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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1921個 瀏覽：94370次 帖子：51個

      功率器件技術(shù)

      基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲能PCS中的應(yīng)用

      基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲能PCS中的應(yīng)用

      在工商業(yè)儲能系統(tǒng)中，儲能變流器（PCS）是核心組件之一，其性能直接影響整個系統(tǒng)的效率和可靠性。隨著碳化硅（SiC）功率器件的廣泛應(yīng)用，儲能PCS的效率、...

      2025-03-03 標(biāo)簽：MOSFET功率器件PCS 2.2k 0

      陽光電動力混合動力雙電機控制器四大關(guān)鍵

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      針對整車發(fā)動機艙裝配空間有限的痛點，HEM系列控制器基于并聯(lián)模組一體化集成設(shè)計，應(yīng)用注塑銅排，減少絕緣空間占用，結(jié)構(gòu)更加緊湊，實現(xiàn)高功率密度。

      2023-10-09 標(biāo)簽：發(fā)動機控制器電機控制器 2.2k 0

      功率器件嵌入PCB技術(shù)文章分享

      中文相關(guān)的文章很少，英文稍多，基本都是會議文章，下了好多篇，慢慢看。 1200V/50A B6 ECP模塊與DBC模塊對比 ECP ：Embedded ...

      2024-12-30 標(biāo)簽：pcb功率器件 2.2k 0

      碳化硅功率器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

      碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識。

      2023-09-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 2.2k 0

      電動汽車動力系統(tǒng)中IGBT全面解析

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      IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，作為MOSFET和雙極晶體管的復(fù)合器件，是電動汽車動力系統(tǒng)的核心部件，以其高工作頻率、高電流性能和低開關(guān)損耗等特點，確保...

      2025-01-10 標(biāo)簽：電動汽車IGBT晶體管 2.2k 0

      使用GaN設(shè)計高功率器件

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      從 70 年代下半葉開始，電源管理應(yīng)用的主導(dǎo)技術(shù)是基于 MOSFET(金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管)器件，在效率和成本降低方面不斷取得進(jìn)步和改進(jìn)。然而，隨著...

      2022-08-09 標(biāo)簽：晶體管功率器件GaN 2.2k 0

      背后功率器件那些事兒：MOSFET、IGBT及碳化硅的應(yīng)用

      當(dāng)充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢越來越明顯，高性能MOSFET的需求也越來越大，通過改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)的超級結(jié)MOSFET應(yīng)運而生了。

      2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 2.2k 0

      硅基氮化鎵怎么制作的 硅基氮化鎵的工藝流程

      　　硅基氮化鎵功率器件是一種新型的功率器件，它可以提高功率器件的熱穩(wěn)定性和抗拉強度，從而提高功率器件的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。

      2023-02-14 標(biāo)簽：功率器件硅基氮化鎵 2.1k 0

      Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計中的應(yīng)用

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      像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件，常用在電子電力系統(tǒng)中進(jìn)行變壓、變頻、變流及功率管理等。功率...

      2024-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 2.1k 0

      功率循環(huán)對IGBT 壽命的影響——準(zhǔn)確估算功率器件的壽命

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      內(nèi)容摘要供應(yīng)商們正在努力提高絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、Si和SiCMOSFET以及其他功率器件的最大功率水平和電流負(fù)載能力，并同時保持高質(zhì)量a和可靠...

      2024-04-26 標(biāo)簽：功率器件IGBTS功率循環(huán)測試 2.1k 0

      三相pwm逆變電路的特點有哪些

      三相PWM逆變電路是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為三相交流電能的電力電子裝置，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、電力、交通等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹三相PWM逆變電路的特點、工作原理、...

      2024-07-05 標(biāo)簽：數(shù)字信號功率器件直流電 2.1k 0

      大功率晶體管是什么器件_大功率晶體管優(yōu)缺點

      大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件，屬于電力電子技術(shù)（功率電子技術(shù)）領(lǐng)域研究范疇。其實質(zhì)就是要有效地控制功率電子器...

      2023-03-01 標(biāo)簽：晶體管功率器件大功率晶體管 2.1k 0

      功率器件封裝結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計原則

      功率器件封裝結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計原則

      針對功率器件的封裝結(jié)構(gòu)，國內(nèi)外研究機構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計方面進(jìn)行了大量的理論研究和開 發(fā)實踐，多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計理念被國內(nèi)外研究機構(gòu)提出并研究，一些結(jié)構(gòu)設(shè)...

      2023-05-04 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 2.1k 0

      集成電路和功率器件的區(qū)別 汽車電子功率器件的特點

      集成電路是將多個電子元器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在一片半導(dǎo)體芯片上，形成一個完整的電路系統(tǒng)。它主要用于信號處理、數(shù)字邏輯、存儲器、微處理器等各種...

      2023-06-30 標(biāo)簽：集成電路微處理器晶體管 2.1k 0

      功率循環(huán)對IGBT壽命有何影響？如何準(zhǔn)確估算功率器件的壽命呢？

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      運行過程中產(chǎn)生的高結(jié)溫和高溫度梯度會引起機械應(yīng)力，尤其是在具有不同熱膨脹系數(shù)的材料之間的接觸面上，這可能導(dǎo)致這些器件性能退化甚至完全失效。

      2024-04-24 標(biāo)簽：二極管IGBT功率器件 2.1k 0

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      數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔離雙通道門級驅(qū)動器。SiLM8243和SiLM8244配置為高、低邊驅(qū)動，而SiLM824...

      2023-08-15 標(biāo)簽：驅(qū)動器功率器件GaN 2.1k 0

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      華大九天推出的Empyrean Polas工具，憑借其先進(jìn)的3D場求解器提取算法，成功突破了傳統(tǒng)RC參數(shù)提取方法的瓶頸，特別是在處理PMIC設(shè)計中的電源...

      2025-02-08 標(biāo)簽：MOS管功率器件華大九天 2.1k 0

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      2024-11-14 標(biāo)簽：晶圓功率器件SiC 2.1k 0

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      隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型材料也不斷涌現(xiàn)。其中，直接覆鋁陶瓷基板（DBA基板）因其優(yōu)良的性能表現(xiàn)備受矚目，成為電子行業(yè)中備受關(guān)注的材料之一。 DB...

      2023-06-20 標(biāo)簽：功率器件DBA陶瓷基板 2.1k 0

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      為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率...

      2017-11-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體RF功率器件 2.1k 0

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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時地了解目標(biāo)虛擬機的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機上有哪些類和實例等。
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        麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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