三星1*** DRAM開(kāi)發(fā)良率里程碑延期
據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)的良率里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動(dòng)可能對(duì)三星在HBM4(High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。
原本，三星電子計(jì)劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，這是結(jié)束開(kāi)發(fā)工作并進(jìn)入量產(chǎn)階段所必需的水平。然而，盡管三星在去年底已經(jīng)成功制得1c nm DRAM的良品晶粒，但整體良率并未達(dá)到預(yù)期要求，導(dǎo)致原定的量產(chǎn)計(jì)劃受阻。
此次良率里程碑的延期，反映出半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的技術(shù)挑戰(zhàn)和不確定性。隨著制程技術(shù)的不斷推進(jìn)，提高良率成為一項(xiàng)日益艱巨的任務(wù)。三星作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商，其1c nm DRAM的開(kāi)發(fā)進(jìn)展備受業(yè)界關(guān)注。
此次延期可能會(huì)對(duì)三星的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力和產(chǎn)品規(guī)劃產(chǎn)生一定影響。不過(guò)，三星方面表示將繼續(xù)加大研發(fā)投入，努力提升良率，以確保1c nm DRAM能夠按計(jì)劃順利進(jìn)入量產(chǎn)階段。
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