?1. 產(chǎn)品概述?
?2. 關鍵參數(shù)?
- ?導通電阻?:高邊+低邊MOSFET合計95mΩ(25°C時)。
- ?電流能力?:8A峰值電流(持續(xù)電流需考慮散熱)。
- ?PWM頻率?:最高200kHz。
- ?睡眠模式?:靜態(tài)電流低至2.5μA(nSLEEP=0時)。
?3. 功能亮點?
- ?電流檢測與調(diào)節(jié)?:
- ?控制模式?:
- ?6x PWM模式?:獨立控制每相高低邊MOSFET。
- ?3x PWM模式?:簡化控制邏輯,適合傳感器less應用。
- ?電流限制模式?:通過ILIM引腳設置閾值,支持周期逐限流。
- ? 主動消磁(Active Demagnetization) ?:減少二極管導通損耗,提升效率。
?4. 典型應用?
- ?場景?:
- 汽車LIDAR、小型風扇/泵、執(zhí)行器。
- 驅(qū)動負載:12V BLDC電機(功率<40W)、電磁閥、TEC模塊。
- ?設計要點?:
- 需外接1μF(CP)、47nF(CPH-CPL)電容,建議低ESR陶瓷電容靠近VM引腳。
- 布局時需注意散熱設計(VQFN封裝熱阻22.2°C/W)。
?5. 保護機制?
- ?電壓保護?:UVLO(4.3V)、OVP(34V可調(diào))。
- ?電流保護?:OCP(16A/24A可選),支持鎖存、自動重試等模式。
- ?溫度保護?:OTW(145°C預警)、OTSD(180°C關斷)。
- ?故障指示?:nFAULT引腳輸出,SPI可讀取詳細故障狀態(tài)。
?6. 對比硬件與SPI版本?
- ? DRV8316CR-Q1(SPI版) ?:支持5MHz SPI配置寄存器及診斷。
- ? DRV8316CT-Q1(硬件版) ?:通過電阻配置關鍵參數(shù)(如增益、OCP閾值)。
?7. 設計注意事項?
- ?熱管理?:計算總功耗需考慮導通損耗(P=I2RDS(ON))和開關損耗。
- ?布局建議?:VM引腳需就近放置0.1μF陶瓷電容+大容量電解電容,散熱焊盤多過孔接地。
?8. 典型性能曲線?
- 提供導通電阻隨溫度變化、Buck效率與負載關系等曲線(見手冊第7.8節(jié))。
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