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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: P3003BDG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 33mΩ@VGS=10V
  • ID -38A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### P3003BDG-VB 產(chǎn)品簡介

P3003BDG-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 P-溝道 (Single-P Channel) MOSFET,專為需要較高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻的中等電壓應(yīng)用而設(shè)計。它具有 -30V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS) 限制,閾值電壓 (Vth) 為 -1.7V。該器件的導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 在 VGS = 4.5V 時為 46mΩ,而在 VGS = 10V 時僅為 33mΩ。最大漏極電流 (ID) 達(dá)到 -38A。P3003BDG-VB 采用先進(jìn)的溝槽 (Trench) 技術(shù),使其在高電流應(yīng)用中具備更低的能耗和更好的熱管理特性,非常適合高效能和緊湊型設(shè)計。

### P3003BDG-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單 P-溝道 (Single-P Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 46mΩ @ VGS = 4.5V
 - 33mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -38A
- **技術(shù)類型**: 溝槽技術(shù) (Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理與負(fù)載開關(guān)**  
  P3003BDG-VB 常用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電池管理模塊中,尤其是在需要低導(dǎo)通電阻的負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。其高電流能力和低能耗使其能夠有效減少系統(tǒng)功耗,延長電池的使用時間。

2. **工業(yè)控制與電機(jī)驅(qū)動**  
  在工業(yè)自動化設(shè)備中,該器件適用于電機(jī)控制模塊,能提供精確的電流控制和高效能的功率處理,滿足對大電流和高效運(yùn)作的需求。

3. **消費(fèi)電子與家電**  
  P3003BDG-VB 非常適合用于筆記本電腦、平板電腦等消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源調(diào)節(jié)模塊中,憑借低導(dǎo)通電阻和高電流能力,有助于降低電力損耗,提高系統(tǒng)的溫度管理。

4. **汽車電子系統(tǒng)**  
  在電池管理系統(tǒng) (BMS)、車載充電器和逆變器等汽車電子模塊中,P3003BDG-VB 的穩(wěn)定性和高電流處理能力可以為車載設(shè)備提供高效的功率管理解決方案,適用于嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用環(huán)境。

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