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傾佳電子行業(yè)洞察-電力電子的樞紐:以SiC碳化硅為支點,駕馭“十五五”能源變革

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-10-25 08:07 ? 次閱讀
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傾佳電子行業(yè)洞察-電力電子的樞紐:以SiC碳化硅為支點,駕馭“十五五”能源變革

傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢!

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢!

摘要

傾佳電子旨在深度剖析中國“十五五”規(guī)劃(2026-2030年)對電力電子產(chǎn)業(yè)的深遠(yuǎn)影響,并闡明以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體在其中發(fā)揮的關(guān)鍵價值。傾佳電子認(rèn)為,“十五五”時期將是中國“雙碳”戰(zhàn)略與“新型電力系統(tǒng)”建設(shè)從頂層設(shè)計轉(zhuǎn)向大規(guī)模工程實踐的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點。這一歷史性轉(zhuǎn)型將催生對電力電子產(chǎn)業(yè)前所未有的結(jié)構(gòu)性需求。

傾佳電子的核心論點是,高效、高密度的功率變換技術(shù)是這場能源革命的基石。在此背景下,以碳化硅為核心的第三代半導(dǎo)體功率器件,將從一個高速增長的細(xì)分領(lǐng)域,演變?yōu)橹螄夷茉磻?zhàn)略的、不可或缺的基礎(chǔ)性技術(shù)。碳化硅在效率、功率密度和高頻運行方面的卓越性能,并非簡單的增量改進(jìn),而是實現(xiàn)國家在能源效率、電網(wǎng)穩(wěn)定性和技術(shù)自主可控等核心目標(biāo)的關(guān)鍵賦能要素。以深圳基本半導(dǎo)體等為代表的本土領(lǐng)軍企業(yè)的崛起,將成為這一時期產(chǎn)業(yè)格局的決定性特征,其背后是市場需求與國家戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)政策協(xié)同共振的強大驅(qū)動力。

第一章:戰(zhàn)略背景:“十五五”規(guī)劃與電力電子革命的必然性

1.1 “雙碳”目標(biāo):電力電子產(chǎn)業(yè)的核心驅(qū)動力

“十五五”規(guī)劃期間,中國將進(jìn)入實現(xiàn)2030年“碳達(dá)峰”目標(biāo)的攻堅期,這為能源結(jié)構(gòu)的根本性變革設(shè)定了明確的時間表和戰(zhàn)略方向 。延續(xù)“十四五”期間的政策導(dǎo)向,“十五五”將進(jìn)一步加速能源消費從化石能源向非化石能源的轉(zhuǎn)型。既有的政策文件已經(jīng)明確要求大幅提升非化石能源在總消費和發(fā)電量中的比重,這一趨勢在未來五年將只強不弱,從而為支撐綠色低碳能源體系的技術(shù)創(chuàng)造了巨大的結(jié)構(gòu)性需求 。

目前,中國已經(jīng)構(gòu)建了碳達(dá)峰、碳中和的“1+N”政策體系,并已采取實質(zhì)性行動,如將非化石能源消費占比提升至17.5%,并對存量煤電機組進(jìn)行節(jié)能降碳改造 ??梢灶A(yù)見,“十五五”規(guī)劃將在此基礎(chǔ)上,提出更具雄心的目標(biāo)和更具體的實施路徑。

國家的“雙碳”目標(biāo)不僅是一項環(huán)境政策,更是一項全面的經(jīng)濟與產(chǎn)業(yè)升級戰(zhàn)略。政策文件反復(fù)強調(diào)將綠色轉(zhuǎn)型與“高質(zhì)量發(fā)展”相結(jié)合,這意味著目標(biāo)不僅是減排,更在于通過轉(zhuǎn)型培育新的經(jīng)濟增長點 3。電力電子產(chǎn)業(yè),特別是以碳化硅為代表的先進(jìn)功率半導(dǎo)體,正處在這一戰(zhàn)略的交匯點。它們通過提升從發(fā)電、輸配電到終端消費全鏈路的能源效率,直接服務(wù)于“雙碳”目標(biāo)。通過SiC器件實現(xiàn)的每一個百分點的效率提升,都意味著更少的能源浪費和碳排放。同時,這本身也催生了一個高附加值的先進(jìn)制造業(yè),完美契合了國家經(jīng)濟發(fā)展的雙重目標(biāo)。因此,電力電子產(chǎn)業(yè)的角色已從傳統(tǒng)的配套支撐,上升為“十五五”經(jīng)濟愿景的核心支柱之一。

