消除與漏極開(kāi)關(guān)有關(guān)的電路

通過(guò)漏極控制開(kāi)關(guān)HPA的典型配置如圖1所示。一個(gè)串聯(lián)FET開(kāi)啟輸入HPA的高電壓?？刂齐娐沸枰獙⑦壿嬰娖矫}沖轉(zhuǎn)換為更高電壓以使串聯(lián)FET導(dǎo)通。

2020-05-29 標(biāo)簽：放大器電平柵極 3.7k 0

哪種會(huì)影響柵極泄漏和動(dòng)態(tài)功率密度

大量的新節(jié)點(diǎn)、半節(jié)點(diǎn)，以及在兩者之間的每一個(gè)數(shù)字的產(chǎn)生正在芯片制造商之造成混淆。雖然大多數(shù)人認(rèn)為有選擇是好事，但大家并不清楚哪個(gè)或哪些選擇是上策。該IP...

2018-03-13 標(biāo)簽：柵極擴(kuò)展器 3.7k 0

IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

前面我們也聊到過(guò)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，雖然今天聊的可能有些重復(fù)，但是感覺(jué)人到中年，最討厭的就是記憶力不夠用，就當(dāng)回顧和加重記憶吧。

2023-04-06 標(biāo)簽：IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 3.6k 0

MOSFET三種放大電路類(lèi)型的區(qū)分

MOSFET有三個(gè)極，柵極、源級(jí)和漏極，由MOSFET構(gòu)成的放大電路通常有三種，共源級(jí)放大電路，共柵極放大電路和共漏極放大電路。其中，共源級(jí)放大電路用的...

2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET放大電路跟隨器 3.6k 0

電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

通過(guò)采用電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的增強(qiáng)型控制，此類(lèi)驅(qū)動(dòng)器通常會(huì)產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來(lái)控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動(dòng)器采用...

2021-07-04 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT柵極 3.3k 0

采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車(chē)充電站等要求高效率的應(yīng)用開(kāi)發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFE...

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET封裝柵極 3.2k 0

一文詳解正電壓浪涌的對(duì)策和效果

作為米勒鉗位的替代方案，可以通過(guò)增加誤導(dǎo)通抑制電容器來(lái)處理。本文將會(huì)通過(guò)示例來(lái)探討正電壓浪涌的對(duì)策和其效果。

2022-03-29 標(biāo)簽：柵極浪涌電壓浪涌 3.2k 0

四種MOS管驅(qū)動(dòng)電路方案介紹

這個(gè)電控界的MOS管，但想讓它聽(tīng)話(huà)，還得靠驅(qū)動(dòng)電路！整理了 4 種常用方案。

2025-10-17 標(biāo)簽：MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路 3.2k 0

7種MOSFET柵極電路的常見(jiàn)作用，不看不知道！

7種MOSFET柵極電路的常見(jiàn)作用，不看不知道！

2023-12-15 標(biāo)簽：電路MOSFET柵極 3.2k 0

MOS管的相關(guān)參數(shù)

MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來(lái)看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)一般會(huì)包含哪些參數(shù)吧。

2023-09-27 標(biāo)簽：MOS管參數(shù)柵極 3.2k 0

GAAFET，是什么技術(shù)？

GAAFET，是什么技術(shù)？

2023-12-04 標(biāo)簽：eda柵極GAAFET 3.1k 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

　　功率電路中常用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的MOSFET(還有橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)的MOSFET，但很少用于耐高壓的功率電路中)，如下圖是這種MOSFET的分層結(jié)構(gòu)圖。

2023-02-16 標(biāo)簽：電阻MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 3k 0

VDMOS器件關(guān)鍵參數(shù)介紹

如圖1所示，VDMOS結(jié)構(gòu)就是P型注入和N+注入后兩次擴(kuò)散形成P型區(qū)和N+型區(qū)，在硅表面P型區(qū)和N+型區(qū)之間形成溝道，在柵極加壓后溝道開(kāi)啟，電流在溝道內(nèi)...

2024-10-08 標(biāo)簽：二極管VDMOS柵極 3k 0

自舉電路在高電壓柵極驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用

根據(jù)電容公式，i=C*du/dt，得知du/dt=i/C，故電容兩端電壓從0升到VDD時(shí)，取決于電流和電容的比值。容值一定時(shí)，電流越大，電壓上升越快；電...

2023-05-11 標(biāo)簽：二極管MOS管柵極 2.6k 0

晶體管柵極結(jié)構(gòu)形成

柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類(lèi)似于“開(kāi)關(guān)”，通過(guò)施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例...

2025-03-12 標(biāo)簽：芯片晶體管柵極 2.3k 0