STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA汽車電源模塊提供帶有集成NTC的六塊 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),專門用于混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車中板載充電器 (OBC) 的DC/DC 轉(zhuǎn)換器 級(jí)。該電源模塊集成了六個(gè)第二代碳化矽功率MOSFET。憑借其廣受業(yè)界認(rèn)可的尖端芯片技術(shù),STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA能夠最大限度地減少能量損失,并在高頻切換頻率模式下運(yùn)行。該模塊使得用戶可以構(gòu)建滿足超大功率密度于高效率要求的復(fù)雜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA 汽車電源模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
AlN絕緣底層能夠?qū)崿F(xiàn)最佳的熱性能。此外,ACEPACK DMT-32-specific采用了模塑上凹槽設(shè)計(jì),有效保證了更大的爬電距離。鋸齒狀引腳選項(xiàng)增加了PCB電平的靈活性。
特性
- 符合AQG 324標(biāo)準(zhǔn)
- 1200 V 的閉塞電壓
- R
DS(on)(典型值):47.5mΩ - 最高工作結(jié)溫T
J= 175°C - 鋸齒形引腳排列
- 采用DBC Cu-AlN-Cu基底層,有效提升熱性能
- 隔離電壓:3kV
- 集成NTC溫度傳感器
典型應(yīng)用

引腳分配

?STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA SiC功率模塊技術(shù)解析
?一、模塊核心特性與設(shè)計(jì)亮點(diǎn)?
- ?六橋拓?fù)浼?/strong>?
- 采用第二代SiC MOSFET,1200V耐壓與47.5mΩ典型導(dǎo)通電阻(RDS(on)),支持175℃高溫運(yùn)行,適用于高頻開關(guān)場(chǎng)景。
- 獨(dú)特的DBC Cu-AlN-Cu基板設(shè)計(jì),提升散熱性能(RthJC=0.38°C/W)。
- ?關(guān)鍵性能參數(shù)?
- ?電氣特性?:
- 柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍:-5V至18V(推薦值),峰值電流95A(1ms脈沖)。
- 開關(guān)損耗優(yōu)化:800V/25A條件下,Eon=518μJ,Eoff=86μJ(TJ=25℃)。
- ?NTC溫度監(jiān)測(cè)?:
- 10kΩ@25℃±2%,B值3980K,支持-40℃~150℃寬溫區(qū)監(jiān)控。
- ?電氣特性?:
- ?引腳布局創(chuàng)新?
- Zig-zag排列的32引腳(ACEPACK DMT-32封裝),優(yōu)化PCB布線靈活性,減小寄生電感。
?二、車載充電器(OBC)應(yīng)用設(shè)計(jì)指南?
- ?驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)?
- ?熱管理建議?
- 利用AlN基板的高導(dǎo)熱性,建議搭配散熱器使結(jié)溫≤150℃(絕對(duì)最大值175℃)。
- 瞬態(tài)熱阻抗曲線(圖18)顯示,單脈沖下ZthJC隨脈寬變化趨勢(shì),需據(jù)此設(shè)計(jì)散熱方案。
- ?系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化?
- 通過降低總線電壓(如600V→400V)可減少開關(guān)損耗約30%(見圖15-16),但需權(quán)衡導(dǎo)通損耗。
?三、實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)與曲線解讀?
- ? 輸出特性曲線(圖3-5) ?
- TJ=175℃時(shí),ID=20A對(duì)應(yīng)的VDS較25℃升高約1V,反映高溫下導(dǎo)通電阻增大。
- ? 反向二極管特性(表3) ?
- 體二極管反向恢復(fù)時(shí)間trr=13.5ns(TJ=25℃),高溫下增至31ns,需在死區(qū)時(shí)間設(shè)計(jì)中預(yù)留余量。
- ?動(dòng)態(tài)性能對(duì)比?
- 相同條件下,175℃的Eoff比25℃高81μJ(圖10),凸顯高溫對(duì)開關(guān)損耗的影響。
?四、選型與生產(chǎn)注意事項(xiàng)?
-
NTC
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拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
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電源模塊
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評(píng)論