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全球首款全光譜可編程光控憶阻器,科創(chuàng)合作研制!?

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源:半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者:半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2025-09-03 17:40 ? 次閱讀
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在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下,隨著摩爾定律的逐漸逼近極限,馮?諾依曼架構(gòu)的瓶頸愈發(fā)凸顯,如何構(gòu)建高速、低功耗的存算一體化系統(tǒng),成為光學(xué)與電子領(lǐng)域亟待攻克的關(guān)鍵難題。就在近日,一項(xiàng)振奮人心的科研成果橫空出世 —— 全球首款全光譜可編程光控憶阻器成功誕生。這一創(chuàng)新突破源自沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)張西祥教授團(tuán)隊(duì)與浙江大學(xué)薛飛教授團(tuán)隊(duì)的緊密攜手、聯(lián)合攻關(guān),相關(guān)研究成果更是榮登全球頂級(jí)期刊《Nature Nanotechnology》,為神經(jīng)形態(tài)計(jì)算領(lǐng)域開啟了全新的發(fā)展篇章。

突破傳統(tǒng)限制,開辟全光譜響應(yīng)新路徑

長久以來,傳統(tǒng)光控憶阻器一直飽受光譜限制的困擾,其響應(yīng)范圍極為狹窄,極大地束縛了相關(guān)技術(shù)的進(jìn)一步拓展與應(yīng)用。而此次全新推出的全光譜可編程光控憶阻器,宛如一把利劍,成功斬?cái)嗔诉@一枷鎖。該憶阻器巧妙采用氮化硼(hBN)和硅(Si)異質(zhì)結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了從紫外至近紅外波段(375 - 1064nm)的全光譜響應(yīng)。這一突破性進(jìn)展堪稱意義非凡,相較于現(xiàn)有技術(shù),其波長響應(yīng)范圍大幅拓寬了 400% ,猶如為未來光學(xué)神經(jīng)形態(tài)計(jì)算的前行之路點(diǎn)亮了一盞明燈,奠定了極為堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。從此,光控憶阻器不再局限于特定波長的 “小天地”,而是能夠在更廣闊的光譜范圍內(nèi)大顯身手,為諸多復(fù)雜場(chǎng)景下的應(yīng)用提供了無限可能。

三態(tài)靈活切換,模擬生物記憶功能

這款光控憶阻器的卓越之處不僅體現(xiàn)在光譜響應(yīng)上,其在功能模式方面同樣取得了重大突破,具備了極為獨(dú)特的三態(tài)可切換光控記憶功能。當(dāng)處于低功率激光照射時(shí),器件能夠迅速激活瞬態(tài)記憶,宛如模擬生物神經(jīng)元的短期記憶一般,對(duì)信息進(jìn)行短暫留存與快速處理;而當(dāng)切換至高功率激光時(shí),又能瞬間形成長期穩(wěn)定記憶,將重要信息牢牢鎖定,實(shí)現(xiàn)信息的永久存儲(chǔ)。更為驚艷的是,僅需單波長激光,即可輕松完成模式重構(gòu),賦予了設(shè)備無與倫比的靈活性和適應(yīng)性。這一特性使得該憶阻器在不同應(yīng)用場(chǎng)景下都能游刃有余,無論是需要快速處理海量臨時(shí)數(shù)據(jù),還是對(duì)關(guān)鍵信息進(jìn)行長期可靠保存,它都能完美勝任,宛如一個(gè)具備智慧的 “記憶大師”。

極端環(huán)境驗(yàn)證,展現(xiàn)卓越穩(wěn)定性

在實(shí)際應(yīng)用中,器件的穩(wěn)定性與可靠性至關(guān)重要,尤其是在一些極端環(huán)境下。而這款全光譜可編程光控憶阻器在這方面堪稱表現(xiàn)卓越。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示,它能夠在高達(dá) 300℃的高溫環(huán)境下連續(xù)運(yùn)行 106 次,期間性能始終保持穩(wěn)定,毫無衰減跡象;同時(shí),其數(shù)據(jù)保持時(shí)間超過 40,000 秒,展現(xiàn)出了強(qiáng)大的抗干擾能力和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)持久性。此外,該憶阻器還支持 4 英寸晶圓級(jí)均勻制備,且器件尺寸能夠精確控制至 500nm ,這為其大規(guī)模生產(chǎn)與應(yīng)用提供了堅(jiān)實(shí)保障,意味著未來能夠以更低的成本、更高的效率實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),加速相關(guān)技術(shù)在各個(gè)領(lǐng)域的普及。

從技術(shù)創(chuàng)新角度深入剖析,此次合作成果具有多重關(guān)鍵創(chuàng)新點(diǎn)。在材料制備方面,團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地運(yùn)用 250℃低溫等離子體沉積技術(shù),成功在 4 英寸硅基板上制備出均勻且質(zhì)量上乘的氮化硼薄膜。這一工藝革新意義重大,不僅突破了傳統(tǒng)高溫工藝的重重限制,還實(shí)現(xiàn)了與現(xiàn)有半導(dǎo)體生產(chǎn)線工藝的無縫兼容,為后續(xù)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)鋪平了道路。在工作機(jī)制研究上,團(tuán)隊(duì)首次從量子層面深入揭示了其光控記憶模式調(diào)控機(jī)制,發(fā)現(xiàn)氫離子與光電子的協(xié)同作用能夠大幅降低質(zhì)子遷移能壘(較常規(guī)材料降低 67%),這一理論突破為進(jìn)一步優(yōu)化器件性能提供了堅(jiān)實(shí)的理論依據(jù),讓后續(xù)的研發(fā)工作有了更為明確的方向。

展望未來,隨著這款全光譜可編程光控憶阻器技術(shù)的不斷成熟與完善,其應(yīng)用前景將無比廣闊。在智能視覺領(lǐng)域,它有望助力實(shí)現(xiàn)光傳感、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與實(shí)時(shí)處理的高度集成,推動(dòng)仿生視覺芯片的研發(fā)邁向新高度,讓機(jī)器視覺更加接近甚至超越人類視覺水平,為自動(dòng)駕駛、智能監(jiān)控、機(jī)器人視覺等眾多場(chǎng)景帶來革命性變革。在邊緣計(jì)算領(lǐng)域,憑借其高效的存算一體化特性,能夠極大地提升設(shè)備在本地處理數(shù)據(jù)的能力,減少數(shù)據(jù)傳輸延遲,提高系統(tǒng)響應(yīng)速度,為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、移動(dòng)終端等提供更強(qiáng)大的計(jì)算支持。可以預(yù)見,在不久的將來,這款凝聚著科研團(tuán)隊(duì)智慧與心血的創(chuàng)新器件,將如同星星之火,在諸多領(lǐng)域引發(fā)燎原之勢(shì),為推動(dòng)科技進(jìn)步與社會(huì)發(fā)展注入強(qiáng)大動(dòng)力。

審核編輯 黃宇

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