1.2 構(gòu)建新型電力系統(tǒng):電力電子主導(dǎo)的能源網(wǎng)絡(luò)

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“十五五”期間,中國電力系統(tǒng)建設(shè)的核心任務(wù)是應(yīng)對“五高”特征帶來的挑戰(zhàn):高比例新能源、高比例電力電子設(shè)備、高活躍度創(chuàng)新、高比例新市場主體和高概率極端氣候 1。這一根本性轉(zhuǎn)變意味著電網(wǎng)的運行模式將從過去由同步發(fā)電機主導(dǎo)的、穩(wěn)定可預(yù)測的系統(tǒng),轉(zhuǎn)變?yōu)橛纱罅块g歇性、波動性電源構(gòu)成的復(fù)系統(tǒng)。

這種波動性要求電網(wǎng)必須具備前所未有的靈活性和調(diào)節(jié)能力,其中,以儲能為代表的靈活性資源成為維持電網(wǎng)穩(wěn)定的關(guān)鍵 。連接這些資源與電網(wǎng)的電力電子設(shè)備,如儲能變流器(PCS)和光伏/風(fēng)電逆變器,成為了調(diào)控整個電網(wǎng)的主要手段?!笆奈濉币?guī)劃已經(jīng)明確提出要發(fā)展由先進(jìn)儲能和智能電網(wǎng)技術(shù)支撐的“新型電力系統(tǒng)”,而“十五五”將是這些大規(guī)模系統(tǒng)從示范走向全面部署的實施階段 。

傳統(tǒng)電網(wǎng)的穩(wěn)定性在很大程度上依賴于大型旋轉(zhuǎn)發(fā)電機組提供的物理轉(zhuǎn)動慣量。而在新型電力系統(tǒng)中,光伏、風(fēng)電和儲能等資源通過逆變器等電力電子設(shè)備并網(wǎng),這些設(shè)備本身不具備物理慣量 。因此,整個電網(wǎng)的頻率穩(wěn)定和動態(tài)平衡,完全取決于電力電子接口的控制速度、智能化水平和可靠性。這使得核心功率半導(dǎo)體器件(如SiC MOSFET)的性能,不再僅僅是單個設(shè)備的效率指標(biāo),而是直接關(guān)系到國家能源安全的系統(tǒng)性問題。SiC器件更快的開關(guān)速度、更低的損耗和更優(yōu)越的控制特性,使其成為有效管理未來復(fù)雜電網(wǎng)動態(tài)、保障系統(tǒng)安全穩(wěn)定運行的必要技術(shù)支撐。

1.3 技術(shù)自主可控:國產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)的政策東風(fēng)

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在當(dāng)前復(fù)雜的國際環(huán)境下,能源安全與“科技自立自強”已被提升至國家戰(zhàn)略的最高層面 ?!笆奈濉蹦茉搭I(lǐng)域科技創(chuàng)新規(guī)劃明確提出,要“補強短板”,解決在關(guān)鍵零部件、基礎(chǔ)材料和專用軟件等方面對國外的依賴問題 。

在這一戰(zhàn)略指引下,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體被定位為“前瞻性、顛覆性技術(shù)”,是國家重點扶持和攻關(guān)的領(lǐng)域 。這意味著本土SiC產(chǎn)業(yè)鏈,從上游的襯底材料到下游的器件制造與應(yīng)用,都將獲得包括研發(fā)資金、市場準(zhǔn)入和產(chǎn)業(yè)政策在內(nèi)的全方位支持。

供應(yīng)鏈安全已成為國家關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的首要考量 。在“十五五”期間,國家電網(wǎng)、大型新能源基地、數(shù)據(jù)中心等關(guān)鍵能源基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè),將極大地傾向于采用國產(chǎn)核心元器件,以規(guī)避地緣政治風(fēng)險和供應(yīng)鏈中斷的威脅。這將為本土SiC企業(yè)創(chuàng)造一個巨大的、具有一定保護(hù)性的高增長市場。這種非市場的戰(zhàn)略性拉動,將有力地幫助如基本半導(dǎo)體等本土領(lǐng)軍企業(yè)加速擴大市場份額,即使在面對擁有技術(shù)或成本優(yōu)勢的國際競爭對手時也能獲得發(fā)展空間?;景雽?dǎo)體的股東結(jié)構(gòu)中已出現(xiàn)中國中車、三峽能源、廣汽資本等國家戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)資本的身影,這正是產(chǎn)業(yè)與國家戰(zhàn)略深度綁定的早期信號,為其未來的市場拓展和規(guī)?;l(fā)展提供了堅實的保障 。

