氮化鎵外延片工藝介紹 氮化鎵外延片的應用

氮化鎵外延片生長工藝較為復雜，多采用兩步生長法，需經過高溫烘烤、緩沖層生長、重結晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配...

2023-02-05 標簽：氮化鎵外延片 7.2k 0

氮化鎵材料具有哪些優(yōu)勢

　　以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體即寬帶隙半導體，具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能，滿足了節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求，智...

2023-02-15 標簽：半導體氮化鎵GaN 7.1k 0

氮化鎵基礎知識

氮化鎵復合物由鎵和氮原子排列構成，最常見的是纖鋅礦晶體結構。纖鋅礦晶體結構(圖1-1)是一種六邊形結構，其特征是有兩個晶格常數(圖中標記為a 和 c)。

2022-08-24 標簽：放大器射頻氮化鎵 7.1k 0

氮化鎵和砷化鎵哪個先進

氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導體材料領域的重要成員，它們在各自的應用領域中都展現出了卓越的性能。然而，要判斷哪個更先進，并不是一個簡單的二...

2024-09-02 標簽：半導體材料氮化鎵砷化鎵 6.7k 0

為什么選擇氮化鎵？淺談氮化鎵在數據中心的應用

對于服務器，這通常是空調房間中的AC到12 V DC，而對于傳統(tǒng)的低功能（例如，僅語音）電信系統(tǒng)，這是遠程潮濕的“蜂窩塔”，需要AC進行“防腐蝕” ，負...

2021-03-21 標簽：電源轉換器氮化鎵 6.7k 0

氮化鎵的用途是什么

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，　氮化鎵主要還是用于LED（發(fā)光二極管），微...

2023-02-06 標簽：led發(fā)光二極管氮化鎵 6.6k 0

什么是氮化鎵 氮化鎵電源優(yōu)缺點

什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管...

2023-11-24 標簽：半導體激光二極管氮化鎵 6.6k 0

氮化鎵屬于什么晶體，GaN材料具有哪些優(yōu)勢

　　氮化鎵（氮化鎵）是一種半導體材料，是一種用于制造光電子器件的高性能晶體。它的優(yōu)點是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系統(tǒng)。與硅基解決方案相比...

2023-02-13 標簽：晶體管電子器件氮化鎵 6.5k 0

什么是GaN氮化鎵？為什么充電器用GaN而不是SiC？

新能源車的功率控制單元（PCU）是汽車電驅系統(tǒng)的中樞神經，管理電池中的電能與電機之間的流向、傳遞速度。傳統(tǒng) PCU 使用硅基材料半導體制成，強電流與高壓...

2022-10-08 標簽：充電器SiC氮化鎵 6.5k 0

在氮化鎵技術中，熱設計與電氣設計同等重要

為管理今天的熱設計，電路設計人員讓熱量在半導體表面擴散，增加器件單元之間的距離或縮小器件單元。但是，熱設計不僅僅是芯片層面。封裝工程人員也必須幫忙，因為...

2018-01-04 標簽：氮化鎵電氣設計熱設計 6.4k 0

氮化鎵是什么晶體類型

氮化鎵是一種重要的半導體材料，屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應用前景的材料，受到了廣泛關注和研究。本文將會詳盡地介紹氮化鎵的...

2024-01-10 標簽：晶體光電器件半導體材料 6.3k 0

氮化鎵技術研究新進展，如何作為“電力電子應用中敏感探針”使用？

美國康奈爾大學，IQE RF LLC和Qorvo公司一直在研究如何更好地將埋入式p型GaN層活化 [Wenshen Li et al, Appl. Ph...

2018-09-09 標簽：晶體管電力電子氮化鎵 6k 0

氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是什么晶體類型

氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領...

2023-11-24 標簽：芯片半導體晶體 6k 1