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英飛凌推出專為高功率與計算密集型應用而設計的400V和440V MOSFET

電子行業(yè)新聞 ? 來源:電子行業(yè)新聞 ? 作者:電子行業(yè)新聞 ? 2025-10-31 11:00 ? 次閱讀
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【2025年10月24日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)通過增加頂部散熱(TSC)的TOLT封裝及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC?400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外,英飛凌還推出了三款額定電壓為440V(連續(xù))和455V(瞬態(tài))的TOLL封裝新產(chǎn)品。新的CoolSiC? MOSFET具有更優(yōu)的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度。其專為滿足高功率與計算密集型應用需求而設計,涵蓋了AI服務器電源、光伏逆變器、不間斷電源、D類音頻放大器、電機驅(qū)動、固態(tài)斷路器等領域。這款新產(chǎn)品可為這些關鍵系統(tǒng)提供所需的可靠性與性能。

與傳統(tǒng)的250V和300V電壓等級的硅(Si)技術相比,CoolSiC? G2 400V和440V MOSFET在120°C工作溫度下的導通損耗可降低多達50%,這歸功于其導通電阻R(DS(on)隨結溫(Tj)變化的平穩(wěn)表現(xiàn)。此外,其開關性能指標顯著提升,反向恢復電荷相比傳統(tǒng)技術減少了至少五倍。在系統(tǒng)層面,CoolSiC? G2 400V和440V MOSFET用于三電平飛跨電容CCM圖騰柱PFC ,相較于交錯式兩電平CCM圖騰柱PFC電路,峰值電源效率提升最高可達0.4%,相當于峰值效率下系統(tǒng)損耗減少約15%。

供貨情況

CoolSiC? MOSFET 400V和440V G2產(chǎn)品組合現(xiàn)已上市。

關于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動低碳化和數(shù)字化進程。該公司在全球擁有約58,060名員工(截至2024年9月底),在2024財年(截至9月30日)的營收約為150億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國的OTCQX國際場外交易市場上市(股票代碼:IFNNY)。

英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來,英飛凌的業(yè)務取得非常迅速的增長,在中國擁有約3,000多名員工,已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋生產(chǎn)、銷售、市場、技術支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,并在銷售、技術應用支持、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。


審核編輯 黃宇

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