測量FMD芯片（假設為充電管理或電源管理芯片）的好壞需要結合硬件檢測、功能測試和協(xié)議驗證。以下是具體方法，分步驟說明：

1. 目測檢查

物理損壞
觀察芯片表面是否有燒焦、裂紋、鼓包或焊點脫落（尤其是輸入/輸出引腳）。

外圍元件檢查
檢查與芯片連接的電容、電阻、電感是否損壞（如電容漏液、電感燒毀）。

2. 基本電壓測試

輸入電壓檢測
用萬用表測量芯片輸入引腳（如VIN）電壓是否正常（例如：220V AC整流后的300V DC，或12V DC輸入）。

輸出電壓檢測
測試芯片輸出端（如VOUT）是否有目標電壓（如5V/9V/12V）。若輸出電壓為0或波動異常，芯片可能損壞。

基準電壓（VREF）
部分芯片有基準電壓引腳（如1.2V/2.5V），若偏離正常值，說明內部電路故障。

3. 協(xié)議握手驗證

快充協(xié)議觸發(fā)測試
使用USB協(xié)議測試儀（如Power-Z KT002）連接充電器，檢測是否能正確觸發(fā)PD、QC等協(xié)議，并輸出協(xié)議標稱的電壓/電流（如20V/5A）。

負載能力測試
接入電子負載儀，逐步增加電流，觀察輸出電壓是否穩(wěn)定（如標稱20V/5A時，電壓跌落不超過5%）。

4. 發(fā)熱與保護機制測試

溫度檢測
在空載和滿載狀態(tài)下，用紅外測溫槍測量芯片溫度。異常高溫（如超過85°C）可能表明內部短路或效率低下。

保護功能觸發(fā)
人為制造過壓、過流或短路，測試芯片是否觸發(fā)保護（如自動切斷輸出，并在故障解除后恢復）。

5. 動態(tài)波形分析（專業(yè)設備）

示波器檢測
觀察芯片關鍵引腳波形（如PWM控制信號、同步整流信號）：

若PWM占空比異?；驘o信號，可能是芯片內部控制器失效。

同步整流波形混亂可能導致效率下降。

開關頻率驗證
高頻開關芯片（如GaN器件）需驗證開關頻率是否正常（例如65kHz或MHz級）。

6. 替代法與對比測試

替換芯片
若外圍電路正常，可更換同型號芯片驗證是否恢復功能。

對比參數(shù)
將疑似故障芯片與正常芯片對比測量引腳電阻（斷電狀態(tài)）或電壓（通電狀態(tài)）。

7. 常見故障現(xiàn)象

完全無輸出：芯片供電異?；騼炔慷搪?。

輸出電壓不穩(wěn)：反饋環(huán)路損壞（如FB引腳外圍電阻失效）。

無法觸發(fā)快充：協(xié)議通信模塊故障（如CC1/CC2引腳損壞）。

異常發(fā)熱：內部MOS管擊穿或驅動電路失效。

注意事項

安全操作：高壓測試時斷電操作，避免觸電。

防靜電措施：芯片敏感，需佩戴防靜電手環(huán)。

外圍電路排除：先確認外圍元件（如電容、電感、二極管）正常，避免誤判芯片問題。

通過以上步驟，可系統(tǒng)性判斷FMD芯片是否損壞。若缺乏專業(yè)設備，優(yōu)先通過輸出電壓、協(xié)議握手和溫度檢測進行初步診斷，復雜故障建議交由專業(yè)維修人員處理。

審核編輯 黃宇