第二章:關(guān)鍵領(lǐng)域影響分析:新能源、儲能及其他

2.1 儲能系統(tǒng)(ESS):電網(wǎng)靈活性的核心支柱

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儲能是解決新能源并網(wǎng)波動性的關(guān)鍵技術(shù),而儲能變流器(PCS)作為連接電池與電網(wǎng)的核心,其性能直接決定了整個儲能電站的經(jīng)濟性和可靠性?!笆逦濉逼陂g,隨著儲能裝機規(guī)模的爆發(fā)式增長,對PCS的效率和功率密度要求將達(dá)到前所未有的高度 。

SiC功率器件的應(yīng)用為PCS帶來了革命性的性能提升。實證數(shù)據(jù)顯示,在125 kW工商業(yè)儲能PCS中,以SiC模塊替代傳統(tǒng)IGBT模塊,可實現(xiàn)顯著的經(jīng)濟效益 。

表1:SiC在125kW儲能PCS中的性能與經(jīng)濟影響

指標(biāo) 基于IGBT的PCS 基于SiC的PCS 量化提升
平均效率 約98% >99% 提升1%+
模塊功率密度 基準(zhǔn) 基準(zhǔn) x 1.25 提升25%+
系統(tǒng)尺寸 (示例) 780x220x485mm 680x220x520mm 體積更緊湊
系統(tǒng)初始成本 基準(zhǔn) 降低5% 降低5%
投資回報周期 基準(zhǔn) 縮短2-4個月 縮短2-4個月

在具體產(chǎn)品選型上,針對125 kW的PCS,系統(tǒng)設(shè)計者既可以選擇采用24顆1200V/13mΩ的SiC MOSFET分立器件(如B3M012C120Z)并聯(lián)的方案,也可以選擇采用4個1200V/5.5mΩ的SiC半橋功率模塊(如BMF240R12E2G3)的方案,體現(xiàn)了SiC技術(shù)應(yīng)用的靈活性 。

儲能項目的盈利能力對往返效率和初始投資成本(CapEx)極為敏感。SiC帶來的超過1%的效率提升,在項目長達(dá)10-15年的生命周期內(nèi),通過能量套利和輔助服務(wù)能夠創(chuàng)造可觀的額外收入 。更重要的是,功率密度提升25%以上,直接降低了系統(tǒng)集成(BOS)成本,包括更小的機柜、更簡化的冷卻系統(tǒng)和更少的占地面積,而這些BOS成本占據(jù)了項目總成本的很大一部分。通過同時提升運營收入(效率)和降低初始投資(密度),SiC從根本上改善了儲能項目的商業(yè)模型,這將極大加速其在“十五五”期間的部署速度。

2.2 新能源發(fā)電(光伏與風(fēng)電)

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對于光伏和風(fēng)電等新能源發(fā)電形式,逆變器是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能并入電網(wǎng)的核心設(shè)備。逆變器的效率每提高一個百分點,就意味著同一套發(fā)電資產(chǎn)能夠向電網(wǎng)輸送更多的電量,這直接增加了項目運營商的收入,并降低了平準(zhǔn)化度電成本(LCOE)。

SiC MOSFET憑借其卓越的高頻、高效性能,已成為新一代光伏逆變器的首選技術(shù)。例如,基本半導(dǎo)體的B3M020120ZL等型號被明確推薦用于光伏逆變器應(yīng)用 。SiC器件的低開關(guān)損耗特性允許逆變器工作在更高的開關(guān)頻率,這使得內(nèi)部的電感、電容等磁性元件可以做得更小、更輕,從而大幅提升逆變器的功率密度,降低制造成本和安裝難度

“十五五”期間,中國將繼續(xù)推進(jìn)大規(guī)模新能源基地(如沙漠、戈壁、荒漠地區(qū))和海上風(fēng)電的建設(shè) 1。在這些動輒吉瓦級的項目中,系統(tǒng)效率的微小差異都會被放大。SiC逆變器帶來的效率提升直接增加了年發(fā)電量。同時,其高功率密度特性對于重量和空間極其敏感的海上風(fēng)電平臺,以及空間有限的分布式屋頂光伏項目尤為關(guān)鍵。因此,SiC技術(shù)不僅是在提升效率,更是在通過降低單位瓦特的總安裝成本,加速可再生能源實現(xiàn)全面平價上網(wǎng)的進(jìn)程。

