隨著市場需求的不斷增長，SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用日益廣泛，已經(jīng)成為推動(dòng)電動(dòng)汽車電氣化和高效能的重要技術(shù)之一。上一篇我們介紹了三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的芯片、封裝和短路保護(hù)技術(shù)，本章節(jié)主要介紹三菱電機(jī)車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品，包括模塊及芯片。

1SiC MOSFET模塊

1.1 產(chǎn)品陣容

三菱電機(jī)已推出三款SiC模塊產(chǎn)品，半橋T-PM模塊：CTF350DJ3A130，三相全橋模塊HEXA-S：CTF350CJ3C130，三相全橋模塊HEXA-L：CTF700CJ3D130。后續(xù)還會(huì)繼續(xù)推出其它規(guī)格的產(chǎn)品，擴(kuò)充產(chǎn)品陣容，如表1中的灰色帶*部分，滿足客戶的不同需求?？蛻艨梢灾苯淤徺IT-PM，以T-PM為基礎(chǔ)，定制開發(fā)自己的功率模塊。

表1：SiC模塊產(chǎn)品陣容及規(guī)格（其中()*為規(guī)劃中產(chǎn)品）

1.2 輸出電流能力

J3系列SiC模塊以半橋T-PM模塊為核心，通過不同組合構(gòu)成全橋模塊HEXA-S和HEXA-L，可以實(shí)現(xiàn)從50kW到300kW電驅(qū)功率的全覆蓋，滿足客戶端的平臺(tái)化設(shè)計(jì)。HEXA-S可以應(yīng)用在50kW到150kW的主驅(qū)逆變器或者增程器，HEXA-L可以覆蓋150kW到300kW的主驅(qū)逆變器。典型輸出電流示例可以參考圖1，在800V母線電壓，10kHz開關(guān)頻率，65℃水溫，10L/min的流速條件下可以輸出最大540Arms的電流。并且三菱電機(jī)SiC模塊的漏源間耐壓（VDS）在全溫度范圍內(nèi)（-40℃到175℃）1300V，可以覆蓋更寬的電池電壓。

圖1：HEXA-L的輸出電流

三菱電機(jī)還為用戶提供HEXA-L和HEXA-S的評估套件，包括母線電容、水冷套件和對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)板，可以用作雙脈沖測試和臺(tái)架帶載測試，方便客戶對J3系列SiC模塊的快速評價(jià)。如有興趣，可以聯(lián)系我們。

2SiC MOSFET裸片

除了SiC功率模塊，三菱電機(jī)還提供用于電動(dòng)汽車（EV）、插電式混合動(dòng)力汽車（PHEV）和其他電動(dòng)汽車（xEV）電驅(qū)逆變器的SiC MOSFET裸片，晶圓和裸片的示意圖如下圖2所示。

圖2：用于xEV的SiC MOSFET晶圓和裸片

三菱電機(jī)用于xEV的SiC MOSFET裸片，采用溝槽柵結(jié)構(gòu)，得益于特有的制造工藝，在溝槽柵結(jié)構(gòu)中生長出高品質(zhì)的柵極氧化膜，可以抑制長期使用過程中的閾值電壓（VGS,th）漂移和性能劣化。

目前，三菱電機(jī)可以提供以下SiC-MOSFET裸片樣品（表2），供客戶測試評估。

表2：SiC裸片產(chǎn)品及規(guī)格

未來，三菱電機(jī)將繼續(xù)致力于開發(fā)和提供高品質(zhì)、低損耗的SiC-MOSFET裸片，助力提升逆變器性能、延長續(xù)航里程和提高xEV的能源效率，為實(shí)現(xiàn)脫碳目標(biāo)做貢獻(xiàn)。

正文完

<關(guān)于三菱電機(jī)>

三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2025年3月31日的財(cái)年，集團(tuán)營收55217億日元（約合美元368億）。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè)，三菱電機(jī)擁有多項(xiàng)專利技術(shù)，并憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場，三菱電機(jī)從事開發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有69年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動(dòng)汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。