ROHM（羅姆半導體）宣布，作為半導體行業(yè)引領創(chuàng)新的主要企業(yè)，發(fā)布基于下一代800 VDC架構的AI數(shù)據中心用的先進電源解決方案白皮書。

本白皮書作為2025年6月發(fā)布的“羅姆為英偉達800V HVDC架構提供高性能電源解決方案”合作新聞中的組成部分，詳細闡述了羅姆為AI基礎設施中的800 VDC供電系統(tǒng)提供強力支持的理想電源解決方案。

800 VDC架構是高效且可擴展性強的供電系統(tǒng)，因其可助力實現(xiàn)千兆瓦級AI工廠而有望為未來數(shù)據中心設計帶來革命性轉變。

羅姆不僅提供硅（Si）功率元器件，還提供包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等在內的豐富的功率元器件產品群，而且是世界上少數(shù)擁有模擬IC（控制IC和電源IC，可以更大程度地激發(fā)出這些功率元器件的性能）技術開發(fā)能力的企業(yè)之一。

本白皮書不僅介紹了羅姆引以為傲的豐富的功率元器件和模擬IC技術，還介紹了熱設計等各種仿真、電路板設計以及實際應用案例等綜合電源解決方案。

＜白皮書點擊這里＞

＜本白皮書的要點＞
?在AI數(shù)據中心，每個機架的功耗激增，導致以往48V/12V的直流供電方式已接近極限。
?向800 VDC架構轉型，將會顯著提升數(shù)據中心的效率、功率密度及可持續(xù)發(fā)展能力。
?在800 VDC架構下，以往在服務器機架內進行的從交流電向直流電的轉換（PSU），將改為在獨立的電源機架內進行。
?對于800 VDC架構而言，SiC和GaN器件不可或缺。電源機架部分的AC/DC轉換單元因移至IT機架外部，使得可實現(xiàn)更高效率的拓撲變得尤為重要。另一方面，IT機架部分的DC/DC轉換單元，為提高其GPU集成度而采用可實現(xiàn)高功率密度的結構也非常重要。
?在各轉換單元（如從交流電向800V直流電的轉換，或IT機架部分從800V直流電的降壓）中，可支持800 VDC架構的拓撲通過采用羅姆推薦的SiC和GaN器件，可實現(xiàn)更高效率、更低噪聲及外圍元器件小型化，進而使功率密度得以大幅提升。
?羅姆的EcoSiC?系列產品以業(yè)界超低導通電阻著稱，其產品陣容中包括適用于AI服務器的頂部散熱型模塊等產品，非常有助于提升功率密度。另外，羅姆的EcoGaN?系列通過融合超高速脈沖控制技術"Nano Pulse Control?"、以及可更大程度地激發(fā)GaN性能的模擬IC技術，實現(xiàn)了穩(wěn)定的高頻控制和柵極驅動，并已在市場上獲得高度好評。

向800V VDC架構的轉型意義重大，需要全行業(yè)的協(xié)同合作。羅姆作為實現(xiàn)下一代AI工廠的重要合作伙伴，不僅持續(xù)與NVIDIA等業(yè)界領導者保持緊密協(xié)作，還將與數(shù)據中心運營商及電源制造商開展深度合作。例如，羅姆于2022年就已經與臺達電子達成“電源系統(tǒng)用功率元器件戰(zhàn)略合作伙伴關系”。羅姆將通過提供自身擅長的SiC和GaN等寬禁帶半導體的先進技術，為構建可持續(xù)且高能效的數(shù)字化社會貢獻力量。

關于EcoSiC?

EcoSiC?是采用了因性能優(yōu)于硅（Si）而在功率元器件領域備受關注的碳化硅（SiC）的元器件品牌。從晶圓生產到制造工藝、封裝和品質管理方法，ROHM一直在自主開發(fā)SiC產品升級所必需的技術。另外，ROHM在制造過程中采用的是一貫制生產體系，已經確立了SiC領域先進企業(yè)的地位。
?EcoSiC?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

關于EcoGaN?

EcoGaN?是通過更大程度地發(fā)揮GaN的性能，助力應用產品進一步節(jié)能和小型化的ROHM GaN器件，該系列產品有助于應用產品進一步降低功耗、實現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數(shù)量等。
?EcoGaN?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

關于EcoMOS?

EcoMOS?是ROHM開發(fā)的Si功率MOSFET品牌，非常適用于功率元器件領域對節(jié)能要求高的應用。EcoMOS?產品陣容豐富，已被廣泛用于家用電器、工業(yè)設備和車載等領域?？蛻艨筛鶕眯枨?，通過噪聲性能和開關性能等各種參數(shù)從產品陣容中選擇產品。
?EcoMOS?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

審核編輯 黃宇