摘要
在航天領(lǐng)域,衛(wèi)星系統(tǒng)的可靠運(yùn)行對(duì)電子元件的抗輻照性能提出了嚴(yán)苛要求。微控制單元(MCU)作為衛(wèi)星載荷電機(jī)控制器的核心部件,其穩(wěn)定性與可靠性直接關(guān)系到衛(wèi)星任務(wù)的成敗。本文聚焦抗輻照MCU在衛(wèi)星載荷電機(jī)控制器中的應(yīng)用實(shí)踐,以國(guó)科安芯的AS32S601型MCU芯片為例,深入分析其在衛(wèi)星載荷電機(jī)控制場(chǎng)景下的優(yōu)勢(shì)、挑戰(zhàn)及應(yīng)對(duì)策略,旨在為相關(guān)領(lǐng)域的工程設(shè)計(jì)與技術(shù)選型提供科學(xué)依據(jù)與有益參考。
一、引言
隨著航天技術(shù)的飛速發(fā)展,衛(wèi)星系統(tǒng)日益復(fù)雜化與精細(xì)化,其對(duì)電子元件的抗輻照性能要求也不斷提高。在太空環(huán)境中,高能粒子輻射成為影響電子設(shè)備可靠性的關(guān)鍵因素之一。這些高能粒子可能引發(fā)單粒子效應(yīng),導(dǎo)致存儲(chǔ)單元狀態(tài)翻轉(zhuǎn)、電路鎖定甚至永久性損壞等問題,進(jìn)而影響衛(wèi)星的正常運(yùn)行甚至導(dǎo)致任務(wù)失敗。電機(jī)控制器作為衛(wèi)星姿態(tài)控制和載荷驅(qū)動(dòng)的核心部件,其可靠性直接關(guān)系到衛(wèi)星的姿態(tài)穩(wěn)定性和任務(wù)執(zhí)行能力。MCU作為電機(jī)控制器的核心部件,承擔(dān)著精確調(diào)控電機(jī)運(yùn)行的關(guān)鍵任務(wù)。因此,研發(fā)和應(yīng)用具備優(yōu)異抗輻照性能的MCU對(duì)于提升衛(wèi)星系統(tǒng)的可靠性具有至關(guān)重要的意義。
二、衛(wèi)星載荷電機(jī)控制器的抗輻照需求
衛(wèi)星在軌道運(yùn)行過程中,會(huì)受到宇宙射線、太陽(yáng)高能粒子以及地球輻射帶等多種輻射源的影響。這些高能粒子穿透衛(wèi)星內(nèi)部的電子設(shè)備時(shí),可能引發(fā)單粒子效應(yīng),導(dǎo)致存儲(chǔ)單元狀態(tài)翻轉(zhuǎn)(單粒子翻轉(zhuǎn),SEU)、電路鎖定(單粒子鎖定,SEL)甚至永久性損壞等問題。對(duì)于衛(wèi)星載荷電機(jī)控制器而言,一旦MCU受到輻射影響而出現(xiàn)故障,可能會(huì)導(dǎo)致衛(wèi)星姿態(tài)失控、載荷無法正常工作等嚴(yán)重后果。因此,衛(wèi)星載荷電機(jī)控制器中的MCU必須具備出色的抗輻照性能,以確保在復(fù)雜輻射環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
具體而言,衛(wèi)星載荷電機(jī)控制器在抗輻照方面的需求主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:
單粒子效應(yīng)防護(hù) :MCU需要能夠抵御一定能量范圍內(nèi)的高能粒子轟擊,避免因單粒子效應(yīng)導(dǎo)致的邏輯狀態(tài)錯(cuò)誤、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)錯(cuò)誤或電路鎖定等問題,確保控制指令的準(zhǔn)確執(zhí)行和電機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。
累積輻射效應(yīng)耐受 :長(zhǎng)期暴露在太空輻射環(huán)境中,MCU及其相關(guān)電路可能會(huì)受到累積輻射效應(yīng)的影響,導(dǎo)致器件性能退化、參數(shù)漂移等問題。因此,MCU應(yīng)具備一定的抗累積輻射效應(yīng)能力,以保證在衛(wèi)星壽命周期內(nèi)的可靠運(yùn)行。
環(huán)境適應(yīng)性與穩(wěn)定性 :除了輻射因素外,衛(wèi)星載荷電機(jī)控制器還需要適應(yīng)太空環(huán)境中的溫度變化、真空條件、微振動(dòng)等復(fù)雜環(huán)境因素。MCU應(yīng)能夠在寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,并具備良好的抗電磁干擾能力,以確保在惡劣環(huán)境下的正常運(yùn)行。
