電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）2024年12 月 30 日，英諾賽科在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。此次發(fā)行45,364,000股，發(fā)行價為30.86港元。

2024年6月，英諾賽科（珠海）科技有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）向港交所遞交了上市申請。同年12月，英諾賽科通過IPO備案。英諾賽科的港交所上市之路進展順利。此次IPO，英諾賽科擬募資13.999億港元。

氮化鎵全球第一，虧損幅度逐年收窄

英諾賽科是全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，也是唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產(chǎn)品的公司。其產(chǎn)品包括氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、氮化鎵集成電路及氮化鎵模組等。按收入計，在2023年全球所有氮化鎵功率半導體公司中，英諾賽科排名第一，市場份額為33.7%。

具體來看，公司氮化鎵分立器件及集成電路、氮化鎵晶圓、氮化鎵模組三大類產(chǎn)品營收占總營收的比例基本都在30%左右。在2023年推出氮化鎵模組后，當年便產(chǎn)生了占總收入的32.1%的營收。

2023年，英諾賽科的全球市場收入為人民幣592.7百萬元，中國市場收入為人民幣534.8百萬元，分別占全球功率半導體市場及中國功率半導體市場的0.2%及 0.4%。

可以說，英諾賽科是氮化鎵功率半導體領域的龍頭企業(yè)。在完成IPO前的最后一輪融資后，估值超234億元。

不過正是這樣的一家龍頭企業(yè)，卻始終增收不增利，截至今年上半年還處于虧損狀態(tài)。招股書顯示，英諾賽科2021年、2022年、2023年、2024年上半年營收分別為6821.5萬元、1.36億元、5.93億元、3.85億元，營收實現(xiàn)穩(wěn)速增長；同期凈利潤分別為-33.99億元、-22.05億元、-11.02億元、-4.88億元，合計虧損超70億元，凈利潤虧損幅度有所收窄。只不過毛虧損有所擴大，同期分別為1.82億、3.94億、3.62億元、8324萬元。

英諾賽科營收情況

毛損率由2021年的266.1%增加至2022年的289.4%，英諾賽科在招股書中解釋，一方面是因為英諾賽科由2021年初始研發(fā)階段過渡至2022年量產(chǎn)階段，而且我們的毛損率在穩(wěn)定量產(chǎn)階段中達至更高的生產(chǎn)效率前出現(xiàn)波動。另一方面，英諾賽科投入使用的工廠、建筑物以及設備及機械的數(shù)量不斷增加，折舊及攤銷以及工程及維護成本不斷增加。

在產(chǎn)品方面，英諾賽科的氮化鎵分立器件及氮化鎵集成電路的毛損率于2021年至2022年轉(zhuǎn)差，是因為在2022年公司對推出多款全新的低電壓氮化鎵芯片產(chǎn)品，采取策略性定價以滲透市場。

近兩年來，國內(nèi)分立器件市場競爭激烈，特別是在前兩年消費電子市場需求疲軟，多家分立器件企業(yè)采取了降價去庫存的策略，公司營收整體出現(xiàn)下滑。例如從各家上市的分立器件廠商的2023年上半年業(yè)績來看，立昂微、新潔能等企業(yè)均出現(xiàn)了營收凈利雙降。英諾賽科同樣受到市場行情的影響。

積極的一面是，2022年，隨著晶圓產(chǎn)品達到較高的良率，降低每件成本，英諾賽科氮化鎵晶圓的毛損率于同期則略有改善。

研發(fā)支出產(chǎn)能利用率70%以上，研發(fā)投資轉(zhuǎn)為商業(yè)成功

英諾賽科的虧損也與公司采用IDM模式有關，采用IDM模式的的公司通常在產(chǎn)能提升階段經(jīng)歷需投入大量資本及研發(fā)支出的周期過程，可能會導致短期虧損。

招股書顯示，英諾賽科2021-2023年，英諾賽科研發(fā)開支分別為6.62億元、5.81億元、3.48億元，分別占總營收的970.0%、426.7%、58.8%。隨著工程測試開支的減少，英諾賽科研發(fā)支出逐年下降，2024年上半年的研發(fā)開支為1.45億元。2022年第二季度，公司進入量產(chǎn)階段，初始研發(fā)投資開始轉(zhuǎn)化為商業(yè)成功。

隨著技術研發(fā)投入，英諾賽科氮化鎵產(chǎn)品組合不斷豐富，并在900V至1,200V高壓產(chǎn)品及15V至30V低壓產(chǎn)品的開發(fā)方面不斷創(chuàng)新。產(chǎn)品應用領域從從消費級邁向工業(yè)級，并正在向車規(guī)級邁進。

英諾賽科基于8英吋硅基氮化鎵技術平臺開發(fā)了一系列技術，包括氮化鎵材料技術、8 英吋硅基氮化鎵產(chǎn)品設計技術，及8英吋硅基氮化鎵生產(chǎn)工藝技術。截至2024年6 月30日，英諾賽科的研發(fā)工作已于全球累積319項專利及430項專利申請。

英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產(chǎn)基地，產(chǎn)能為每月12,500 片晶圓，晶圓良率超過95%。在產(chǎn)能方面，2021年、2022年、2023年以及截至2024年上半年，英諾賽科的產(chǎn)能利用率分別為72.3%、69.8%、71.8%及72.8%。