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標簽 > 功率晶體管
功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點。特別適合在集成電路中作功率器件。
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關于RS232、TTL電平轉(zhuǎn)換集成電路的簡單介紹
許多單片機的應用中都會使用到串行口與電腦的串行口相連接,進行數(shù)據(jù)的傳輸或控制命令的發(fā)送與接收。單片機的串口有很大一部分是使用電平標準的(PIC的可以直接...
2018-05-09 標簽:ttl功率晶體管電平轉(zhuǎn)換電路 2.1萬 0
EPC增強型GaN-on-Silicon功率晶體管:EPC2045
低壓氮化鎵(GaN)器件市場越來越重要,EPC是低壓硅上氮化鎵(GaN-on-silicon)高電子遷移率晶體管(HEMT)器件的主要供應商。
2017-10-18 標簽:功率晶體管 1.2萬 0
GaN功率晶體管的動態(tài)導通電阻測量技術(shù)的挑戰(zhàn)和方法
動態(tài)導通電阻對于 GaN 功率晶體管的可靠和穩(wěn)定運行至關重要。然而,許多工程師都在努力評估動態(tài) RDS(ON),因為很難以足夠的分辨率對其進行一致測量。...
中、低頻大功率晶體管:中、低頻大功率晶體管一般用在電視機、音響等家電中作為電源調(diào)整管、開關管、場輸出管、行輸出管、功率輸出管或用在汽車電子點火電路、逆變...
電源的基本設計模型,包括了整流器和負載器件,以及串聯(lián)在一起的控制元件。圖 1 是串行調(diào)整電源的簡化電路圖,它包括了作為電源開關的相位控制預調(diào)整器,串聯(lián)在...
場效應管中,隨著Ugs的增加,在靠近二氧化硅絕緣體的P型襯底表面缺少多子,形成了耗盡層。
SiCMOSFET如何實現(xiàn)降低功率轉(zhuǎn)換過程中能量損耗
人們普遍認為,SiCMOSFET可以實現(xiàn)非??斓拈_關速度,有助于顯著降低電力電子領域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而,由于傳統(tǒng)功率半導體封裝的限制,在實際...
基于功率晶體管TIP33C和TIP34C的40W功率放大器電路圖
這是基于功率晶體管TIP33C和TIP34C為主要部分構(gòu)建的40W功率放大器的電路圖。它采用對稱/雙電源供電。必須使用散熱器來防止晶體管過熱。
這意味著A 類放大器配置是理想的工作模式,因為即使在負半周期內(nèi),輸出波形也不會有交越或關斷失真。A 類功率放大器輸出級可以使用單個功率晶體管或連接在一起...
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