柵極

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柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場(chǎng)強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

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柵極技術(shù)

薄膜晶體管技術(shù)架構(gòu)與主流工藝路線

導(dǎo)語薄膜晶體管（TFT）作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動(dòng)元件，通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶...

2025-05-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造技術(shù)柵極 2k 0

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用

摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會(huì)導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷，這會(huì)降低氮化鎵高...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管柵極 2k 0

絕緣柵極驅(qū)動(dòng)器的重要特性

在電力電子領(lǐng)域，例如在驅(qū)動(dòng)技術(shù)中，IGBT經(jīng)常用于高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管是電壓控制的，在開關(guān)過程中產(chǎn)生其主要損耗。為了最大限度地降低開關(guān)損耗...

2022-12-22 標(biāo)簽：處理器驅(qū)動(dòng)器 IGBT 2k 0

柵極和源極之間的穩(wěn)壓二極管的作用

在電子學(xué)中，穩(wěn)壓二極管是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它能夠?qū)㈦妷悍€(wěn)定在一個(gè)特定的水平。這種器件通常用于電源管理、信號(hào)處理和保護(hù)電路中。在討論穩(wěn)壓二極管的作用時(shí)...

2024-09-18 標(biāo)簽：穩(wěn)壓二極管柵極源極 2k 0

晶體管柵極多晶硅摻雜的原理和必要性

本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。

2025-04-02 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體晶體管 2k 0

【科普小貼士】MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理

2023-12-13 標(biāo)簽：MOSFET 柵極源極 1.9k 0

PCB Layout時(shí)，MOS管柵極串聯(lián)電阻放哪兒？

前一段時(shí)間有個(gè)兄弟問了個(gè)問題，把我問住了，問題是這個(gè)：如上圖，串聯(lián)的電阻R1到底是放在靠近IC端，還是靠近MOS端？（注意，圖中的L1是走線寄生電感，...

2023-09-26 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻 MOS管 Layout 1.9k 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)柵極關(guān)斷晶閘管

雙極功率晶體管的電流放大倍數(shù)和通態(tài)特性會(huì)隨著電壓級(jí)別的增加而迅速降低，因此抑制了其在電壓高于2kV 牽引設(shè)備（如電力機(jī)車）應(yīng)用中的發(fā)展。在直流電路中，...

2024-01-17 標(biāo)簽：晶閘管柵極功率晶體管 1.8k 0

自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝詳解

源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率，自對(duì)準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝能夠同時(shí)減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻，降低接觸電...

2025-05-28 標(biāo)簽：CMOS 工藝柵極 1.8k 0

SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對(duì)策

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)：通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則...

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET 柵極 SiC 1.7k 0

閃存的兩種分類

當(dāng)給柵極施加較高的高電平（較高的高電平才能讓電子穿過隧穿層），電子到浮柵層就被絕緣層阻礙了當(dāng)給柵極低電平時(shí)，這時(shí)隧穿層就相當(dāng)于絕緣層，這樣電子就被存儲(chǔ)起...

2023-10-11 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)晶體管 1.7k 0

氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開關(guān)。之前...

2023-05-17 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵 1.6k 0

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用

常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管柵極 1.6k 0

為什么MOSFET柵極前要放一個(gè)100Ω電阻？

為了穩(wěn)定性，必須在 MOSFET 柵極前面放一個(gè) 100 Ω 電阻嗎？

2023-03-13 標(biāo)簽：放大器電阻 MOSFET 1.6k 0

MOSFET柵極電路的常見作用

MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn)，因...

2023-05-04 標(biāo)簽：二極管 pcb MOSFET 1.6k 0

ASDM30N40AE 功率MOSFET — 優(yōu)質(zhì)性能，引領(lǐng)能效革命

隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)保的重視不斷增加，電力管理和控制技術(shù)也在不斷發(fā)展。在這個(gè)變革的時(shí)代，ASDM30N40AE 功率MOSFET憑借其卓越的性能和創(chuàng)新...

2023-06-05 標(biāo)簽：柵極功率MOSFET 1.5k 0

超結(jié)高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)參數(shù)對(duì)開關(guān)特性有什么影響

新一代的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET中有一些在關(guān)斷的過程中溝道具有提前關(guān)斷的特性，因此，它們的關(guān)斷的特性不受柵極驅(qū)動(dòng)電阻的控制，但是，并不是所有的超結(jié)結(jié)構(gòu)...

2023-02-16 標(biāo)簽：柵極功率MOSFET 驅(qū)動(dòng)電阻 1.5k 0

半導(dǎo)體器件電荷載流的控制：柵極技術(shù)解析

在電子工程的世界里，柵極是個(gè)魔法般的存在，它就像電路的指揮官，靠著一個(gè)個(gè)小小的動(dòng)作就能控制電荷的流動(dòng)，讓整個(gè)電子系統(tǒng)跳動(dòng)起來

2024-03-14 標(biāo)簽：柵極電荷半導(dǎo)體器件 1.5k 0

柵極技術(shù)的工作原理和制造工藝

本文介紹了集成電路制造工藝中的柵極的工作原理、材料、工藝，以及先進(jìn)柵極工藝技術(shù)。

2025-03-27 標(biāo)簽：集成電路晶體管制造工藝 1.5k 0

測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測(cè)量方法

SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：...

2023-05-08 標(biāo)簽：MOSFET 柵極 SiC 1.5k 0

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