該TPS7A56是一款低噪聲 （2.45μVRMS）、超低壓差線性穩(wěn)壓器 （LDO），能夠提供 6A 電流，壓差僅為 90mV，與輸出電壓無關(guān)。器件輸出電壓可通過單個(gè)外部電阻在 0.5V 至 5V 之間調(diào)節(jié)。低噪聲、高 PSRR（1MHz 時(shí)為 36dB）和高輸出電流能力相結(jié)合，使該TPS7A56專為為噪聲敏感型組件供電而設(shè)計(jì)。這些組件（如射頻放大器、雷達(dá)傳感器、SERDES 和模擬芯片組）可用于雷達(dá)功率、通信和成像應(yīng)用。

需要低輸入、低輸出 （LILO） 電壓作的數(shù)字負(fù)載還受益于卓越的精度、遙感、瞬態(tài)性能和軟啟動(dòng)功能，以提供最佳系統(tǒng)性能。這些負(fù)載包括專用集成電路 （ASIC）、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 （FPGA） 和數(shù)字信號(hào)處理器 （DSP）。多功能性、性能和小尺寸使該 LDO 成為大電流模擬負(fù)載和數(shù)字負(fù)載（如串行器/解串器 （SerDes）、FPGA 和 DSP）的絕佳選擇。大電流模擬負(fù)載包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器 （ADC）、數(shù)模轉(zhuǎn)換器 （DAC） 和成像傳感器。
*附件：tps7a56.pdf

特性

• 輸入電壓范圍：
  • 無偏置：1.1V 至 6.0V
  • 帶偏置：0.7V 至 6.0V
• 輸出電壓噪聲：2.45μVRMS
• 在線路、負(fù)載和溫度范圍內(nèi)的精度為 1%（最大值）
• 低壓差：90mV（6A時(shí)）
• 電源抑制比（6A）：
  • 1kHz時(shí)為100dB
  • 10kHz時(shí)為78dB
  • 100kHz時(shí)為60dB
  • 1MHz時(shí)為36dB
• 負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)：
  • ±3mV，負(fù)載階躍為100mA至6A
• 可調(diào)輸出電壓范圍：0.5V 至 5.0V
• 可調(diào)節(jié)的軟啟動(dòng)浪涌控制
• 偏置導(dǎo)軌：
  • 內(nèi)部電荷泵或3V至11V外部電源軌
  • 內(nèi)部電荷泵可以禁用
• 漏極開路、電源良好 （PG） 輸出
• 包：
  • 3mm × 3mm，16 引腳 WQFN
  • EVM RθJA：21.9°C/W

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?寬輸入電壓范圍?：
  • 無BIAS供電時(shí)：1.1V至6.0V
  • 帶BIAS供電時(shí)：0.7V至6.0V
• ?超低噪聲?：輸出噪聲僅2.45μVRMS，適合噪聲敏感應(yīng)用（如RF放大器、傳感器）。
• ?高精度?：全工況下輸出電壓精度±1%（最大）。
• ?低壓差性能?：6A負(fù)載時(shí)僅90mV壓差。
• ?可調(diào)輸出?：0.5V至5.0V范圍，通過外部電阻設(shè)置。

?2. 關(guān)鍵參數(shù)?

• ? PSRR（電源抑制比） ?：
  • 1kHz時(shí)100dB，1MHz時(shí)仍保持36dB。
• ?負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)?：100mA至6A階躍變化時(shí)僅±3mV波動(dòng)。
• ?封裝與散熱?：3mm×3mm 16引腳WQFN，熱阻低至21.9°C/W（EVM測(cè)試）。

?3. 典型應(yīng)用場(chǎng)景?

• 通信設(shè)備：宏基站射頻單元（RRU）、有源天線系統(tǒng)（AAS）。
• 醫(yī)療與工業(yè)：超聲掃描儀、實(shí)驗(yàn)室儀器、雷達(dá)傳感器。
• 數(shù)字負(fù)載：FPGA、ASIC、DSP供電。

?4. 功能模塊?

• ?BIAS供電?：支持內(nèi)部電荷泵或3V-11V外部偏置，擴(kuò)展輸入電壓下限至0.7V。
• ?軟啟動(dòng)與噪聲抑制?：通過NR/SS引腳配置電容實(shí)現(xiàn)可調(diào)啟動(dòng)時(shí)間與噪聲優(yōu)化。
• ?電源良好（PG）信號(hào)?：開漏輸出，指示輸出電壓狀態(tài)。

?5. 設(shè)計(jì)支持?

• ?布局建議?：強(qiáng)調(diào)低ESL/ESR電容（如22μF陶瓷電容）及接地散熱焊盤優(yōu)化。
• ?熱管理?：最大結(jié)溫150°C，內(nèi)置過熱關(guān)斷保護(hù)（165°C觸發(fā)）。

?6. 文檔結(jié)構(gòu)?

• 包含詳細(xì)引腳功能、電氣特性（如ESD等級(jí)±2000V HBM）、典型性能曲線及典型應(yīng)用電路圖。