三、抗輻照MCU的技術(shù)特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)
(一)高性能內(nèi)核與豐富存儲(chǔ)資源
AS32S601基于自研E7內(nèi)核,帶有FPU與L1Cache,最高頻率可達(dá)180MHz,具備804DIMPS/2.68DIMPS/MHz的運(yùn)算性能。其內(nèi)置512KiBSRAM(帶ECC)、512KiBD-Flash(帶ECC)以及2MiBP-Flash(帶ECC),豐富的存儲(chǔ)資源能夠滿足衛(wèi)星載荷電機(jī)控制程序的存儲(chǔ)需求,并支持復(fù)雜控制算法的高效運(yùn)行,為精確控制電機(jī)提供強(qiáng)大的計(jì)算與存儲(chǔ)支持。
在衛(wèi)星載荷電機(jī)控制應(yīng)用中,高性能內(nèi)核能夠快速處理各種復(fù)雜的控制算法,如矢量控制、直接轉(zhuǎn)矩控制、滑模變結(jié)構(gòu)控制等,實(shí)現(xiàn)電機(jī)的高精度位置、速度和轉(zhuǎn)矩控制。同時(shí),豐富存儲(chǔ)資源可以存儲(chǔ)大量的控制程序代碼、參數(shù)配置以及歷史數(shù)據(jù)等,為電機(jī)控制系統(tǒng)的智能化和自適應(yīng)控制提供了基礎(chǔ)支持。
(二)功能安全與可靠性設(shè)計(jì)
該MCU符合AEC-Q100grade1認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn),具備完善的安全設(shè)計(jì)機(jī)制。如采用延遲鎖步方法保障內(nèi)核操作安全,存儲(chǔ)器及數(shù)據(jù)路徑采用端到端ECC保護(hù),時(shí)鐘由多個(gè)分立的CMU進(jìn)行監(jiān)控,電源由PMU與ADC配合監(jiān)控等。這些設(shè)計(jì)措施有效提升了MCU在復(fù)雜太空環(huán)境下的抗干擾能力和可靠性,降低了因輻射等因素導(dǎo)致的功能故障風(fēng)險(xiǎn),確保衛(wèi)星載荷電機(jī)控制系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。
此外,AS32S601還集成了故障檢測(cè)與處理模塊(如FCU),能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)中的異常情況,并采取相應(yīng)的措施進(jìn)行處理,如觸發(fā)中斷、復(fù)位等,進(jìn)一步增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性與容錯(cuò)能力。
(三)多種通信接口與靈活的系統(tǒng)集成能力
AS32S601提供了豐富的通信接口,包括6路SPI、4路CAN、4路USART、1個(gè)以太網(wǎng)(MAC)模塊、4路I2C等。通過這些接口,能夠方便地與衛(wèi)星系統(tǒng)的其他部件進(jìn)行通信與連接,實(shí)現(xiàn)電機(jī)控制器與星載計(jì)算機(jī)、傳感器、執(zhí)行機(jī)構(gòu)等的高效數(shù)據(jù)交互,滿足衛(wèi)星載荷電機(jī)控制系統(tǒng)的復(fù)雜通信需求,提高系統(tǒng)的集成度和擴(kuò)展性。
例如,在衛(wèi)星姿態(tài)控制應(yīng)用中,電機(jī)控制器需要與星敏感器、陀螺儀等傳感器進(jìn)行實(shí)時(shí)通信,獲取衛(wèi)星的姿態(tài)信息,并根據(jù)這些信息快速調(diào)整電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài),以實(shí)現(xiàn)衛(wèi)星的姿態(tài)穩(wěn)定。AS32S601的多種通信接口能夠滿足不同傳感器和執(zhí)行機(jī)構(gòu)的通信要求,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)之間的無縫連接與高效協(xié)同工作。
