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MCP8021/2三相BLDC電機柵極驅動器技術解析與應用指南

科技觀察員 ? 2025-10-11 14:58 ? 次閱讀
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Microchip Technology MCP8021和MCP8022三相無刷直流 (BLDC) 電機柵極驅動器包含三個集成半橋驅動器,能夠驅動三個外部NMOS/NMOS晶體管對。這三個半橋驅動器可在12V時提供0.5A峰值輸出電流,以驅動高側和低側NMOS MOSFET晶體管。這些驅動器的工作溫度范圍為-40°C至+165°C,具有擊穿、過流和短路保護特性。睡眠模式可實現典型的5 μA的 “切斷”靜態(tài)電流。

數據手冊:*附件:Microchip Technology MCP8021,MCP8022三相BLDC電機柵極驅動器數據手冊.pdf

MCP802x器件集成了3.3V或5.0V LDO穩(wěn)壓器,用于主機/外設電源、過熱傳感器和用戶可配置功能。用戶可配置的功能包括死區(qū)時間、消隱時間、待機期間運算放大器啟用/禁用、啟用/禁用睡眠模式、啟用/禁用過流檢測以及啟用/禁用柵極驅動欠壓保護。板載3.3V或5.0V壓差穩(wěn)壓器可提供70mA電流。電壓 選項由零件編號選擇。

MCP8021的封裝選項包括28引腳5mm x 5mm VQFN封裝和28引腳TSSOP-EP封裝。MCP8022采用40引腳5mm x 5mm VQFN封裝和38引腳TSSOP-EP封裝。MCP8022器件還添加了三個獨立運算放大器,用于普通用途。

特性

  • AEC-Q100 0級認證
  • 3個半橋驅動器,配置用于驅動外部高側NMOS和低側NMOS MOSFET
    • 獨立輸入控制,用于高側和低側NMOS MOSFET柵極驅動器
    • 峰值輸出電流:0.5A(12V時,典型值)
    • 擊穿保護
    • 過電流和短路保護
  • 3個運算放大器 (MCP8022)
  • 固定輸出線性穩(wěn)壓器
    • 3.3V或5.0V(70mA時)
    • 真電流折返
  • 電源電流
    • 睡眠模式:5μA(典型值)
    • 待機模式
      • MCP8021:<330 μA
      • <330μA(MCP8022),運算放大器關閉
      • <1300μA(MCP8022),運算放大器開啟
  • 專用WAKE引腳,用于睡眠模式恢復
  • 專用FAULT引腳
  • 單線UART通信
  • 電壓范圍
    • 電源:4V至40V
    • 工作電壓:6.25V至29V
  • 保護特性
    • 柵極驅動欠壓閉鎖:4.5V
    • 電源電壓欠壓關斷:4.5V
    • 電源電壓欠壓閉鎖:6.25V
    • 過壓閉鎖:29V
    • 熱關斷
  • 封裝選項
    • MCP8021
      • 28引腳5mm x 5mm VQFN
      • 28引腳TSSOP-EP
    • MCP8022
      • 40引腳5mm x 5mm VQFN
      • 38引腳TSSOP-EP
  • 溫度范圍:-40°C至+165°C

典型應用電路

1.png

MCP8021/2三相BLDC電機柵極驅動器技術解析與應用指南


?一、核心特性與設計亮點?

  1. ?驅動架構?
    • ?三相半橋驅動?:支持外部高邊/低邊NMOS MOSFET對,獨立輸入控制,峰值輸出電流0.5A@12V,集成防直通、過流及短路保護。
    • ?工作模式?:支持休眠模式(5μA靜態(tài)電流)、待機模式(<330μA),內置喚醒引腳(WAKE)和故障引腳(FAULT)。
    • ?電源管理?:集成3.3V/5V LDO穩(wěn)壓器(70mA輸出),帶電流折返保護,輸入電壓范圍4-40V,支持6.25-29V操作電壓。
  2. ?關鍵保護機制?
    • ?電壓監(jiān)控?:欠壓鎖定(UVLO)、過壓鎖定(OVLO)、柵極驅動欠壓保護(VDUVLO)。
    • ?溫度保護?:熱關斷閾值170°C(典型值),支持-40°C至+165°C結溫范圍。
    • ?通信接口?:單線UART(DE2引腳)用于配置與狀態(tài)反饋,支持自動波特率檢測(9600bps)。

?二、典型應用電路設計?

  1. ?硬件連接示例?
    • ?功率級?:外接6個NMOS組成三相橋,VBx引腳連接自舉二極管電容(典型值0.1μF)。
    • ?關鍵外圍?:
      • ?VBOOT電容?:≥4.7μF(陶瓷/鉭電容),確保高邊驅動穩(wěn)定性。
      • ?VREG電容?:4.7μF低ESR電容,保障LDO瞬態(tài)響應。
      • ?柵極電阻?:10-100Ω串聯(lián)柵極,抑制開關振鈴。
  2. ?PCB布局建議?
    • 星型接地布局,縮短功率回路路徑。
    • 自舉電容靠近VBx引腳,相位節(jié)點走線寬且短以降低寄生電感。

?三、配置與寄存器詳解?

  1. ?DE2通信協(xié)議?
    • ?消息格式?:8位數據+1停止位,半雙工模式,支持主機查詢狀態(tài)(STATUS_0/1)和配置(SET_CFG_0/2)。
    • ?故障處理?:通過OE引腳低-高跳變清除故障鎖存,FAULT引腳輸出開漏信號
  2. ?寄存器功能?
    • ?CFG0寄存器?:控制休眠模式、運放使能(MCP8022)、MOSFET保護閾值(EXTOC[1:0])。
    • ?CFG2寄存器?:設置死區(qū)時間(200-2000ns)和消隱時間(500-4000ns)。

?四、軟件控制策略?

  1. ?六步換相實現?
    • ?啟動流程?:對齊(Lock)→開環(huán)加速(Ramp)→閉環(huán)運行(Run),利用反電動勢(BEMF)檢測轉子位置。
    • ?PWM調制?:支持斬波-斬波(動態(tài)響應)和斬波-滑行(穩(wěn)態(tài)高效)模式,通過DRVDT[2:0]調節(jié)死區(qū)時間。
  2. ?故障恢復機制?
    • 觸發(fā)條件:MOSFET過流(XOCPF)、柵極欠壓(XUVLOF)、溫度警告(OTPW)。
    • 恢復流程:檢測故障→關閉驅動→發(fā)送DE2消息→OE引腳復位。

?五、選型與設計注意事項?

  1. ?熱管理?
    • 封裝熱阻θJA=35°C/W(VQFN),需通過散熱焊盤+過孔散熱。
    • 避免持續(xù)工作在>140°C(警告閾值)。
  2. ?EMC優(yōu)化?
    • 相位節(jié)點添加TVS管(如33V)抑制電壓尖峰。
    • 柵極串聯(lián)電阻與電容(1-10nF)降低dV/dt。
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