2.3 電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施與電能質(zhì)量

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隨著高比例的逆變器并網(wǎng),電網(wǎng)中的諧波污染問題日益突出,嚴(yán)重影響電能質(zhì)量和電網(wǎng)穩(wěn)定性。有源電力濾波器(APF)是解決這一問題的關(guān)鍵設(shè)備,其作用是實時補償諧波,凈化電網(wǎng)環(huán)境。

SiC器件的應(yīng)用使APF的性能實現(xiàn)了跨越式發(fā)展。數(shù)據(jù)顯示,與傳統(tǒng)的IGBT方案相比,采用SiC的APF體積可減小超過50%,重量減輕超過40%,而整機效率則從普遍的97%左右提升至高達(dá)99% 。在產(chǎn)品選型上,一個150A的APF推薦使用3個SiC半橋模塊(如BMF240R12E2G3),展示了模塊化方案在電能質(zhì)量設(shè)備中的應(yīng)用潛力 。

電網(wǎng)的穩(wěn)定性是國家能源安全的基石?!笆逦濉逼陂g大規(guī)模的新能源接入,必然伴隨著巨大的電能質(zhì)量治理需求。傳統(tǒng)APF設(shè)備笨重、損耗高,限制了其大規(guī)模部署。SiC技術(shù)帶來的性能飛躍,使得在變電站、工業(yè)園區(qū)、數(shù)據(jù)中心等關(guān)鍵節(jié)點大規(guī)模部署高效、緊湊的APF成為可能。更高的效率也意味著APF設(shè)備自身能耗更低,有助于降低電網(wǎng)的整體碳足跡。因此,基于SiC的APF是為新能源轉(zhuǎn)型“保駕護(hù)航”的關(guān)鍵技術(shù)裝備。

2.4 電氣化生態(tài)系統(tǒng):充電設(shè)施與工業(yè)升級

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電動汽車充電設(shè)施:為支撐日益增長的電動汽車保有量,“十五五”期間必然要求建設(shè)一個覆蓋廣泛、充電快速的高功率充電網(wǎng)絡(luò) 3。SiC器件是實現(xiàn)高效、高功率密度充電模塊的核心技術(shù)。對于一個60kW的雙向充電模塊,采用全SiC拓?fù)洌ɡ缡褂?個BMF240R12E2G3模塊)已成為推薦方案,這有助于提升充電效率,縮小充電樁體積 。

工業(yè)應(yīng)用升級:提升工業(yè)能效是國家節(jié)能減排戰(zhàn)略的重要組成部分。在逆變焊機等高頻工業(yè)設(shè)備中,SiC的優(yōu)勢尤為突出。量化對比顯示,采用SiC(開關(guān)頻率70kHz)的焊機可輕松達(dá)到一級能效標(biāo)準(zhǔn)(效率>90%),而傳統(tǒng)IGBT焊機(開關(guān)頻率20kHz)通常只能達(dá)到二級能效(效率約86%)。這帶來了約9.8%的顯著節(jié)電效果,僅需運行60至110天,節(jié)省的電費就足以收回購買一臺新SiC焊機的成本 。

“十五五”的能源戰(zhàn)略不僅關(guān)注清潔發(fā)電,同樣重視降低終端能耗。電動汽車充電樁和工業(yè)焊機的案例生動地展示了SiC如何成為需求側(cè)能效提升的催化劑。對充電樁而言,更高的效率意味著更少的電能以熱量形式浪費,降低了充電網(wǎng)絡(luò)運營商的運營成本。對工業(yè)領(lǐng)域而言,焊機的例子提供了一個極具說服力的范本:SiC帶來的運營成本節(jié)約是如此顯著,以至于為工業(yè)設(shè)備的更新?lián)Q代創(chuàng)造了極具吸引力的、快速的投資回報。這將推動一輪廣泛的工業(yè)電氣化和能效升級浪潮,從需求側(cè)為“雙碳”目標(biāo)的實現(xiàn)做出重要貢獻(xiàn)。

第三章:SiC功率器件的關(guān)鍵價值:技術(shù)深度解析

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3.1 SiC相較于硅的根本優(yōu)勢

碳化硅之所以被譽為第三代半導(dǎo)體的核心材料,源于其遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅材料的物理特性。這些特性賦予了SiC功率器件在性能上的代際優(yōu)勢。