(四)低功耗特性
在太空環(huán)境中,衛(wèi)星的能源供應(yīng)相對(duì)有限,因此對(duì)電子設(shè)備的功耗控制要求嚴(yán)格。AS32S601型MCU具有低功耗特性,其休眠電流≤200uA(可喚醒),典型工作電流≤50mA,能夠在保證電機(jī)控制性能的前提下有效降低功耗,延長(zhǎng)衛(wèi)星的使用壽命,提高能源利用效率,適應(yīng)衛(wèi)星系統(tǒng)的能源約束條件。
低功耗特性不僅有助于延長(zhǎng)衛(wèi)星的使用壽命,還可以減少散熱設(shè)計(jì)的復(fù)雜性,降低系統(tǒng)的總體重量和體積,為衛(wèi)星的其他部件節(jié)省更多的空間和資源。
(五)開發(fā)與調(diào)試支持
AS32S601提供了完善的開發(fā)與調(diào)試工具鏈,包括集成開發(fā)環(huán)境、調(diào)試器、編譯器等,方便工程師進(jìn)行軟件開發(fā)與調(diào)試。其調(diào)試接口滿足RISC-V Debug Spec 0.13.2標(biāo)準(zhǔn),帶有JTAG接口的調(diào)試器能夠訪問內(nèi)部的寄存器與存儲(chǔ)器,控制程序的運(yùn)行/停止/復(fù)位等操作,為電機(jī)控制系統(tǒng)的開發(fā)與優(yōu)化提供了有力支持。
此外,AS32S601的指令集與架構(gòu)具有良好的可擴(kuò)展性,能夠方便地進(jìn)行軟件移植與二次開發(fā),提高開發(fā)效率,縮短產(chǎn)品研發(fā)周期。
四、抗輻照MCU在衛(wèi)星載荷電機(jī)控制器中的應(yīng)用
(一)電機(jī)控制算法的實(shí)現(xiàn)
在衛(wèi)星載荷電機(jī)控制器中,MCU需要執(zhí)行復(fù)雜的電機(jī)控制算法以實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的精確控制。AS32S601的高性能內(nèi)核能夠高效運(yùn)行各種先進(jìn)的控制算法,如矢量控制算法、直接轉(zhuǎn)矩控制算法等。矢量控制算法通過對(duì)電機(jī)定子電流進(jìn)行矢量分解和控制,實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)轉(zhuǎn)矩和磁通的獨(dú)立控制,從而提高電機(jī)的控制精度和動(dòng)態(tài)性能。直接轉(zhuǎn)矩控制算法則通過直接控制電機(jī)的定子磁鏈和轉(zhuǎn)矩,實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的快速響應(yīng)和高精度控制。
同時(shí),AS32S601的豐富存儲(chǔ)資源能夠存儲(chǔ)大量的控制算法代碼和參數(shù)配置,支持復(fù)雜的控制邏輯和自適應(yīng)控制策略。例如,可以根據(jù)電機(jī)的負(fù)載變化和運(yùn)行狀態(tài)自動(dòng)調(diào)整控制參數(shù),實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)控制,提高電機(jī)控制系統(tǒng)的魯棒性和適應(yīng)性。
(二)故障診斷與處理
在衛(wèi)星運(yùn)行過程中,電機(jī)控制器可能會(huì)受到各種因素的影響,如輻射、溫度變化、電磁干擾等,導(dǎo)致系統(tǒng)出現(xiàn)故障。AS32S601集成了多種故障診斷與處理功能,能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的運(yùn)行狀態(tài),及時(shí)發(fā)現(xiàn)并處理故障。
例如,通過實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電機(jī)的電流、電壓、轉(zhuǎn)速等參數(shù),結(jié)合內(nèi)置的故障診斷算法,AS32S601能夠快速判斷電機(jī)是否存在過流、過壓、過熱、堵轉(zhuǎn)等故障情況。一旦檢測(cè)到故障,系統(tǒng)將立即采取相應(yīng)的措施,如切斷電源、觸發(fā)報(bào)警、啟動(dòng)備用系統(tǒng)等,以防止故障的進(jìn)一步擴(kuò)大,確保衛(wèi)星系統(tǒng)的安全運(yùn)行。
