這款具有奇偶校驗功能的 JEDEC SSTE32882 28 位 1：2 或 26 位 1：2 和 4 位 1：1 寄存時鐘驅(qū)動器設(shè)計用于在 VDD1.5 V，在 VDD1.35 V 和 V 的 DDR3U 寄存器 DIMMDD的 1.25 V。

所有輸入均兼容 1.5 V、1.35 V 和 1.25 V CMOS。所有輸出都是經(jīng)過優(yōu)化的 CMOS 驅(qū)動器，可在 DDR3 RDIMM 應(yīng)用中驅(qū)動端接走線上的 DRAM 信號。時鐘輸出 Yn 和 Yn 以及控制網(wǎng)絡(luò)輸出 DxCKEn、DxCSn 和 DxODTn 可以以不同的強度和偏斜驅(qū)動，以優(yōu)化信號完整性、補償不同的負載并均衡信號傳輸速度。
*附件：sn74ssqeb32882.pdf

該SN74SSQEB32882具有與四芯片選擇使能相關(guān)的兩種基本作模式 （QCSEN） 輸入。當QCSEN輸入引腳開路（或拉高）時，該元件有兩個芯片選擇輸入DCS0和DCS1，以及每個芯片選擇輸出的兩個拷貝，QACS0、QACS1、QBCS0和QBCS1。這是“禁用 QuadCS”模式。當QCSEN輸入引腳拉低時，該元件有四個芯片選擇輸入DCS[3：0]和四個芯片選擇輸出QCS[3：0]。這是“啟用 QuadCS”模式。在本規(guī)范的其余部分，DCS[n：0]將指示所有芯片選擇輸入，其中n=1表示禁用QuadCS，n=3表示啟用QuadCS。QxCS[n：0] 將指示所有芯片選擇輸出。

該器件還支持將單個器件安裝在 DIMM 背面的模式。如果MIRROR=HIGH，則在這種情況下，輸入總線終端（IBT）必須對所有輸入信號保持啟用狀態(tài)。

SN74SSQEB32882采用差分時鐘（CK和CK）工作。數(shù)據(jù)記錄在 CK 變高和 CK 變低的交叉點處。該數(shù)據(jù)可以重新驅(qū)動到輸出端，也可用于訪問設(shè)備內(nèi)部控制寄存器。

輸入總線數(shù)據(jù)完整性由奇偶校驗功能保護。將所有地址和命令輸入信號相加，并將總和的最后一位與系統(tǒng)在一個時鐘周期后PAR_IN輸入端提供的奇偶校驗信號進行比較。如果它們不匹配，器件將拉動漏極開路輸出 ERROUT LOW?？刂菩盘枺―CKE0、DCKE1、DODT0、DODT1、DCS[n：0]）不屬于此計算的一部分。

該SN74SSQEB32882實現(xiàn)了不同的省電機制，以減少熱功率耗散并支持系統(tǒng)斷電狀態(tài)。通過禁用未使用的輸出，功耗進一步降低。

該封裝經(jīng)過優(yōu)化，可支持高密度 DIMM。通過將輸入和輸出位置對齊 DIMM 手指信號排序和 SDRAM 球出，該器件可以對 DIMM 走線進行去擾亂，從而實現(xiàn)低串擾設(shè)計和低互連延遲。

邊沿控制輸出可減少振鈴并改善SDRAM輸入端的信號眼圖開度。

特性

• 1 對 2 寄存器輸出和 1 對 4 時鐘對
  輸出支持堆疊式 DDR3 RDIMM
• CKE 掉電模式可優(yōu)化系統(tǒng)功耗
• 1.5V/1.35V/1.25V鎖相環(huán)時鐘驅(qū)動器，用于緩沖
  一個差分時鐘對（CK和CK）并分配到四個
  差分輸出
• 1.5V/1.35V/1.25V CMOS輸入
• 檢查命令和地址（CS 門控）數(shù)據(jù)輸入的奇偶校驗
• 可配置的驅(qū)動器強度
• 使用內(nèi)部反饋回路
• 應(yīng)用
  • DDR3 寄存器 DIMM，最高可達 DDR3-1866
  • DDR3L 寄存器 DIMM，最高可達 DDR3L-1600
  • DDR3U 寄存器 DIMM，最高可達 DDR3U-1333
  • 單列、雙列和四列 RDIMM

參數(shù)

?1. 產(chǎn)品概述?
SN74SSQEB32882是德州儀器(TI)推出的28位至56位寄存緩沖器，專為DDR3注冊型雙列直插內(nèi)存模塊(RDIMM)設(shè)計，支持以下特性：

• 工作電壓：1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.25V (DDR3U)
• 集成相位鎖定環(huán)(PLL)，可將1對差分時鐘輸入驅(qū)動為4對輸出
• 支持地址和命令輸入的奇偶校驗功能
• 可配置輸出驅(qū)動強度以優(yōu)化信號完整性

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?模式控制?：通過QCSEN引腳選擇兩種工作模式（QuadCS禁用/啟用），適配不同芯片選擇配置
• ?低功耗設(shè)計?：支持CKE電源關(guān)閉模式，可禁用未使用的輸出以降低功耗
• ?信號完整性優(yōu)化?：邊緣控制輸出減少振鈴，提升SDRAM輸入信號質(zhì)量
• ?高密度封裝?：176引腳BGA封裝（8mm×13.5mm），引腳布局優(yōu)化DIMM布線

?3. 應(yīng)用場景?

• DDR3/DDR3L/DDR3U RDIMM（最高支持DDR3-1866速率）
• 單/雙/四列(Rank)內(nèi)存模塊
• 支持鏡像模式（背面安裝）

?4. 技術(shù)參數(shù)?

• ?絕對最大額定值?：
  • 電源電壓：-0.4V至+1.975V
  • 工作溫度：0°C至85°C（根據(jù)速率節(jié)點，最高殼溫101°C至109°C）
• ?SPD配置?：提供廠商特定字節(jié)（0x80/0x97/0x33）用于系統(tǒng)識別

?5. 封裝與生產(chǎn)信息?

• 型號：SN74SSQEB32882ZALR（帶卷盤包裝）
• 符合RoHS標準，MSL3級濕度敏感等級
• 文檔版本：SCAS896-PUB（2010年6月發(fā)布）