表2:碳化硅(SiC)與硅(Si)核心材料屬性對比

屬性 硅 (Si) 碳化硅 (4H-SiC) 倍數(shù)差異 (SiC vs. Si) 對功率器件的意義
禁帶寬度 ($E_g$) 1.12 eV 3.26 eV $approx$ 3倍 更低漏電流,更高工作溫度,更低損耗
臨界擊穿場強 ($E_c$) $approx$ 0.3 MV/cm $approx$ 3.0 MV/cm $approx$ 10倍 可制造更高耐壓、更薄、更低導(dǎo)通電阻的器件
熱導(dǎo)率 ($lambda$) $approx$ 1.5 W/cm·K $approx$ 4.5 W/cm·K $approx$ 3倍 優(yōu)異的散熱能力,簡化冷卻系統(tǒng),提高可靠性
電子飽和漂移速率 ($v_{sat}$) $approx$ 1.0 x $10^7$ cm/s $approx$ 2.0 x $10^7$ cm/s $approx$ 2倍 更快的開關(guān)速度,支持更高工作頻率

這些優(yōu)越的材料特性,直接轉(zhuǎn)化為功率器件層面的性能飛躍,使得SiC器件能夠?qū)崿F(xiàn)比硅器件更高的電壓、更高的頻率、更高的效率和更高的溫度,同時體積更小。

3.2 SiC MOSFET 與 Si IGBT:性能量化基準(zhǔn)

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在電力電子應(yīng)用中,SiC MOSFET正逐步取代傳統(tǒng)的Si IGBT,成為中高壓領(lǐng)域的首選。其優(yōu)勢可通過關(guān)鍵性能指標(biāo)進(jìn)行量化對比。

導(dǎo)通損耗 ($R_{DS(on)}$):雖然IGBT在極高電流下的飽和壓降可能更低,但SiC MOSFET在絕大多數(shù)應(yīng)用(如電動汽車)長時間運行的中低負(fù)載區(qū)間,表現(xiàn)出更低的導(dǎo)通電阻,從而具有更低的導(dǎo)通損耗 16。基本半導(dǎo)體的第三代(B3M)芯片相比前代和競爭對手,在導(dǎo)通電阻的一致性和溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)更優(yōu) 。

開關(guān)損耗 ($E_{on}$, $E_{off}$):這是SiC最核心的優(yōu)勢。IGBT作為雙極型器件,在關(guān)斷時存在明顯的“拖尾電流”,導(dǎo)致巨大的關(guān)斷損耗 ($E_{off}$) 。而SiC MOSFET作為單極型器件,幾乎沒有拖尾電流,開關(guān)速度極快。

表3:SiC MOSFET與IGBT在高頻工業(yè)應(yīng)用中的性能對比

應(yīng)用場景 技術(shù)方案 開關(guān)頻率 單器件總損耗 系統(tǒng)效率
20kW 逆變焊機 Si IGBT 20 kHz $approx$ 150 W $approx$ 97.1% (2級能效)
20kW 逆變焊機 SiC MOSFET 80 kHz $approx$ 80 W > 98.6% (1級能效)

如上表所示,在逆變焊機應(yīng)用中,將開關(guān)頻率從IGBT的20 kHz提升至SiC的80 kHz(提升4倍),單器件總損耗反而降低了近50% 12。具體到器件層面,基本半導(dǎo)體的B3M040120Z SiC MOSFET與業(yè)界領(lǐng)先的Cree(Wolfspeed)同類產(chǎn)品相比,其關(guān)斷損耗低30%,總開關(guān)損耗在室溫下低%,且在高溫下優(yōu)勢更為明顯 。

品質(zhì)因數(shù) (FOM = $R_{DS(on)} times Q_G$):該指標(biāo)綜合了導(dǎo)通性能($R_{DS(on)}$)和開關(guān)性能(柵極電荷$Q_G$)。更低的FOM值代表更優(yōu)的綜合能效。基本半導(dǎo)體的B3M系列器件相比其上一代產(chǎn)品及主要競爭對手,展現(xiàn)出更優(yōu)的FOM值,證明了其在技術(shù)上的進(jìn)步 。