(三)系統(tǒng)集成與協(xié)同工作
衛(wèi)星載荷電機(jī)控制器作為衛(wèi)星系統(tǒng)的一部分,需要與衛(wèi)星的其他子系統(tǒng)緊密集成并協(xié)同工作。AS32S601的多種通信接口使其能夠方便地與衛(wèi)星系統(tǒng)的其他部件進(jìn)行通信與連接,實(shí)現(xiàn)電機(jī)控制器與星載計(jì)算機(jī)、傳感器、執(zhí)行機(jī)構(gòu)等的高效數(shù)據(jù)交互。
例如,在衛(wèi)星姿態(tài)控制系統(tǒng)中,電機(jī)控制器需要與星敏感器、陀螺儀等傳感器進(jìn)行實(shí)時(shí)通信,獲取衛(wèi)星的姿態(tài)信息,并根據(jù)這些信息快速調(diào)整電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài),以實(shí)現(xiàn)衛(wèi)星的姿態(tài)穩(wěn)定。同時(shí),電機(jī)控制器還需要與星載計(jì)算機(jī)進(jìn)行通信,接收控制指令并反饋電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài),確保整個(gè)衛(wèi)星系統(tǒng)的協(xié)調(diào)運(yùn)行。
(四)抗輻照性能的實(shí)際應(yīng)用效果
在實(shí)際應(yīng)用中,AS32S601型MCU憑借其抗輻照設(shè)計(jì),在一定程度上能夠應(yīng)對(duì)太空環(huán)境中的輻射威脅。根據(jù)相關(guān)試驗(yàn)數(shù)據(jù),AS32S601型MCU在5V工作條件下,從激光能量為120pJ開始進(jìn)行全芯片掃描,未出現(xiàn)單粒子效應(yīng)。隨著激光能量逐步提升至1585pJ(對(duì)應(yīng)LET值為(75±16.25)MeV?cm2/mg)時(shí),監(jiān)測(cè)到芯片發(fā)生了單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)現(xiàn)象,但未出現(xiàn)單粒子鎖定(SEL)效應(yīng)。這表明該MCU具備一定的抗單粒子效應(yīng)能力,能夠在較高LET值的輻射環(huán)境下保持基本的穩(wěn)定運(yùn)行。然而,在實(shí)際太空環(huán)境中,輻射環(huán)境更加復(fù)雜多變,可能存在不同能量、不同類型的高能粒子同時(shí)作用的情況。因此,在應(yīng)用過程中仍需結(jié)合其他抗輻照設(shè)計(jì)措施,如屏蔽設(shè)計(jì)、冗余設(shè)計(jì)等,以進(jìn)一步提高系統(tǒng)的可靠性與穩(wěn)定性。
五、應(yīng)用實(shí)踐中的挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)策略
(一)復(fù)雜太空環(huán)境適應(yīng)性
盡管AS32S601型MCU具備一定的抗輻照能力,但太空環(huán)境復(fù)雜多變,除了單粒子效應(yīng)外,還可能受到長(zhǎng)期累積輻射效應(yīng)、溫度變化等多種因素的影響。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),在衛(wèi)星載荷電機(jī)控制器的設(shè)計(jì)中,需要綜合考慮采用屏蔽措施、優(yōu)化電路布局、增加冗余設(shè)計(jì)等方法,進(jìn)一步提高系統(tǒng)的可靠性與穩(wěn)定性。
屏蔽設(shè)計(jì) :通過合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為MCU及其相關(guān)電路提供適當(dāng)?shù)妮椛淦帘?,減少高能粒子的直接轟擊。例如,采用金屬外殼、屏蔽罩等對(duì)MCU進(jìn)行包裹,同時(shí)在電路板布局上盡量減少敏感線路的暴露面積,降低輻射對(duì)電路的影響。
優(yōu)化電路布局 :在電路板設(shè)計(jì)過程中,應(yīng)注重電磁兼容性設(shè)計(jì),合理布局電源線、地線、信號(hào)線等,避免不同信號(hào)之間的相互干擾。同時(shí),采用多層布線技術(shù),增加地平面和電源平面的覆蓋面積,提高電路的抗干擾能力。
