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標簽 > 功率晶體管
功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點。特別適合在集成電路中作功率器件。
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一種有些不尋常的方法是研究多層互連過程(BEOL)中的存儲器等構(gòu)建元件。多層布線下面通常是CMOS邏輯電路。因此,理論上,BEOL中內(nèi)置的元件不會增加硅...
使用TIP12設(shè)計一個簡單的3055v電池充電器電路
可以使用TIP12功率晶體管設(shè)計一個非常簡單的3055v電池充電器電路,通過在電池電壓達到約14v或電流上升到2安培以上時關(guān)閉來限制電池電流。
系統(tǒng)抗干擾設(shè)計 抗干擾問題是現(xiàn)代電路設(shè)計中一個很重要的環(huán)節(jié),它直接反映了整個系統(tǒng)的性能和工作的可靠性。在飛輪儲能系統(tǒng)的電力電子控制中,由于其高壓和低壓控...
小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器有哪些優(yōu)勢?低功率DC/DC轉(zhuǎn)換器拓撲設(shè)計
經(jīng)過五十多年的歷史發(fā)展,在電子電路中將直流電壓轉(zhuǎn)換成另一種直流電壓顯示,其復(fù)雜性不斷提高,現(xiàn)代設(shè)計的功率密度高到令人難以置信的同時還要提升效率以保持小功率。
2023-08-11 標簽:變壓器轉(zhuǎn)換器線性穩(wěn)壓器 928 0
小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢和拓撲結(jié)構(gòu)
經(jīng)過五十多年的歷史發(fā)展,在電子電路中將直流電壓轉(zhuǎn)換成另一種直流電壓顯示,其復(fù)雜性不斷提高,現(xiàn)代設(shè)計的功率密度高到令人難以置信的同時還要提升效率以保持小功...
2023-08-11 標簽:轉(zhuǎn)換器電源設(shè)計小功率 1.4k 0
基于功率晶體管TIP33C和TIP34C的40W功率放大器電路圖
這是基于功率晶體管TIP33C和TIP34C為主要部分構(gòu)建的40W功率放大器的電路圖。它采用對稱/雙電源供電。必須使用散熱器來防止晶體管過熱。
逆變器中的關(guān)鍵組件是功率半導(dǎo)體器件,通常采用功率晶體管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)或金屬氧化物半導(dǎo)體...
2023-07-31 標簽:場效應(yīng)管逆變器光伏逆變器 2.8k 0
這是以功率晶體管為主要部分的21W AB類音頻放大器的電路設(shè)計。它的設(shè)計簡單,設(shè)置也簡單。將 10k 微調(diào)器設(shè)置為大約一半,將 470 歐姆微調(diào)器設(shè)置為...
氧化鎵異質(zhì)集成和異質(zhì)結(jié)功率晶體管研究
超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場強高和可實現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢, 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應(yīng)用前景。
2023-07-27 標簽:場效應(yīng)晶體管肖特基二極管熱管理 2.9k 0
產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。
2023-07-05 標簽:串聯(lián)電阻晶體管擊穿電壓 1.6k 0
功率元件具有較大的承載能力和較低的內(nèi)阻,以應(yīng)對較高的功率需求,并保證能量傳輸?shù)男?。例如,功率晶體管(如MOSFET、BJT)和功率放大器模塊屬于典型的...
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