SiC的性能優(yōu)勢并非在所有工況下都均等,其價值在需要高開關(guān)頻率的應(yīng)用中被最大化。低開關(guān)損耗不僅直接節(jié)約了能量,更關(guān)鍵的是,它允許設(shè)計者將系統(tǒng)的工作頻率提升數(shù)倍。頻率的提升使得系統(tǒng)中的電感、電容等無源元件的體積、重量和成本得以大幅縮減。因此,SiC的顛覆性價值不僅在于器件本身的節(jié)能,更在于它所帶來的整個電力變換系統(tǒng)的成本、尺寸和重量的革命性優(yōu)化。這正是其在光伏逆變器、車載充電機和各類電源中成為顛覆性技術(shù)的核心原因。

3.3 成熟的SiC生態(tài)系統(tǒng):從芯片到解決方案

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隨著產(chǎn)業(yè)的成熟,領(lǐng)先的SiC企業(yè)已不再僅僅是銷售分立器件,而是致力于提供完整、易用的系統(tǒng)級解決方案。

基本半導(dǎo)體的產(chǎn)品布局是這一趨勢的典型代表。其產(chǎn)品組合不僅覆蓋了核心的SiC MOSFET分立器件 12 和SiC肖特基二極管(SBD),還包括了采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝(如34mm、62mm、E1B、E2B)的高度集成的功率模塊 12。更重要的是,公司還提供了一系列關(guān)鍵的配套芯片,包括隔離柵極驅(qū)動芯片(如BTD5350MCWR)、驅(qū)動電源芯片(如BTP1521F)以及專用隔離變壓器(如TR-P15DS23-EE13),形成了一個完整的解決方案生態(tài) 。

一個完整的本土化解決方案生態(tài)系統(tǒng),是推動SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵加速器。由于SiC器件開關(guān)速度極快,其驅(qū)動設(shè)計和電路布局比傳統(tǒng)硅器件更為復(fù)雜,對電磁干擾(EMI)和電壓過沖的控制要求更高。通過提供經(jīng)過充分測試和驗證的全套組件(芯片、模塊、驅(qū)動、電源),像基本半導(dǎo)體這樣的公司極大地降低了系統(tǒng)設(shè)計工程師的應(yīng)用門檻。這種“交鑰匙”式的解決方案,不僅縮短了客戶產(chǎn)品的開發(fā)周期和上市時間,也確保了SiC芯片的優(yōu)異性能能夠在最終系統(tǒng)中得到充分發(fā)揮。這種生態(tài)系統(tǒng)的成熟度,標(biāo)志著中國SiC產(chǎn)業(yè)已經(jīng)為迎接“十五五”期間的大規(guī)模市場應(yīng)用做好了準(zhǔn)備。

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第四章:市場動態(tài)與競爭格局(2026-2030)

4.1 量化機遇:全球與中國市場預(yù)測

在電動汽車和新能源產(chǎn)業(yè)的強勁拉動下,全球SiC功率器件市場正迎來爆發(fā)式增長。

全球市場:根據(jù)Yole Group的預(yù)測,全球SiC功率器件市場規(guī)模將從2023年的27億美元增長至2029年的超過100億美元,復(fù)合年增長率(CAGR)約為25% 。其中,汽車應(yīng)用預(yù)計將占據(jù)70%至80%的市場份額,成為最主要的增長引擎 。

中國市場:中國的SiC市場增速更為迅猛。據(jù)預(yù)測,2024年至2029年,中國SiC功率器件市場的年復(fù)合增長率將高達(dá)43.9%,市場規(guī)模預(yù)計在2029年達(dá)到428億元人民幣(約合60億美元)。屆時,SiC在中國整體功率器件市場的滲透率將從2024年的5.4%躍升至19.0% 。

表4:中國SiC功率器件市場預(yù)測(2024-2029年)

年份 市場規(guī)模(人民幣十億元) 年復(fù)合增長率 (CAGR) 在功率器件市場中的滲透率
2024 (E) 10.1 - 5.4%
2029 (P) 42.8 43.9% (2024-2029) 19.0%

“十五五”期間,SiC技術(shù)將在中國從一個新興的細(xì)分市場轉(zhuǎn)變?yōu)楣β拾雽?dǎo)體的主流技術(shù)之一。屆時,中國單一市場的規(guī)模將可能超過幾年前的全球市場總量。2029年中國市場約60億美元的預(yù)測規(guī)模,已遠(yuǎn)超2023年全球27億美元的市場體量 。這表明中國不僅是SiC產(chǎn)業(yè)的參與者,更將成為全球最核心的需求中心。由“十五五”能源與電動汽車政策驅(qū)動的龐大內(nèi)需,為本土SiC企業(yè)提供了實現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟、挑戰(zhàn)國際巨頭的獨特主場優(yōu)勢。

