該AFE10004是一款高度集成的自主功率放大器（PA）精密模擬前端（AFE），包括四個(gè)溫度補(bǔ)償數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）、集成EEPROM和柵極偏置開關(guān)。四個(gè)DAC由存儲(chǔ)在內(nèi)部EEPROM中的四個(gè)獨(dú)立的用戶定義的溫壓傳遞函數(shù)進(jìn)行編程，無(wú)需額外的外部電路即可校正任何溫度影響。啟動(dòng)后，該器件無(wú)需系統(tǒng)控制器干預(yù)即可運(yùn)行，為控制應(yīng)用中的偏置電壓設(shè)置和補(bǔ)償提供完整的系統(tǒng)。
*附件：afe10004.pdf

該AFE10004具有四個(gè)柵極偏置輸出，可通過(guò)專用控制引腳打開和關(guān)閉。柵極偏置開關(guān)設(shè)計(jì)用于快速響應(yīng)。與器件PA_ON引腳相結(jié)合，這種快速響應(yīng)可實(shí)現(xiàn)正確的功率排序和耗盡型晶體管（如 GaAs 和 GaN）的保護(hù)。

功能集成和寬工作溫度范圍使該AFE10004成為射頻系統(tǒng)中功率放大器的一體化自主偏置控制電路的絕佳選擇。靈活的 DAC 輸出范圍和內(nèi)置排序功能使該器件可用作各種晶體管技術(shù)（例如 LDMOS、GaAs 和 GaN）的偏置控制器。請(qǐng)聯(lián)系 TI 銷售人員獲取完整數(shù)據(jù)表。

特性

• 本地和遠(yuǎn)程二極管溫度傳感器
  • ±2.5°C精度，最高
  • 0.0625°C 分辨率
• 用于自主運(yùn)行的內(nèi)部EEPROM
  • 四個(gè)獨(dú)立的傳遞函數(shù)存儲(chǔ)
  • 設(shè)備配置存儲(chǔ)
  • 用戶存儲(chǔ)的開放空間
• 四個(gè)模擬輸出
  • 四個(gè)單調(diào)DAC：1.22 mV分辨率
  • 自動(dòng)配置的輸出范圍：
    • 正輸出電壓：5.5 V，最大值
    • 負(fù)輸出電壓：–10 V，最小值
  • 大電流驅(qū)動(dòng)能力：
    • 高達(dá) 100 mA 的電源
    • 灌電流高達(dá) 20 mA
  • 高容性負(fù)載容限：高達(dá) 15 μF
• 柵極偏置開和關(guān)控制開關(guān)
  • 兩個(gè)可編程關(guān)斷電壓
    • 兩個(gè)輔助DAC：1.22mV分辨率
  • 快速開關(guān)時(shí)間：50 ns，典型值
  • 低電阻：3 Ω，最大
• 內(nèi)置排序控制
• 內(nèi)部2.5V基準(zhǔn)電壓源
• SPI 和我^2^C 接口：1.7V 至 3.6V 工作電壓
  • SPI：4線接口
  • 我^2^C：八個(gè)可選從地址
• 指定溫度范圍：–40°C 至 +125°C
• 工作溫度范圍 –40°C 至 +150°C

參數(shù)

方框圖

AFE10004 是德州儀器推出的 4 通道功率放大器精密模擬前端（AFE），核心優(yōu)勢(shì)為高集成度、自主溫控補(bǔ)償與快速柵極偏置控制，專為 RF 功率放大器（PA）偏置應(yīng)用設(shè)計(jì)，適配多種晶體管技術(shù)。

核心參數(shù)與特性

• 輸出與精度：4 個(gè)單調(diào) DAC 通道，分辨率 1.22 mV；輸出電壓范圍 - 10 V 至 5.5 V，支持源電流最大 100 mA、灌電流最大 20 mA，容性負(fù)載耐受度達(dá) 15 μF。
• 溫度傳感：集成本地 / 遠(yuǎn)程二極管溫度傳感器，精度最高 ±2.5°C，分辨率 0.0625°C，支持溫度補(bǔ)償算法。
• 控制與切換：內(nèi)置柵極偏置開關(guān)，切換時(shí)間典型 50 ns，導(dǎo)通電阻最大 3 Ω；支持 2 種可編程關(guān)斷電壓，配備 2 個(gè)輔助 DAC（分辨率 1.22 mV）。
• 供電與接口：支持 1.7 V-3.6 V 接口供電，兼容 SPI（4 線）與 I2C（8 種可選從機(jī)地址）通信；工作溫度 - 40°C-125°C，存儲(chǔ)溫度 - 40°C-150°C。
• 封裝規(guī)格：24 引腳 VQFN 封裝（4mm×4mm），符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，MSL 等級(jí) 3（260°C 回流焊 168 小時(shí)）。

關(guān)鍵功能設(shè)計(jì)

• 自主運(yùn)行能力：內(nèi)置 EEPROM，可存儲(chǔ) 4 組獨(dú)立溫度 - 電壓傳輸函數(shù)、設(shè)備配置參數(shù)及用戶自定義數(shù)據(jù)，上電后無(wú)需控制器干預(yù)即可自主工作。
• 偏置 sequencing 控制：通過(guò) PA_ON 引腳與柵極開關(guān)配合，實(shí)現(xiàn)功率放大器的正確上電時(shí)序，保護(hù) GaAs、GaN 等耗盡型晶體管。
• 多晶體管適配：靈活的輸出范圍與偏置配置，兼容 LDMOS、GaAs、GaN 等多種晶體管技術(shù)，適配不同 PA 的偏置需求。

典型應(yīng)用場(chǎng)景

• 射頻通信：雷達(dá)、電子戰(zhàn)設(shè)備、通信載荷、國(guó)防無(wú)線電，滿足高可靠性偏置控制需求。
• 無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施：大規(guī)模 MIMO（AAS）有源天線系統(tǒng)、戶外回程單元，適配惡劣工作環(huán)境。

設(shè)計(jì)與使用建議

• 接口配置：根據(jù)系統(tǒng)需求選擇 SPI 或 I2C 通信，I2C 需注意從機(jī)地址配置避免沖突；建議為通信引腳添加下拉電阻，提升穩(wěn)定性。
• 電源與去耦：模擬電源與數(shù)字電源需獨(dú)立供電，就近并聯(lián)低 ESR 去耦電容；輸出引腳建議添加 RC 濾波，優(yōu)化輸出紋波。
• 溫度補(bǔ)償：利用 EEPROM 存儲(chǔ)不同溫度下的偏置電壓校準(zhǔn)數(shù)據(jù)，通過(guò)溫度傳感器實(shí)時(shí)調(diào)整 DAC 輸出，抵消溫度對(duì) PA 性能的影響。
• 布局注意：柵極偏置開關(guān)走線需短而粗，減少寄生電感；溫度傳感器走線遠(yuǎn)離熱源，確保測(cè)溫精度。