該DAC63202W是一款 12 位、雙通道、緩沖、電壓輸出和電流輸出智能數(shù)模轉(zhuǎn)換器 （DAC）。DAC63202W器件支持Hi-Z掉電模式和斷電條件下的Hi-Z輸出。DAC輸出提供力檢測選項(xiàng)，用作可編程比較器和電流吸收器。多功能 GPIO、功能生成和可編程非易失性存儲(chǔ)器 （NVM） 使這些智能 DAC 能夠?qū)崿F(xiàn)無處理器應(yīng)用和設(shè)計(jì)重用。該器件可自動(dòng)檢測I2C、SPI和PMBus接口，并包含內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源。

該智能DAC的功能集與微型封裝和低功耗相結(jié)合，是電壓裕量和縮放、用于偏置和校準(zhǔn)的直流設(shè)定點(diǎn)以及波形生成等應(yīng)用的絕佳選擇。
*附件：dac63202w.pdf

特性

• 具有靈活配置的可編程電壓或電流輸出：
  • 電壓輸出：
    • 1LSB DNL
    • 收益為 1 ×、1.5 ×、2 ×、3 ×和 4 ×
  • 電流輸出：
    • 1LSB INL 和 DNL（8 位）
    • ±25μA、±50μA、±125μA、±250μA輸出范圍選項(xiàng)
• 適用于所有通道的可編程比較器模式
• VDD關(guān)閉時(shí)的高阻抗輸出
• 高阻抗和電阻下拉掉電模式
• 50MHz SPI 兼容接口
• 自動(dòng)檢測 I2C、SPI 或 PMBus? 接口
  • 1.62V VIH，VDD = 5.5V
• 通用輸入/輸出 （GPIO） 可配置為多種功能
• 預(yù)定義波形生成：正弦波、余弦波、三角波、鋸齒波
• 用戶可編程非易失性存儲(chǔ)器 （NVM）
• 內(nèi)部、外部或電源作為參考
• 工作范圍廣：
  • 電源：1.8V 至 5.5V
  • 溫度：–40°C 至 +125°C
• 小包裝：
  • 16 引腳 DSBGA：1.76mm × 1.76mm，標(biāo)稱值

參數(shù)

方框圖

DAC63202W 是德州儀器（Texas Instruments）推出的 12 位雙通道智能數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC），主打電壓 / 電流雙輸出模式、自動(dòng)協(xié)議檢測與可編程波形生成功能，適配光模塊、高性能計(jì)算、筆記本電腦等場景的電源電壓調(diào)節(jié)、信號(hào)校準(zhǔn)與故障監(jiān)測需求。其核心優(yōu)勢在于高集成度（內(nèi)置基準(zhǔn)、NVM、比較器）與靈活的功能擴(kuò)展，結(jié)合小尺寸與寬環(huán)境適應(yīng)性，成為精密模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換的高效解決方案。以下從核心特性、性能參數(shù)、功能模塊、應(yīng)用設(shè)計(jì)及使用信息等方面展開總結(jié)。

一、核心特性與產(chǎn)品定位

1. 基礎(chǔ)參數(shù)與架構(gòu)

• 分辨率與通道配置 ：12 位分辨率雙通道 DAC，每通道獨(dú)立支持電壓輸出（0-VDD）或電流輸出（±25μA/±50μA/±125μA/±250μA 可選），集成 4 路比較器輸入（FB0-FB1 復(fù)用）與 1 路多功能 GPIO，支持比較器、波形生成等擴(kuò)展功能。
• 低功耗與寬電壓 ：工作電壓 1.8V-5.5V，電壓輸出模式靜態(tài)電流典型值 150μA / 通道，電流輸出模式低至 42μA / 通道（±25μA 量程）；內(nèi)部集成低壓差穩(wěn)壓器（LDO），CAP 引腳需外接 1.5μF 旁路電容保障穩(wěn)定性。
• 高集成度 ：內(nèi)置 1.21V 高精度電壓基準(zhǔn)（溫度漂移最大 50ppm/°C）、非易失性存儲(chǔ)器（NVM）、可編程比較器與波形生成器，支持參數(shù)掉電保存與獨(dú)立故障管理，減少外部元器件數(shù)量。