4.2 本土力量崛起與國產(chǎn)化浪潮

在國家戰(zhàn)略的推動下,中國正在SiC全產(chǎn)業(yè)鏈上加速國產(chǎn)化進(jìn)程,從上游的襯底材料到下游的器件和模塊,本土企業(yè)正在迅速崛起。

上游襯底材料:中國企業(yè)已在全球市場中占據(jù)重要地位。例如,天岳先進(jìn)在2024年已成為全球第二大導(dǎo)電型SiC襯底供應(yīng)商,市場份額達(dá)到22.8% 。

中下游器件與模塊:國內(nèi)器件領(lǐng)域的競爭格局日趨活躍,涌現(xiàn)出包括IDM(整合元件制造商)、設(shè)計公司和代工廠在內(nèi)的眾多參與者。基本半導(dǎo)體將自身定位為具備晶圓制造和模塊封裝能力的“第一梯隊”企業(yè),在激烈的市場競爭中占據(jù)了有利位置 。

SiC產(chǎn)業(yè)已成為中國實現(xiàn)“科技自立自強”戰(zhàn)略的關(guān)鍵領(lǐng)域。目前,中國正采取雙軌并行的策略:一方面,大力扶持像天岳先進(jìn)和基本半導(dǎo)體這樣的本土龍頭企業(yè);另一方面,也積極推動如意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)等國際領(lǐng)軍企業(yè)在中國設(shè)立合資公司,實現(xiàn)本地化生產(chǎn) 。這一策略旨在快速提升國內(nèi)的制造能力和技術(shù)水平?!笆逦濉逼陂g,這意味著下游應(yīng)用企業(yè)(如電動汽車制造商和電網(wǎng)公司)將擁有多個可供選擇的“本土”供應(yīng)商,包括純內(nèi)資企業(yè)和中外合資企業(yè)。這將加劇市場競爭,推動成本下降,并加速對進(jìn)口硅基IGBT及國外SiC器件的替代,最終實現(xiàn)關(guān)鍵元器件供應(yīng)鏈安全可控的國家戰(zhàn)略目標(biāo)。

4.3 案例分析:基本半導(dǎo)體的戰(zhàn)略定位

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基本半導(dǎo)體的發(fā)展路徑,是中國本土SiC企業(yè)成功戰(zhàn)略的一個縮影。

技術(shù)與產(chǎn)品:公司擁有清晰的技術(shù)路線圖,其第三代(B3M)SiC MOSFET產(chǎn)品在與Wolfspeed、英飛凌等國際巨頭的對標(biāo)測試中,展現(xiàn)出極具競爭力的性能 。其全面的產(chǎn)品組合覆蓋了從分立器件到功率模塊,再到驅(qū)動和電源芯片的完整生態(tài)系統(tǒng),能夠為客戶提供一站式解決方案 。

市場應(yīng)用:公司已成功進(jìn)入國內(nèi)外多家主流汽車廠商和一級供應(yīng)商的供應(yīng)鏈,配套的多款車型已實現(xiàn)量產(chǎn) 12。在工業(yè)領(lǐng)域,其產(chǎn)品也已成為光伏、儲能、焊機等行業(yè)客戶的首選品牌之一 。

戰(zhàn)略協(xié)同:公司的股東結(jié)構(gòu)中包含了中國中車、廣汽集團(tuán)、三峽能源、深投控等關(guān)鍵領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)資本和國有資本,這表明其發(fā)展與國家戰(zhàn)略方向高度一致,能夠獲得來自產(chǎn)業(yè)鏈上下游和資本層面的強大支持 。

基本半導(dǎo)體的成功模式——以強大的研發(fā)實力為基礎(chǔ),構(gòu)建完整的產(chǎn)品生態(tài),并與國家戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)深度融合——為本土企業(yè)如何在“十五五”期間抓住歷史機遇、實現(xiàn)價值最大化提供了范本。該公司不僅是在銷售元器件,更是將自身嵌入到中國最具戰(zhàn)略意義的產(chǎn)業(yè)鏈(汽車、軌道交通、新能源)之中。與主流車企的深度合作,為其帶來了長期、穩(wěn)定的大批量訂單,這不僅是銷售收入,更是支撐其持續(xù)進(jìn)行技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能擴張的基石。這種與下游“國家隊”企業(yè)形成的共生關(guān)系,構(gòu)建了強大的競爭壁壘。

