AMC3306M25是一款精密隔離式三角積分 （ΔΣ） 調(diào)制器，針對基于分流的電流測量進行了優(yōu)化。完全集成的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器允許從器件的低側(cè)進行單電源作，這使該器件成為空間受限應用的獨特解決方案。增強型電容隔離柵已通過 VDE V 0884-11 和 UL1577 認證，支持高達 1.2 kV 的工作電壓 有效值 .
*附件：amc3306m25.pdf

隔離柵將系統(tǒng)中在不同共模電壓電平下運行的部分分開，并保護低壓側(cè)免受危險電壓和損壞。

AMC3306M25的輸入經(jīng)過優(yōu)化，可直接連接到低阻抗分流電阻或其他低信號電平的低阻抗電壓源。出色的直流精度和低溫度漂移支持在 –40°C 至 +125°C 的擴展工業(yè)溫度范圍內(nèi)進行精確的電流測量。

通過使用數(shù)字濾波器（例如 sinc^3^濾波器）來抽取比特流，該器件可以在 78 kSPS 的數(shù)據(jù)速率下實現(xiàn) 16 位分辨率，動態(tài)范圍為 85 dB。

特性

• 3.3V 或 5V 單電源，集成 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
• ±250mV 輸入電壓范圍經(jīng)過優(yōu)化，適用于使用分流電阻的電流測量
• 低直流誤差：
  • 失調(diào)誤差：±50 μV （最大值）
  • 失調(diào)漂移：±1 μV/°C（最大值）
  • 增益誤差：±0.2%（最大值）
  • 增益漂移：±35 ppm/°C（最大值）
• 高 CMTI：75 kV/μs（最小值）
• 系統(tǒng)級診斷功能
• 低 EMI：符合 CISPR-11 和 CISPR-25 標準
• 安全相關(guān)認證：
  • 6000伏峰根據(jù) DIN VDE V 0884-11 的強化隔離
  • 4250伏有效值根據(jù) UL1577 隔離 1 分鐘
• 在擴展的工業(yè)溫度范圍內(nèi)完全額定：–40°C 至 +125°C

參數(shù)

方框圖

AMC3306M25 是德州儀器推出的高精度、帶集成 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的增強型隔離 ΔΣ 調(diào)制器，核心優(yōu)勢為低直流誤差、高隔離性能及強抗干擾能力，專為分流電阻電流測量場景設計。

核心參數(shù)與特性

1. 精度表現(xiàn)：輸入電壓范圍 ±250 mV，失調(diào)誤差最大 ±50 μV，失調(diào)漂移最大 ±1 μV/°C；增益誤差最大 ±0.2%，增益漂移最大 ±35 ppm/°C，DC 精度優(yōu)異。
2. 隔離與抗干擾：符合 DIN VDE V 0884-11 和 UL1577 標準，強化隔離電壓達 6000 V 峰值，工作電壓最高 1.2 kV RMS；共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）最小 75 kV/μs，EMI 滿足 CISPR-11 和 CISPR-25 標準。
3. 供電與集成：支持 3.3 V 或 5 V 單電源供電，集成隔離 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，無需額外高壓側(cè)電源；高低壓側(cè)均含 LDO，高壓側(cè) LDO 可向外提供有限輔助電流（最高 1 mA，85℃以上線性降額）。
4. 環(huán)境與封裝：工作溫度范圍 - 40°C 至 + 125°C，采用 16 引腳 SOIC 封裝（10.30 mm×7.50 mm），適合空間受限的工業(yè)應用。

功能模塊詳解

• 模擬輸入：全差分輸入設計，差分輸入阻抗 22 kΩ，支持 ±320 mV 鉗位電壓，需通過 INN 與 HGND 建立直流通路以定義共模電壓。
• ΔΣ 調(diào)制器：二階開關(guān)電容前饋架構(gòu)，將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字比特流，通過過采樣（OSR）和數(shù)字濾波（如 sinc3 濾波器）可實現(xiàn) 16 位分辨率，動態(tài)范圍 85 dB（78 kSPS 時）。
• 隔離傳輸：采用基于 SiO?的雙電容隔離屏障和片上變壓器供電隔離，通過開關(guān)鍵控（OOK）調(diào)制方案傳輸比特流，載波頻率標稱 480 MHz。
• 診斷與保護：DIAG 引腳為低電平有效開漏輸出，監(jiān)測高壓側(cè)供電欠壓、數(shù)據(jù)傳輸異常等故障；全量程輸入時輸出特定標識比特，便于系統(tǒng)區(qū)分有效信號與供電失效。

應用場景

適用于保護繼電器、電機驅(qū)動器、電源供應器、光伏逆變器等設備中的緊湊型隔離分流式電流檢測，尤其適配高共模電壓環(huán)境下的精準電流測量需求。

設計要點

1. 外圍配置：分流電阻選型需確保額定電流下電壓降不超過 ±250 mV（線性范圍），過流時不超過 ±320 mV（鉗位電壓）；輸入側(cè)建議添加對稱 RC 差分濾波器，提升信噪比。
2. 供電與去耦：VDD 引腳需就近放置 1 nF 和 1 μF 去耦電容，DC/DC 轉(zhuǎn)換器高低壓側(cè)分別配置 100 nF、1 nF 等低 ESR 電容，確保供電穩(wěn)定性。
3. 布局規(guī)范：分流電阻應靠近 INP/INN 引腳，布線對稱；隔離區(qū)域需滿足≥8 mm 爬電距離和電氣間隙要求，HGND 單獨布線至分流電阻，避免直接短接 INN。
4. 信號處理：比特流需搭配外部數(shù)字濾波器（如 TI C2000/Sitara MCU 的 SDFM 模塊），OSR=256 時性能最優(yōu)，可通過濾波器計算器優(yōu)化參數(shù)。