Texas Instruments DRV8952 55V四通道半橋驅(qū)動(dòng)器是一款適用于各種工業(yè)應(yīng)用的寬電壓、高功率、四通道半橋驅(qū)動(dòng)器。該器件支持高達(dá)55V的電源電壓，集成式MOSFET具有50mΩ 導(dǎo)通電阻，采用DDW封裝時(shí)，每個(gè)輸出的電流最高可達(dá)5A；采用PWP封裝時(shí)，每個(gè)輸出的電流最高可達(dá)4A。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments DRV8952 55V四通道半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

Texas Instruments DRV8952可用于驅(qū)動(dòng)最多四個(gè)螺線管或閥門(mén)、一個(gè)步進(jìn)電機(jī)、兩個(gè)有刷直流電機(jī)、一個(gè) BLDC或PMSM電機(jī)以及最多兩個(gè)熱電冷卻器（珀耳帖元件）。器件的輸出級(jí)包括配置為四個(gè)獨(dú)立半橋的N溝道功率MOSFET、電荷泵穩(wěn)壓器、電流檢測(cè)和調(diào)節(jié)電路、電流檢測(cè)輸出以及保護(hù)電路。

高側(cè)MOSFET上的集成電流檢測(cè)功能可讓器件在負(fù)載從輸出端接地時(shí)調(diào)節(jié)電流?？烧{(diào)外部電壓基準(zhǔn) (VREF) 可設(shè)置電流調(diào)節(jié)限值。對(duì)于DDW封裝，該器件還提供四個(gè)比例電流輸出引腳，每個(gè)引腳對(duì)應(yīng)一個(gè)半橋高側(cè)FET。可選的外部檢測(cè)電阻可從PGND引腳連接到系統(tǒng)接地。

提供一種低功耗睡眠模式，可實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流。提供的內(nèi)部保護(hù)特性包括：電源欠壓鎖定 (UVLO)、電荷泵欠壓 (CPUV) 保護(hù)、輸出過(guò)流 (OCP) 保護(hù)和器件過(guò)熱 (OTSD) 保護(hù)。

特性

四通道半橋驅(qū)動(dòng)器
- 每個(gè)半橋獨(dú)立控制
工作電源電壓范圍：4.5V至55V
低R ~DS(ON) ~ ：每個(gè)FET 50mΩ（24V、25°C）
大電流容量
- DDW封裝每個(gè)輸出高達(dá)5A
- PWP封裝每路輸出電流高達(dá)4A
可驅(qū)動(dòng)各種類型的負(fù)載
- 最多四個(gè)螺線管或閥門(mén)
- 一臺(tái)步進(jìn)電機(jī)
- 兩個(gè)有刷直流電機(jī)
- 一個(gè)或兩個(gè)熱電冷卻器 (TEC)
- 一臺(tái)三相無(wú)刷直流電機(jī)
- 一臺(tái)三相永磁同步電動(dòng)機(jī) (PMSM)
集成電流檢測(cè)和調(diào)節(jié)
- 高側(cè)MOSFET的電流檢測(cè)
- 每個(gè)半橋 (DDW) 的IPROPI輸出
- 最大電流下5%的感應(yīng)精度
- 可選的外部檢測(cè)電阻器

簡(jiǎn)化示意圖

DRV8952 55V四通道半橋驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品核心特性

DRV8952是德州儀器(TI)推出的高集成度四通道半橋驅(qū)動(dòng)器，具有以下突出特性：

?寬電壓工作范圍?：4.5V至55V供電
?高電流驅(qū)動(dòng)能力?：
- DDW封裝：每通道5A持續(xù)電流
- PWP封裝：每通道4A持續(xù)電流
?超低導(dǎo)通電阻?：
- 高邊FET典型值54mΩ @25°C
- 低邊FET典型值58mΩ @25°C
?集成電流檢測(cè)?：
- 高邊MOSFET電流鏡像輸出(DDW封裝)
- 5%精度電流檢測(cè)
- 支持外接檢測(cè)電阻
?多重保護(hù)機(jī)制?：
- 欠壓鎖定(UVLO)
- 過(guò)流保護(hù)(OCP)
- 熱關(guān)斷(OTSD)
- 故障指示輸出(nFAULT)

二、關(guān)鍵參數(shù)分析

1. 電氣特性

參數(shù)	條件	最小值	典型值	最大值	單位
供電電壓(VM)	工作范圍	4.5	-	55	V
靜態(tài)電流	VCC=5V,無(wú)負(fù)載	-	4	7	mA
睡眠模式電流	nSLEEP=0	-	3	8	μA
高邊FET導(dǎo)通電阻	TJ=25°C,IO=-5A	-	54	63	mΩ
低邊FET導(dǎo)通電阻	TJ=25°C,IO=5A	-	58	66	mΩ
輸出上升/下降時(shí)間	MODE=0	-	140	-	ns

2. 熱性能參數(shù)

結(jié)至環(huán)境熱阻(θJA)：
- DDW封裝：22.5°C/W
- PWP封裝：24.5°C/W
最大結(jié)溫：150°C
熱關(guān)斷閾值：165°C

三、應(yīng)用場(chǎng)景

1. 工業(yè)自動(dòng)化

?優(yōu)勢(shì)特性?：
- 集成四通道獨(dú)立控制
- 支持PWM頻率高達(dá)200kHz
- 直接驅(qū)動(dòng)多達(dá)四個(gè)電磁閥或繼電器

2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)

?支持電機(jī)類型?：
- 2個(gè)有刷直流電機(jī)
- 1個(gè)步進(jìn)電機(jī)
- 1個(gè)三相無(wú)刷電機(jī)(BLDC/PMSM)
?保護(hù)功能?：
- 自動(dòng)死區(qū)時(shí)間控制(300ns)
- 可選故障恢復(fù)模式(鎖存/自動(dòng)重試)

3. TEC驅(qū)動(dòng)

?溫度控制方案?：
- 雙通道雙向電流驅(qū)動(dòng)
- 集成PWM控制接口
- LC濾波支持低紋波操作

四、設(shè)計(jì)要點(diǎn)

1. 電源設(shè)計(jì)

?輸入濾波?：
- 每VM引腳配置0.01μF陶瓷電容
- 增加大容量電解電容(推薦≥100μF)
?電荷泵配置?：
- VCP引腳：1μF/16V陶瓷電容
- CPH-CPL引腳：0.1μF陶瓷電容

2. PCB布局指南

?功率路徑?：
- 使用寬銅箔降低寄生電感
- 功率地與信號(hào)地分離
?熱管理?：
- 熱焊盤(pán)連接至大面積銅箔
- 添加多個(gè)散熱過(guò)孔(推薦≥8個(gè))
?電流檢測(cè)?：
- IPROPI走線遠(yuǎn)離開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)
- 開(kāi)爾文連接外部檢測(cè)電阻

五、性能優(yōu)化建議

?降低熱阻?：
- 使用2oz銅厚PCB
- 增加散熱焊盤(pán)面積
- 優(yōu)化空氣流動(dòng)路徑
?提高效率?：
- 根據(jù)負(fù)載選擇最佳PWM頻率
- 利用MODE引腳優(yōu)化開(kāi)關(guān)速度
?EMI抑制?：
- 關(guān)鍵信號(hào)線使用guard ring
- 電源層與地層緊密耦合

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