2. 環(huán)境適應(yīng)性與可靠性

• 工作溫度 ：-40°C 至 125°C（結(jié)溫最高 150°C），滿足工業(yè)級(jí)寬溫需求，適配惡劣環(huán)境下的精密信號(hào)轉(zhuǎn)換。
• ESD 防護(hù) ：人體放電模型（HBM）±2000V，帶電器件模型（CDM）±500V，符合 JEDEC 抗靜電標(biāo)準(zhǔn)，降低裝配與使用過程中的損壞風(fēng)險(xiǎn)。
• 封裝規(guī)格 ：16 引腳 DSBGA（YBH 封裝），尺寸僅 1.76mm×1.76mm，最大高度 0.4mm，底部球柵陣列設(shè)計(jì)，適配高密度 PCB 布局，尤其適合空間受限的消費(fèi)電子與工業(yè)設(shè)備。

二、關(guān)鍵性能指標(biāo)

1. 電壓輸出模式性能（典型值，TA=25°C，VDD=5.5V，增益 = 1×）

2. 電流輸出模式性能（典型值，TA=25°C，VDD=5.5V，±250μA 量程）

三、電源與功耗

1. 電源需求

2. 功耗分布

• 正常模式 ：電壓輸出模式總功耗約 0.5mW / 通道（VDD=3.3V），電流輸出模式低至 0.14mW / 通道（±25μA 量程）。
• 睡眠模式 ：內(nèi)部基準(zhǔn)關(guān)閉時(shí)功耗 28μA，僅保留必要電路供電，適配設(shè)備待機(jī)場景。

四、應(yīng)用設(shè)計(jì)要點(diǎn)

1. 電源與基準(zhǔn)設(shè)計(jì)

• 供電架構(gòu) ：VDD 推薦使用線性穩(wěn)壓器（如 TPS7A02）或低噪聲 DC/DC（如 TPS62803），避免開關(guān)噪聲耦合至模擬信號(hào)；CAP 引腳需靠近器件放置 1.5μF X7R 陶瓷電容，VDD 引腳旁并聯(lián) 0.1μF 去耦電容。
• 基準(zhǔn)選擇 ：優(yōu)先使用內(nèi)部 1.21V 基準(zhǔn)（需設(shè)置 EN-INT-REF=1），若需更高精度可外接 1.8V-VDD 范圍的外部基準(zhǔn)（VREF 引腳），注意外部基準(zhǔn)需在 VDD 穩(wěn)定后上電，避免損壞器件。

2. PCB 布局

• 信號(hào)分區(qū) ：將模擬信號(hào)（OUT0-OUT1、FB0-FB1、VREF）與數(shù)字信號(hào)（SCL/SYNC、SDA/SCLK、GPIO）分開布線，模擬地（AGND）與數(shù)字地單點(diǎn)連接，減少串?dāng)_；VREF 引腳旁放置 0.1μF 去耦電容，保障基準(zhǔn)穩(wěn)定性。
• 封裝焊接 ：DSBGA 封裝需采用激光鋼網(wǎng)（厚度 0.075mm），焊盤直徑 0.2mm，焊接后需檢查焊點(diǎn)完整性，避免虛焊導(dǎo)致的基準(zhǔn)漂移或通信故障。

3. 初始化與配置

• 模式切換 ：通過 COMMON-CONFIG 寄存器配置通道工作模式：
  • 電壓輸出：設(shè)置 VOUT-PDN-X=00，IOUT-PDN-X=1，短接 OUTx 與 FBx 構(gòu)成閉環(huán)。
  • 電流輸出：設(shè)置 IOUT-PDN-X=0，VOUT-PDN-X=11（高阻），F(xiàn)Bx 引腳懸空。
• 關(guān)鍵寄存器配置 ：
  • 波形生成：通過 DAC-X-FUNC-CONFIG 配置 FUNC-CONFIG-X（波形類型）、CODE-STEP（步長）與 SLEW-RATE（步長時(shí)間）。
  • 比較器：設(shè)置 DAC-X-VOUT-CMP-CONFIG 的 CMP-X-EN=1，配置輸入阻抗（CMP-X-HIZ-IN-DIS）與輸出模式（推挽 / 開漏）。
  • NVM 保存：配置完成后，設(shè)置 COMMON-TRIGGER 的 NVM-PROG=1，將參數(shù)寫入 NVM，掉電后自動(dòng)加載。