第五章:戰(zhàn)略展望與建議

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5.1 未來五年的關(guān)鍵趨勢(2026-2030)

向8英寸晶圓過渡:為降低成本,全行業(yè)將加速從6英寸向8英寸SiC晶圓的遷移。中國襯底供應(yīng)商在此領(lǐng)域已展現(xiàn)出強大的潛力,甚至開始演示12英寸技術(shù),這將成為未來成本競爭的關(guān)鍵 。

成本競爭加劇:隨著更多本土廠商產(chǎn)能的釋放,尤其是在工業(yè)級市場,價格競爭將日趨激烈。能否在要求高可靠性的汽車和電網(wǎng)領(lǐng)域鎖定長期訂單,將是決定企業(yè)盈利能力的關(guān)鍵。

供應(yīng)鏈全面國產(chǎn)化:從SiC粉料、外延生長到芯片制造和模塊封裝,構(gòu)建完全自主可控的供應(yīng)鏈將是“十五五”期間的重中之重,也是衡量產(chǎn)業(yè)發(fā)展成功與否的核心指標(biāo)。

模塊級創(chuàng)新:競爭的焦點將進(jìn)一步從分立器件轉(zhuǎn)向高度集成的智能功率模塊。這些模塊將集成驅(qū)動、傳感、保護(hù)和先進(jìn)散熱技術(shù),以最大化SiC在系統(tǒng)層面的價值。

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5.2 對行業(yè)相關(guān)方的建議

深圳市傾佳電子有限公司(簡稱“傾佳電子”)是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者:
傾佳電子成立于2018年,總部位于深圳福田區(qū),定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商,業(yè)務(wù)聚焦三大方向:
新能源:覆蓋光伏、儲能、充電基礎(chǔ)設(shè)施;
交通電動化:服務(wù)新能源汽車三電系統(tǒng)(電控、電池、電機)及高壓平臺升級;
數(shù)字化轉(zhuǎn)型:支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。
公司以“推動國產(chǎn)SiC替代進(jìn)口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命,響應(yīng)國家“雙碳”政策(碳達(dá)峰、碳中和),致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。
需求SiC碳化硅MOSFET單管及功率模塊,配套驅(qū)動板及驅(qū)動IC,請?zhí)砑觾A佳電子楊茜微芯(壹叁貳 陸陸陸陸 叁叁壹叁)

對于投資者:應(yīng)重點關(guān)注那些具備明確規(guī)?;窂?、與下游戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)(電動汽車、電網(wǎng)、儲能)深度綁定,并擁有核心技術(shù)護(hù)城河(如襯底生長技術(shù)、先進(jìn)封裝工藝)的企業(yè)。從上游材料到下游器件的整個價值鏈都存在投資機會 。

對于SiC制造商:必須持續(xù)加大研發(fā)投入,保持技術(shù)領(lǐng)先(如溝槽柵MOSFET、更低導(dǎo)通電阻)。圍繞核心器件構(gòu)建完善的“解決方案生態(tài)”,降低客戶的應(yīng)用門檻。同時,與國內(nèi)優(yōu)質(zhì)襯底供應(yīng)商簽訂長期供貨協(xié)議,以鎖定成本并保障產(chǎn)能擴張的順利進(jìn)行。

對于系統(tǒng)集成商(PCS、逆變器、車企等):應(yīng)積極與國內(nèi)領(lǐng)先的SiC供應(yīng)商建立戰(zhàn)略合作關(guān)系,共同設(shè)計下一代電力電子系統(tǒng)。充分利用SiC高頻、高密度的系統(tǒng)級優(yōu)勢,打造具有更低全生命周期成本和更高性能的差異化產(chǎn)品。

對于政策制定者:在繼續(xù)通過研發(fā)項目(如“揭榜掛帥”)支持技術(shù)創(chuàng)新的同時,應(yīng)將政策重心更多地向需求側(cè)傾斜。例如,制定和推行鼓勵高能效設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn),并在電力輔助服務(wù)等市場機制中,為SiC系統(tǒng)所具備的快速響應(yīng)能力提供應(yīng)有的價值回報,從而通過市場化手段引導(dǎo)技術(shù)升級 。

審核編輯 黃宇

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