**P062ABDD-VB 產(chǎn)品簡介：**
P062ABDD-VB是一款高效N溝道MOSFET，采用TO252封裝，具有30V的漏源電壓和20V的柵源電壓范圍。該器件采用Trench技術(shù)，提供極低的導(dǎo)通電阻，適合用于高效能的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。
**詳細(xì)參數(shù)說明：**
- **VDS（漏源電壓）：** 30V
- **VGS（柵源電壓）：** ±20V
- **Vth（閾值電壓）：** 1.7V
- **RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）：** 3mΩ @ VGS=4.5V；2mΩ @ VGS=10V
- **ID（最大漏電流）：** 100A
- **技術(shù)類型：** Trench
**適用領(lǐng)域與模塊：**
P062ABDD-VB廣泛應(yīng)用于高效電源供應(yīng)、直流電機(jī)驅(qū)動和高頻開關(guān)電源。其低導(dǎo)通電阻特性使其在電源管理模塊中提供出色的熱效率，特別是在電力轉(zhuǎn)換和電池管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異。此外，該MOSFET還適用于高性能計(jì)算設(shè)備和通信設(shè)備中的高電流應(yīng)用。