冗余設(shè)計(jì) :在關(guān)鍵控制環(huán)節(jié)引入冗余設(shè)計(jì),如采用多MCU冗余備份、關(guān)鍵信號(hào)冗余傳輸?shù)龋_保在部分組件出現(xiàn)故障時(shí)系統(tǒng)仍能正常運(yùn)行。例如,采用雙MCU冗余架構(gòu),當(dāng)主MCU出現(xiàn)故障時(shí),備份MCU能夠迅速接管控制任務(wù),保證電機(jī)的正常運(yùn)行。
(二)高精度控制要求
衛(wèi)星載荷電機(jī)控制通常要求高精度的位置、速度和轉(zhuǎn)矩控制,以實(shí)現(xiàn)衛(wèi)星的姿態(tài)穩(wěn)定和精確的任務(wù)執(zhí)行。MCU的控制性能直接影響電機(jī)的控制精度。為滿足這一要求,一方面需要充分發(fā)揮AS32S601型MCU的高性能內(nèi)核和豐富外設(shè)資源的優(yōu)勢(shì),采用先進(jìn)的控制算法,如矢量控制、直接轉(zhuǎn)矩控制、滑模變結(jié)構(gòu)控制等,提高電機(jī)控制的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)態(tài)精度;另一方面,要注重電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與優(yōu)化,確保功率放大環(huán)節(jié)的精度和穩(wěn)定性,同時(shí)結(jié)合高精度的位置、速度傳感器,構(gòu)建精確的反饋控制系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)電機(jī)的精確控制。
例如,在矢量控制算法中,通過對(duì)電機(jī)的定子電流進(jìn)行矢量分解和控制,實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)轉(zhuǎn)矩和磁通的獨(dú)立控制,從而提高電機(jī)的控制精度和動(dòng)態(tài)性能。同時(shí),采用高精度的編碼器或resolver作為位置和速度傳感器,實(shí)時(shí)反饋電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài),為控制算法提供準(zhǔn)確的輸入數(shù)據(jù),進(jìn)一步提高控制精度。
(三)系統(tǒng)集成與優(yōu)化
衛(wèi)星載荷電機(jī)控制器作為衛(wèi)星系統(tǒng)的一部分,需要與衛(wèi)星的其他子系統(tǒng)緊密集成并協(xié)同工作。在系統(tǒng)集成過程中,可能會(huì)面臨接口適配、電磁兼容性、實(shí)時(shí)性要求等諸多問題。為此,需要在系統(tǒng)設(shè)計(jì)階段充分考慮各子系統(tǒng)之間的接口關(guān)系,嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)化接口規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)與開發(fā),確保不同設(shè)備之間的無縫連接和有效通信。同時(shí),要加強(qiáng)電磁兼容性設(shè)計(jì),采取有效的濾波、屏蔽、接地等措施,降低電子設(shè)備之間的電磁干擾,保證系統(tǒng)的電磁兼容性。此外,針對(duì)衛(wèi)星系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性要求,需要對(duì)整個(gè)控制系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化,包括合理分配MCU的資源、優(yōu)化控制算法的執(zhí)行流程、優(yōu)化通信協(xié)議等,確保電機(jī)控制系統(tǒng)能夠?qū)崟r(shí)響應(yīng)衛(wèi)星的姿態(tài)變化和任務(wù)指令,實(shí)現(xiàn)快速、準(zhǔn)確的電機(jī)控制。
