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54%關稅之后,我們才看懂ST和英諾賽科這場GaN合作的真正價值

Big-Bit商務網 ? 來源:Big-Bit商務網 ? 作者:Big-Bit商務網 ? 2025-07-23 16:31 ? 次閱讀
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近日,美國宣布對全球大多數進口商品加征10%基礎關稅,并對包括中國在內的多個國家追加“對等關稅”,將中國商品綜合稅率推升至54%。中國隨后反制,擴大關稅覆蓋面并收緊部分關鍵材料出口。

地緣風險和全球制造成本被再次推上臺面。

對于高度依賴全球制造網絡的半導體行業(yè)而言,這一輪政策調整不僅抬高了成本,也將“在哪里制造”成為影響定價結構與交付路徑的核心變量。

就在政策正式公布前三天,意法半導體(以下簡稱“ST”)與英諾賽科宣布在GaN功率器件領域達成制造合作:ST將在中國使用英諾賽科的晶圓產線生產其產品,英諾賽科則將借助ST在歐洲的產線完成自身晶圓制造。

這是一種由兩家IDM建立的前端制造協(xié)作方式,不僅打通了制造資源的雙向使用,也在工藝流程、產線認證和區(qū)域部署上實現(xiàn)了結構互認。

它所呈現(xiàn)出的,不只是制造路徑的重組,更是一種能力形態(tài)的變化:制造能力正從單純的產能調度,演變?yōu)槠髽I(yè)能否在成本波動、政策不確定與交付挑戰(zhàn)中保持持續(xù)出貨能力的基礎結構。

這種結構能力,正在被越來越多企業(yè)視作“制造自由”——指的是制造資源能否按需部署、靈活切換,并在不同制度環(huán)境下實現(xiàn)穩(wěn)定交付。

在這樣的語境下,ST與英諾賽科的合作提供了一個清晰樣本。

01 54%關稅之后,制造自由成為供應鏈第一變量

2025年4月2日,美國政府宣布對除美加墨外的大多數進口商品加征10%的基礎關稅,并對包括中國在內的60多個國家追加“對等關稅”,中國輸美商品的綜合稅率被推升至54%。政策發(fā)布當天即生效,美國海關同步調整通關程序,加快稅率結算并限制暫緩執(zhí)行條款。

兩天后,中國予以反制。自4月10日起,對原產于美國的所有進口商品加征34%關稅,并對部分關鍵技術和材料加強出口管制,調整配額審批機制,擴大不可靠實體清單。

與過往圍繞特定品類或雙邊關系的貿易摩擦不同,這輪關稅措施呈現(xiàn)出三個特征:波及范圍廣,執(zhí)行效率高,政策穿透深。不僅對制造環(huán)節(jié)本身構成價格壓力,更對供應鏈結構帶來連鎖影響。

在這一輪關稅背后,真正被重新定價的,是“制造在哪里”這件事。

半導體行業(yè)尤其敏感。晶圓制造、封裝測試、模組整合和終端交付常常分別位于不同國家和地區(qū),制造路徑天然跨境。在這種結構下,路徑上的每一次區(qū)域切換,都可能引發(fā)稅率重算、通關流程重排、成本結構再配置。

而幾乎所有半導體產品的制造與交付路徑都高度全球化。一旦制造地進入關稅敏感區(qū),其背后的成本結構就可能被政策直接改寫。

制造路徑能否具備跨區(qū)調配的靈活性,是否可以對沖制度性波動,開始成為定價策略和交付節(jié)奏的前提約束。

02 IDM互為制造? ST與英諾賽科打破了什么結構

而就在美國關稅政策落地前三天,一場看似常規(guī)的制造合作,預先搭建了一個可配置、可調度、可背書的制造路徑。

在地緣博弈推動制造成為核心變量的當口,ST與英諾賽科在GaN領域的合作應當被重新審視。它所觸及的制造協(xié)作方式,正在構成一個新的結構信號。

根據官方新聞稿,雙方將在氮化鎵(GaN)功率器件領域展開技術開發(fā)與制造協(xié)作,其中最引人注目的條款,是制造產能的“雙向使用”:ST將利用英諾賽科在中國的晶圓產線生產其GaN器件,而英諾賽科也將借助ST在中國以外的制造設施完成自身產品的生產。

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這不是一次常規(guī)的供應鏈配套,它明確地將制造能力彼此開放,并跨越了地理和政策的邊界。

