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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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筆記本電腦是現(xiàn)代人生活中必不可少的電子設備之一，而電池的續(xù)航時間則直接關系到筆記本的使用體驗。因此，選擇一款高效穩(wěn)定的充電器對于延長筆記本電腦的使用時間...
GaN 在電力電子領域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
led發(fā)光的顏色由什么決定 LED的發(fā)光原理
LED的發(fā)光過程主要包括載流子注入和復合兩個步驟。當外加電壓施加在LED的正向偏置端時，電流通過LED的正向偏置結并注入到半導體材料中。
電子工業(yè)正在盡可能地將硅最大化應用，但其畢竟還是有局限的，這就是為什么研究人員正在探索其它材料，如碳化硅，氮化鎵和氧化鎵。雖然氧化鎵的導熱性能較差，但其...
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化電源芯片的引腳在布局布線時，應當避免與其他信號線路平行敷設，以降低電磁干擾。根據芯片引腳功能和信...
在5G和新能源汽車等新市場需求的驅動下，第三代半導體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半...
金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）丨助力 LED 緩沖層性能優(yōu)化
在現(xiàn)代生活中，氮化鎵（GaN）基LED應用廣泛，其性能受GaN緩沖層厚度顯著影響。科研人員通過HVPE與MOCVD結合技術，在藍寶石襯底上制備了不同緩沖...
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關，更高的熱導率和更低的導通電阻，氮化鎵基功率器件...
本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結構，并且由于氧化鎵能帶結構的價帶無法有效進行空穴傳導...
Vivo是一家知名的中國智能手機制造商，其氮化鎵充電器和普通充電器之間存在許多區(qū)別。本文章將介紹這些區(qū)別，內容將包括充電器的工作原理、快速充電能力、安全...
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）都是當前半導體材料領域的佼佼者，它們各自具有獨特的優(yōu)勢，應用領域也有所不同。以下是對兩者優(yōu)勢的比較： 氮化鎵（GaN）...
隨著消費電子產品、電動車、家用電器等產品更新?lián)Q代，產品的性能也越來越受重視，尤其是在功率設計方面。如何提升電源轉換能效，提高功率密度水平，延長電池續(xù)航時...
拆解：公牛67W氮化鎵快充插座，采用智融SW3516P主控芯片！
看了一個拆解視頻。公牛67W氮化鎵快充移動插座。 采用黑色外殼，搭配銀色面板，更加適配現(xiàn)代裝飾風格。插座配備了一個新國標五孔插孔和一個新國標兩孔插孔，并...
LED（發(fā)光二極管）已經成為了現(xiàn)代照明和電子領域的主力軍，因為它們不僅具有高效能、長壽命和低能耗等優(yōu)點，還能夠發(fā)出多種不同的顏色的光。本文將從LED的類...
2020年迎來了氮化鎵快充的大爆發(fā)，目前已經開始滲透到手機和筆記本等電子設備的配件市場，并且市場容量增長迅速。據充電頭網了解，目前華為、小米、三星、OP...
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常...
氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學穩(wěn)定性，已成為短波長發(fā)射器（發(fā)光二極管和二極管激光器）和探測器等許多光電應用的誘人半導體，以及高功率和高溫電子器件。...
氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度，使其適用于高功率和高頻率應用，如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵...
半導體材料目前已經發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應于半導體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半...
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