例如,在接口適配方面,應(yīng)確保電機(jī)控制器的通信接口與衛(wèi)星系統(tǒng)的其他部件接口在電氣特性、通信協(xié)議、數(shù)據(jù)格式等方面的一致性,避免因接口不匹配導(dǎo)致的通信故障。同時(shí),采用標(biāo)準(zhǔn)化的總線協(xié)議,如CAN總線、SPI總線等,提高系統(tǒng)的集成度和兼容性。
(四)可靠性評(píng)估與驗(yàn)證
在衛(wèi)星載荷電機(jī)控制器的應(yīng)用實(shí)踐中,可靠性評(píng)估與驗(yàn)證是確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。由于衛(wèi)星任務(wù)的特殊性和重要性,對(duì)電機(jī)控制器的可靠性要求極高。除了進(jìn)行單粒子效應(yīng)試驗(yàn)外,還需要結(jié)合其他可靠性評(píng)估方法,如加速壽命試驗(yàn)、環(huán)境應(yīng)力篩選試驗(yàn)、故障注入試驗(yàn)等,全面評(píng)估電機(jī)控制器在復(fù)雜太空環(huán)境下的可靠性。
加速壽命試驗(yàn)通過模擬衛(wèi)星在長(zhǎng)期運(yùn)行過程中可能經(jīng)歷的各種應(yīng)力條件,如高溫、低溫、振動(dòng)等,加速器件的老化過程,從而預(yù)測(cè)器件的壽命和可靠性。環(huán)境應(yīng)力篩選試驗(yàn)則通過施加各種環(huán)境應(yīng)力,如溫度循環(huán)、振動(dòng)、沖擊等,篩選出潛在的故障器件,提高系統(tǒng)的可靠性。故障注入試驗(yàn)則通過人為引入故障,如切斷電源、干擾信號(hào)等,測(cè)試系統(tǒng)的故障診斷和處理能力,驗(yàn)證系統(tǒng)的容錯(cuò)性能。
六、結(jié)論與展望
AS32S601型MCU憑借其出色的抗輻照性能、高性能內(nèi)核、豐富存儲(chǔ)資源、功能安全設(shè)計(jì)以及多種通信接口等優(yōu)勢(shì),在衛(wèi)星載荷電機(jī)控制器領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。通過對(duì)其抗輻照性能的實(shí)際應(yīng)用效果分析以及在電機(jī)控制算法實(shí)現(xiàn)、故障診斷與處理、系統(tǒng)集成與協(xié)同工作等方面的應(yīng)用實(shí)踐探索,表明該MCU能夠滿足衛(wèi)星載荷電機(jī)控制系統(tǒng)的可靠性要求,并在一定程度上適應(yīng)復(fù)雜的太空環(huán)境。
然而,在實(shí)際應(yīng)用中仍面臨著復(fù)雜太空環(huán)境適應(yīng)性、高精度控制以及系統(tǒng)集成與優(yōu)化等挑戰(zhàn)。未來,隨著航天技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)抗輻照MCU的性能要求將越來越高。因此,需要進(jìn)一步加強(qiáng)抗輻照技術(shù)研究,如探索更先進(jìn)的抗輻照設(shè)計(jì)方法、研發(fā)更高性能的抗輻照材料、優(yōu)化芯片制造工藝等,以提高M(jìn)CU對(duì)復(fù)雜太空環(huán)境的適應(yīng)能力。同時(shí),結(jié)合人工智能、大數(shù)據(jù)等前沿技術(shù),開發(fā)更智能、更高效的電機(jī)控制算法和系統(tǒng)優(yōu)化策略,不斷提升衛(wèi)星載荷電機(jī)控制器的性能和可靠性,為我國(guó)航天事業(yè)的發(fā)展提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐,推動(dòng)我國(guó)在衛(wèi)星技術(shù)領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新和突破。
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電機(jī)控制器
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抗輻照MCU在衛(wèi)星載荷電機(jī)控制器中的實(shí)踐探索
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