隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的到來，工廠發(fā)展?jié)u趨智能化，互聯(lián)程度越來越高。例如，智能工廠的機(jī)器能夠通過傳感器節(jié)點(diǎn)獲取實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)以偵測(cè)甚至提前發(fā)現(xiàn)故障，并通知控制系統(tǒng)采取糾正措施以修復(fù)故障。累積所得的數(shù)據(jù)可用于改進(jìn)預(yù)測(cè)分析并實(shí)現(xiàn)對(duì)機(jī)器更優(yōu)化的預(yù)防性維護(hù), 從而縮短停工檢修時(shí)間。目前，停工檢修狀況難以預(yù)測(cè)并且代價(jià)高昂，以汽車制造商為例——每小時(shí)停工成本高達(dá) 130 萬美元。

數(shù)據(jù)收集作為工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的基石，通過實(shí)時(shí)感應(yīng)獲取的數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)測(cè)性維護(hù)。因此，數(shù)據(jù)的安全性和可靠性就顯得極其重要，尤其是在故障發(fā)生的時(shí)候！

賽普拉斯的非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVRAM) 可確保工業(yè)系統(tǒng)處于“零數(shù)據(jù)風(fēng)險(xiǎn)”狀態(tài)，無論是在正常運(yùn)行還是故障發(fā)生期間均可以完成安全可靠的數(shù)據(jù)備份。并且，賽普拉斯的 NVRAM 可提供近乎無限的讀寫耐久性，以確保工業(yè)系統(tǒng)的“數(shù)據(jù)可靠性”，加之無需電池進(jìn)行數(shù)據(jù)備份，可安全保存數(shù)據(jù)超過 20 年。

NVRAM 產(chǎn)品用于多個(gè)工業(yè)市場，包括工業(yè)自動(dòng)化、能源管理、工業(yè)控制、工業(yè)流程測(cè)量及測(cè)試測(cè)量。在所有細(xì)分市場中，NVRAM 可連續(xù)記錄實(shí)時(shí)系統(tǒng)數(shù)據(jù)，并在斷電或故障時(shí)自動(dòng)記錄系統(tǒng)狀態(tài)數(shù)據(jù)。

上列框圖顯示了 NVRAM 的兩個(gè)關(guān)鍵任務(wù)型應(yīng)用：用于自動(dòng)化的可編程邏輯控制器(PLC) 以及用于流程測(cè)量的物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點(diǎn)。在這兩個(gè)任務(wù)型應(yīng)用中，NVRAM 獲取實(shí)時(shí)系統(tǒng)數(shù)據(jù)，并用于檢測(cè)、修復(fù)故障，從而防止未來潛在故障的發(fā)生。

另外，在 PLC 中，NVRAM 在斷電前獲取的最后一個(gè)系統(tǒng)狀態(tài)至關(guān)重要——用于確保 PLC 和所有連接的設(shè)備在恢復(fù)供電時(shí)以安全工作模式重新啟動(dòng)。如果沒有這個(gè)功能，其他機(jī)器及周邊的人類安全會(huì)存在潛在風(fēng)險(xiǎn)。

賽普拉斯提供兩種類型的NVRAM：非易失性SRAM (nvSRAM)和鐵電RAM (F-RAM)。nvSRAM是一種快速的SRAM存儲(chǔ)器，每個(gè)SRAM單元均嵌入了一個(gè) SONOS 非易失性存儲(chǔ)單元，用于斷電時(shí)保存數(shù)據(jù)。另一方面，F-RAM是一種快速寫入、高耐久、低功耗的非易失性存儲(chǔ)器，運(yùn)用鐵電技術(shù)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

另外，F-RAM 的功耗比串行 EEPROM 低 200 倍，比 NOR 閃存低 3000 倍，因此是作為物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點(diǎn)等電池供電應(yīng)用的理想選擇。nvSRAM 提供無限讀寫耐久性，而 F-RAM 具備 1014個(gè)周期的讀寫耐久性。系統(tǒng)斷電時(shí)，nvSRAM 和 F-RAM 通過自動(dòng)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)至非易失性存儲(chǔ)單元中，從而確保“零數(shù)據(jù)風(fēng)險(xiǎn)”。此外，EEPROM 等競爭技術(shù)通常有5-10 毫秒的頁寫入延遲，因此斷電時(shí)存在無法捕捉到最后臨界時(shí)刻系統(tǒng)數(shù)據(jù)的風(fēng)險(xiǎn)。

賽普拉斯的 NVRAM 產(chǎn)品具備近乎無限的寫入耐久性，并且能夠進(jìn)行頻繁的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)捕獲，準(zhǔn)確地監(jiān)控系統(tǒng)和流程操作。閃存和 EEPROM 等浮柵技術(shù)的壽命僅為 106 個(gè)周期，無法支持頻繁的系統(tǒng)數(shù)據(jù)捕獲，且在其壽命耗盡時(shí)可能導(dǎo)致系統(tǒng)故障。與依靠電池供電的 SRAM 不同，NVRAM 能夠安全保存數(shù)據(jù)長達(dá) 20 余年，無需任何后備電源，從而進(jìn)一步確保了“數(shù)據(jù)可靠性”。憑借賽普拉斯的 NVRAM 產(chǎn)品，工業(yè)系統(tǒng)每次都可以獲取并保護(hù)其關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)。