這一模式的特殊性在于——它發(fā)生在兩個IDM之間。過去,IDM體系內部的制造資源幾乎都是自用閉環(huán),即使偶有產能共享,也多集中于封測環(huán)節(jié)。

而此次合作直接打通的是前端晶圓制造,在晶圓工藝、質量認證、產線標準化方面必須高度對齊。這種跨IDM之間的制造背書,尚屬首次。

從制造結構角度看,這種協(xié)作打破了兩個邊界:

一是制造資源的使用權邊界:制造不再是“自己造”,而是“誰能為我造、造得出我標準的產品”;

二是制造地的制度邊界:產能配置不再依附于總部所在國或主要市場,而是面向全球構建可部署的路徑組合。

這也意味著,制造的“信任機制”正在發(fā)生變化。從以往的“工廠是否可控”,演變?yōu)椤爸圃炷芰κ欠窨沈炞C、可復用、可轉移”。工藝標準化、品控流程一致性和交付信任機制,將成為制造協(xié)作能否走出企業(yè)邊界的必要前提。

ST與英諾賽科這場合作,不只是產能補位,而是在制造路徑地理分布與工藝層結構層面,為“制造自由”提供了一個現(xiàn)實可行的操作樣本。它展示出,即使在IDM之間,只要標準一致、認證互通,也可以實現(xiàn)跨制度、跨區(qū)域的產線協(xié)同。

這不僅緩解了個體產線負荷問題,更建立起在全球制造不確定性加劇背景下,一種具備可調性與可背書能力的交付體系。

03 制造自由≠自建產線,是制造網絡的信任可控分布

在此次關稅調整之后,制造路徑的地理分布與政策暴露度,已從后臺參數變成訂單配置的一部分。制造不再只是技術問題,而是能否建立結構冗余、應對政策波動的能力。

在過往的IDM邏輯中,制造是一種封閉資產,是企業(yè)技術能力和產能規(guī)模的象征;而在Fabless體系中,制造則是被外包的、標準化的、可調度的。而當制造路徑遭遇政策高壓與地理敏感,這兩種傳統(tǒng)范式正在GaN賽道上顯露出新的張力。

ST與英諾賽科的GaN制造合作,提供了一種不同的路徑參考:不是單純擴產,也不是徹底外包,而是“雙IDM間制造互信+地理互補”的柔性協(xié)同模式:

ST將自身GaN產品的部分前端產能交由英諾賽科位于中國的晶圓線制造;

英諾賽科則獲得ST位于中國以外產線的支持,為其全球客戶預留政策彈性;

雙方保留設計自主與產品差異化,在制造流程上建立互認,意味著制造節(jié)點可以跨境調度、產出具備交付背書,且不干擾各自產品節(jié)奏。

這種模式的關鍵在于:它不是把制造變成一項固定資產,而是將制造能力嵌入一個可調用、可互認、可跨區(qū)信任交付的網絡中。

這對當前的國產GaN企業(yè),是一次現(xiàn)實鏡像:

大多數廠商已完成從設計突破到量產落地的第一躍遷,下一步的挑戰(zhàn)不是“能不能做出來”,而是“做出來的東西能不能被接受”;

高壓功率器件對制造合規(guī)性要求極高,穩(wěn)定產線、認證機制、制造簽名都是出貨門檻;

“出海”不只是把產品寄出去,更是要構建一條能被終端客戶與政策體系信任的制造路徑。

ST與英諾賽科的合作提供了一種可能路徑:

在制造資質尚未完全建立前,是否可以通過結構性協(xié)作,構建“部分制造外派 + 全球制造聯(lián)?!钡闹虚g模式?

是否可以讓“出海制造”從高門檻能力,變成可配置的交付組件?

制造自由的價值,在過去或許只是優(yōu)化手段,而在今天,則是對抗政策變量的前提機制。制造能力是否具備結構彈性,能否在政策變量下完成交付,正在成為全球制造體系的基本能力要求。

這場由54%關稅放大的沖擊,也正在把“制造自由”的問題推向整個半導體產業(yè)鏈的決策核心。

這場合作帶來的啟示,也許不只局限于GaN,更屬于每一個正在重構制造路徑的半導體企業(yè)。

本文為嗶哥嗶特資訊原創(chuàng)文章,未經允許和授權,不得轉載,

審核編輯 黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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