仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向 40V 低壓大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，憑借超低導通電阻、300A 超大電流承載能力及 TOLL-8L 小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、無人機等大功率場景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應用等維度展開說明。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：40V
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=4.5V\)時典型值2mΩ，\(V_{GS}=10V\)時典型值1.05mΩ
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：300A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）

二、核心特性

• 超低導通電阻與大電流密度：采用先進超級溝槽（Super trench）單元設計，在 40V 耐壓下實現(xiàn)毫歐級超低導通電阻，300A 連續(xù)電流承載能力適配高功率密度場景；
• 小型化封裝：采用TOLL-8L表面貼裝封裝，適配高密度電路板的空間約束，每卷 2000 片，滿足批量生產需求；
• 高魯棒性設計：單脈沖雪崩能量達1320mJ，脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達 900A，可應對負載短時超大電流沖擊；
• 高頻開關適配：動態(tài)電容（輸入、輸出、反向傳輸電容）優(yōu)化，開關時間（導通延遲、上升 / 下降時間）達納秒級，適合高頻 PWM 控制。

三、關鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V；
• 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：900A；
• 最大功耗（\(P_D\)）：4000W；
• 結到環(huán)境熱阻（\(R_{JA}\)）：0.25℃/W；
• 工作 / 存儲結溫范圍：-55~+150℃；
• 閾值電壓（\(V_{GS(th)}\)）：1.7~3.0V；
• 動態(tài)電容（典型值）：輸入電容（\(C_{iss}\)）3725pF，輸出電容（\(C_{oss}\)）131pF；
• 開關時間（典型值）：導通延遲（\(t_{d(on)}\)）14ns，上升時間（\(t_r\)）170ns，關斷延遲（\(t_{d(off)}\)）149ns，下降時間（\(t_f\)）170ns。

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：TOLL-8L 表面貼裝封裝，適配小型化、高功率密度的電源與動力系統(tǒng)設計；
• 典型應用：
  • 高功率系統(tǒng)逆變器：在工業(yè)或新能源領域的逆變器中作為功率開關，低損耗特性提升能量轉換效率；
  • 輕型電動車與無人機：為電動摩托車、無人機的動力系統(tǒng)提供大電流功率控制，保障動力輸出與系統(tǒng)可靠性。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。）