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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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柵極驅(qū)動器環(huán)路設(shè)計(jì)對SiC MOSFET開關(guān)性能的影響
摘要每個功率開關(guān)都需要一個驅(qū)動電路,這是必要的,但容易被忽視。柵極驅(qū)動電路對功率器件的開關(guān)過程有著非常重要的影響,本文分析了驅(qū)動電路的輸出能力和雜散參數(shù)...
PCIM2025論文摘要 | 1200V CoolSiC? MOSFET G2分立器件的開關(guān)行為調(diào)查
完整版內(nèi)容請關(guān)注2025PCIMAsia英飛凌將為您帶來更多分享*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布摘要英飛凌CoolSiCMOSFETG2通過單元間距縮...
600-650V功率器件是Si SJ MOS(又稱Si 超結(jié)MOS),SiC MOS和GaN HEMT競爭最為激烈的產(chǎn)品區(qū)間,其典型應(yīng)用為高頻高效高功率...
碳化硅(SiC)功率開關(guān)器件正成為工業(yè)電池領(lǐng)域一種廣受歡迎的選擇,因其能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開關(guān)速度和更優(yōu)異的低損耗工作,從而在不妥協(xié)性能的前提下提高功率密度。...
安森美SiC MOSFET模塊在牽引逆變器的應(yīng)用
牽引逆變器被稱為電驅(qū)系統(tǒng)的 “心臟”,為車輛行駛提供必需的扭矩與加速度。當(dāng)前,很多純電動汽車和混合動力汽車均采用IGBT技術(shù)。而碳化硅(SiC)技術(shù)的引...
半導(dǎo)體碳化硅SiC制造工藝CMP后晶圓表面粗糙度檢測
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅(SiC)因其卓越的電導(dǎo)性、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性而成為制作高功率和高頻電子器件的理想材料。然而,為了實(shí)現(xiàn)這些器件的高性能,必須對...
基于SiC MOSFET的T型三電平數(shù)據(jù)中心UPS高效設(shè)計(jì)方案
以下是基于B3M010C075Z(750V)和B3M013C120Z(1200V)SiC MOSFET的 T型三電平數(shù)據(jù)中心UPS高效設(shè)計(jì)方案 ,融合多...
2025-08-10 標(biāo)簽:MOSFETUPS數(shù)據(jù)中心 722 0
三菱電機(jī)SiC MOSFET在電動汽車中的應(yīng)用(2)
隨著市場需求的不斷增長,SiC MOSFET在電動汽車中的應(yīng)用日益廣泛,已經(jīng)成為推動電動汽車電氣化和高效能的重要技術(shù)之一。上一篇我們介紹了三菱電機(jī)SiC...
三菱電機(jī)SiC MOSFET在電動汽車中的應(yīng)用(1)
隨著市場需求的不斷增長,SiC MOSFET在電動汽車中的應(yīng)用日益廣泛,已經(jīng)成為推動電動汽車高效能的重要技術(shù)之一。本章節(jié)主要帶你探究三菱電機(jī)的SiC M...
SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、反向阻斷特性好、熱導(dǎo)率高、開關(guān)速度快等優(yōu)勢,在高功率、高頻率應(yīng)用領(lǐng)域中占有重要地位。然而,SiC MOSFET面臨的...
RIGOL功率半導(dǎo)體動態(tài)性能測試解決方案
功率變換器是電能利用的重要裝置,其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件,常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限,成...
2025-07-29 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 2.1k 0
三菱電機(jī)SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用(2)
三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場,迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機(jī)開發(fā)了集...
三菱電機(jī)SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用(1)
三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場,迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機(jī)開發(fā)了集...
Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動MOSFET、碳化硅 (SiC) MOSFET...
Texas Instruments TCAN1472-Q1汽車級故障保護(hù)收發(fā)器數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments TCAN1472-Q1汽車級故障保護(hù)收發(fā)器是一款具有信號改善能力 (SIC) 的高速控制器局域網(wǎng) (CAN) 收發(fā)...
GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實(shí)踐
GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管),此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中,如全控型電力開關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧...
浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優(yōu)化與開爾文源極結(jié)構(gòu)
本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設(shè)計(jì)方面的進(jìn)展,重點(diǎn)關(guān)注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開關(guān)損耗方面的作用,以及開爾文源極連...
碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型
一、引言 碳化硅(SiC)襯底憑借優(yōu)異性能在半導(dǎo)體領(lǐng)域地位關(guān)鍵,其切割加工精度和效率影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展。自動對刀系統(tǒng)決定切割起始位置準(zhǔn)確性,進(jìn)給參數(shù)控制切割過...
揭秘SiC肖特基二極管的關(guān)斷電容效應(yīng)
/引言/碳化硅(SiC)器件憑借其出色的電氣和熱性能,正在逐步取代傳統(tǒng)硅(Si)器件,成為高效能電子系統(tǒng)中的新寵。那么,SiC到底有何獨(dú)特之處?特別是在...
2025-07-02 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC電容效應(yīng) 620 0
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