（AVDD）3.0V-5.5V，數(shù)字側(cè)供電（DVDD）2.7V-5.5V；AVDD 3.0V-3.6V 時高側(cè)電流典型值 6.3 mA，DVDD 3.3V 時數(shù)字側(cè)電流典型值 3.3 mA，DVDD 5.5V 時典型值 3.9 mA。
• 封裝與環(huán)境 ：8 引腳 SOIC（DWV）封裝（5.85mm×7.50mm），工作溫度范圍 -40°C 至 +125°C，ESD 防護等級 HBM ±2000V、CDM ±1000V。

關(guān)鍵功能說明

• 調(diào)制與濾波 ：二階 ΔΣ 調(diào)制器輸出 1 位比特流，需搭配外部數(shù)字濾波器（如 sinc3 濾波器） decimation 處理，過采樣率（OSR）256 時可實現(xiàn)優(yōu)異動態(tài)性能。
• 故障安全與過范圍輸出 ：模擬側(cè)供電（AVDD）缺失時，DOUT 輸出穩(wěn)定低電平；輸入超量程時，每 128 個時鐘周期輸出一個特定比特，區(qū)分供電故障與滿量程輸入。
• 抗干擾與診斷 ：具備共模過壓檢測功能，共模電壓超閾值時輸出穩(wěn)定高電平；輸入采用斬波穩(wěn)定差分放大器，降低偏移與漂移，提升長期穩(wěn)定性。
• 隔離傳輸 ：采用基于二氧化硅的電容隔離屏障，通過開關(guān)鍵控（OOK）調(diào)制方案傳輸比特流，抗磁場干擾能力強，減少輻射發(fā)射。

典型應(yīng)用場景

適用于三相電表的分流電阻式電流檢測，也可用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的高精度電流采樣，適配 MSP430F67x、TMS320F2807x/F2837x 等 MCU 的內(nèi)置數(shù)字濾波器模塊（SD24_B/SDFM），支持多通道同步采樣。

應(yīng)用設(shè)計要點

• 電源與去耦 ：AVDD 和 DVDD 引腳均需外接 0.1 μF 低 ESR 陶瓷去耦電容，可追加 1 μF-10 μF 電容增強濾波，電容需靠近引腳放置。
• 布局建議 ：嚴(yán)格保持引腳間爬電距離與電氣間隙≥8.5 mm；分流電阻貼近模擬輸入引腳（AINP/AINN），且走線對稱；模擬區(qū)域與數(shù)字區(qū)域分離，減少干擾。
• 輸入配置 ：電流檢測時直接連接低阻抗分流電阻，確保額定電流下電壓降不超過 ±50 mV；建議在輸入前端添加 RC 濾波器，提升抗電磁干擾能力。
• 時鐘與同步 ：多通道應(yīng)用時需同步外部時鐘（CLKIN），占空比保持在 40%-60%；接口啟動時間為 32 個 CLKIN 周期，模擬啟動時間 0.5 ms，需預(yù)留足夠啟動時間。