2025 年 9 月 26 日，PCIM Asia 2025 圓滿落幕！本屆展會(huì)作為亞洲電力電子領(lǐng)域的重磅平臺(tái)，吸引了來自全球的功率半導(dǎo)體企業(yè)共襄盛舉。博世以明星碳化硅解決方案為核心，從芯片到模塊集中呈現(xiàn)創(chuàng)新實(shí)力，彰顯憑借垂直整合能力帶來的卓越性能與可靠性。

本次展會(huì)上，博世展臺(tái)吸引了超過 2,500 人次的專業(yè)觀眾參觀，逾 500 人次觀看了博世汽車電子視頻號(hào)的線上技術(shù)直播。眾多合作伙伴就博世碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)細(xì)節(jié)、應(yīng)用前景及商務(wù)合作與博世德國(guó)和中國(guó)專家展開了熱烈的探討。

更多展臺(tái)亮點(diǎn)，小編帶你繼續(xù)回顧。

亮點(diǎn)展區(qū)

在全球電氣化浪潮中，博世始終以技術(shù)引領(lǐng)者的姿態(tài)走在前沿。本次展區(qū)精彩紛呈，集中展示了博世的碳化硅明星產(chǎn)品組合。憑借前瞻性的技術(shù)創(chuàng)新和高質(zhì)量的制造交付，每一款產(chǎn)品都凝聚著對(duì)卓越的追求，旨在為客戶創(chuàng)造最佳產(chǎn)品體驗(yàn)。

碳化硅 MOSFET

新型碳化硅電源開關(guān)是專門為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的。碳化硅半導(dǎo)體具有更高的功率密度和效率。更低的能量損耗、更高的開關(guān)頻率和更小的芯片面積，使其在電動(dòng)汽車的使用中更具吸引力。博世提供 1200V 和 750V 兩種電壓等級(jí)的雙通道碳化硅溝槽 MOSFET。并擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的碳化硅技術(shù)，獨(dú)立完成碳化硅的研發(fā)、生產(chǎn)及檢測(cè)。博世對(duì)碳化硅 MOSFET 技術(shù)在性能、可靠性和穩(wěn)健性以及易用性方面進(jìn)行了優(yōu)化。第二代產(chǎn)品改進(jìn)了高溫下的導(dǎo)通電阻、開關(guān)表現(xiàn)、內(nèi)置柵極電阻及布局。750V 的產(chǎn)品已在 2023 年量產(chǎn)，1200V 的產(chǎn)品則在 2024 年量產(chǎn)，后續(xù)將量產(chǎn)的第三代產(chǎn)品會(huì)進(jìn)一步鞏固領(lǐng)先地位。

碳化硅功率模塊

1. 碳化硅功率模塊 PM6 系列

博世碳化硅功率模塊 PM6 在當(dāng)前最小體積下實(shí)現(xiàn)了最大的功率密度。PM6 平臺(tái)有多種輸出電流選擇，具備出色的可靠性。該模塊采用博世第二代碳化硅芯片，通過主電流路徑中創(chuàng)新的無鍵合、無焊接 AIT 設(shè)計(jì)，將陶瓷基板覆蓋在芯片上下兩面，構(gòu)造低電阻和可靠的夾層結(jié)構(gòu)。AMB 直接焊接至散熱器，實(shí)現(xiàn)低熱阻，同時(shí)兼容標(biāo)準(zhǔn)門驅(qū)動(dòng)器。通過 CTE2 匹配的 AIT 結(jié)構(gòu)，PM6 支持更大溫度變化范圍，進(jìn)一步提升整體可靠性與功率密度。

2.緊湊型碳化硅功率模塊 CSL

博世碳化硅功率模塊 CSL 涵蓋了電動(dòng)汽車大眾市場(chǎng)的主要需求。憑借可擴(kuò)展的功率范圍，博世 CSL 功率模塊提供了最大的靈活性：800V 母線電壓下，電流范圍可以覆蓋 410 Arms - 500 Arms；400V 母線電壓下，電流范圍可覆蓋 640 Arms - 800 Arms。該產(chǎn)品具備較小的雜散電感（<6nH），以及較好的均流能力（一個(gè)橋臂上不同芯片溫度差可控制在3℃以內(nèi)），性能領(lǐng)先市場(chǎng)。

