--- 產品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -100V
- VGS 20(±V
- Vth -2V
- RDS(ON) 100mΩ@VGS=10V
- ID -16A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
P13P10ZA-VB是一款高性能P通道MOSFET,采用TO252封裝,專為低壓高效應用設計。其最大漏極源極電壓可達-100V,適用于各種需要高電流和快速開關能力的電力電子設備。憑借其優(yōu)秀的導通電阻,P13P10ZA-VB能夠有效降低能量損耗,提升整體效率。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單P通道
- **漏極源極電壓(VDS)**: -100V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: -2V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 120mΩ@VGS=4.5V
- 100mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**: -16A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊
P13P10ZA-VB廣泛應用于各種電源管理和開關電源設計中,尤其適合負載開關、DC-DC轉換器和電池管理系統(tǒng)。在電動工具和消費電子產品中,此MOSFET可以有效控制電流,實現(xiàn)高效能量轉換。在汽車電子領域,它也被廣泛應用于驅動電路和電池保護電路,確保系統(tǒng)的安全和高效運行。其出色的性能和可靠性使其成為現(xiàn)代電力電子設計中的重要組成部分。
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