電流型柵極驅(qū)動(dòng)芯片 EG12x

EG12x 是一款專為驅(qū)動(dòng)高壓 SiC 或 IGBT 柵極設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng) IC，主要應(yīng)用于新能源汽車的牽引逆變器。該驅(qū)動(dòng)器采用電容耦合技術(shù)，在低壓和高壓領(lǐng)域之間提供電氣隔離。EG12x 可以通過多種分段式柵極驅(qū)動(dòng)電流曲線進(jìn)行配置，以實(shí)現(xiàn)各種工況下開關(guān)損耗和過沖之間的平衡，從而有效提高電控系統(tǒng)的整體效率。

此外，EG12x 集成了完備的故障保護(hù)功能，有效減少了系統(tǒng)所需的物料清單中的元器件數(shù)量，從而在確保安全標(biāo)準(zhǔn)的前提下降低了整體成本并簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

精彩活動(dòng)

硬核直播及技術(shù)演講

博世展位舞臺(tái)持續(xù)精彩，硬核直播及福利互動(dòng)火熱進(jìn)行，為觀眾帶來功率電子的滿滿干貨。博世專家分別就碳化硅 MOSFET、碳化硅功率模塊、EG120 柵極驅(qū)動(dòng)芯片及博世雇主品牌人才發(fā)展的主題進(jìn)行了深入分享，線上線下反響熱烈。

技術(shù)論壇

9 月 24 日，博世功率半導(dǎo)體產(chǎn)品管理總監(jiān) Anne Bedacht 博士在 PCIM 展商論壇上發(fā)表了題為“博世碳化硅產(chǎn)品及優(yōu)勢(shì) —— 助力中國(guó)新能源汽車發(fā)展，滿足客戶需求”的演講。博世作為全球領(lǐng)先的一級(jí)供應(yīng)商，自 2021 年起在中國(guó)領(lǐng)先車企實(shí)現(xiàn) SiC MOSFET 的量產(chǎn)，累計(jì)交付超 5700 萬顆高質(zhì)量芯片。依托專利溝槽技術(shù)，博世不斷提升性能，提供規(guī)?；a(chǎn)能以滿足客戶需求，全面支持中國(guó)電動(dòng)汽車的發(fā)展。

9 月 25 日，博世功率半導(dǎo)體技術(shù)專家 Steffen Beushausen 分享了“博世碳化硅技術(shù)及卓越可靠性：保障新能源汽車長(zhǎng)期安全高效運(yùn)行”的主題演講。Steffen 介紹了博世在功率電子領(lǐng)域的的市場(chǎng)地位、量產(chǎn)成果、技術(shù)優(yōu)勢(shì)及產(chǎn)能布局，并著重講解了博世碳化硅卓越的性能優(yōu)勢(shì)。憑借優(yōu)異的宇宙射線魯棒性，器件能夠在超過額定擊穿電壓的瞬態(tài)條件下工作，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度。

學(xué)術(shù)交流

9月24日，博世高級(jí)客戶項(xiàng)目經(jīng)理方嵐及功率半導(dǎo)體專家周雯琪攜博世功率電子最新研究成果參與了 PCIM 墻報(bào)交流環(huán)節(jié)，分享了最前沿的學(xué)術(shù)洞見。

周雯琪的學(xué)術(shù)論文“A Robust and Reproducible Gate Charge Measurement Approach for SiC MOSFET Characterization” 榮獲“Excellent Poster Award”。

博世是全球少數(shù)具備自研并量產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體能力的汽車零部件供應(yīng)商之一，至今已在該領(lǐng)域深耕逾 20 年。憑借垂直整合的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，博世能夠精準(zhǔn)理解客戶需求，嚴(yán)苛驗(yàn)證產(chǎn)品性能，并持續(xù)推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新。博世碳化硅將繼續(xù)攜手客戶，共創(chuàng)智能電驅(qū)新時(shí)代！